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利用開關(guān)的控制加速鎖相環(huán)鎖定的設(shè)計(jì)方法

電子設(shè)計(jì) ? 來源:郭婷 ? 作者:電子設(shè)計(jì) ? 2019-06-14 08:03 ? 次閱讀
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1 引言

鎖相環(huán)(PLL)是模擬電路中的一個(gè)重要模塊,本文研究的是廣泛使用的電荷泵型鎖相環(huán)(CPPLL)。鎖相環(huán)電路通過比較參考輸入和輸出反饋信號(hào)的頻率/相位,并將此特征轉(zhuǎn)化為電壓,然后通過與壓控振蕩器(VCO)的配合來調(diào)整輸出信號(hào)的頻率,最后使得鎖相環(huán)的參考輸入和輸出反饋信號(hào)的頻率相等、相位恒定,從而鎖定輸出信號(hào)的頻率。電荷泵型鎖相環(huán)更是具有穩(wěn)定性高、捕捉范圍大等諸多優(yōu)點(diǎn)。

本文所研究的,就是在不影響鎖相環(huán)功能的同時(shí),通過添加盡可能簡(jiǎn)單而又有效的輔助電路,來有效減少PLL系統(tǒng)的鎖定時(shí)間,并給出了在0.6μm工藝下的設(shè)計(jì)實(shí)例。通過Spectre仿真驗(yàn)證,結(jié)果表明,改進(jìn)效果是有效且顯著的。

利用開關(guān)的控制加速鎖相環(huán)鎖定的設(shè)計(jì)方法

2 鑒頻鑒相器及電荷泵電路

首先我們介紹在鑒頻鑒相器中使用的TSPC鎖存器,如圖1。TSPC鎖存器的主要優(yōu)點(diǎn)是速度快,延時(shí)小,而且需要的MOS管數(shù)目也比傳統(tǒng)的鎖存器少。利用上述TSPC的控制功能及性能,我們可以得到使用廣泛的鑒頻鑒相器,如圖2所示。此鑒頻鑒相器實(shí)現(xiàn)的功能如圖3所示(以參考輸入REF相位超前為例)。為了消除死區(qū),在DN信號(hào)端有一個(gè)寬度為△t的周期性短脈寬重疊信號(hào)。利用得到的這對(duì)信號(hào)控制電荷泵電容的充放電,就可以調(diào)整電壓Vctrl的值,最終實(shí)現(xiàn)對(duì)VCO[4]輸出頻率的調(diào)節(jié)。

利用開關(guān)的控制加速鎖相環(huán)鎖定的設(shè)計(jì)方法

3 對(duì)電荷泵的改進(jìn)

傳統(tǒng)的PFD/CP,如圖4所示,電荷泵電流是固定的,通過開關(guān)控制對(duì)電荷泵電容的充放電。這個(gè)固定電流一般不是很大,當(dāng)在Vctrl需要大的電壓躍變,比如輸入?yún)⒖碱l率發(fā)生比較大的躍遷,此時(shí)調(diào)整Vctrl到所需值就需要很長(zhǎng)的時(shí)間,這將極大地影響鎖相環(huán)的性能。許多文章對(duì)此進(jìn)行了改進(jìn),就是加入第二組電荷泵,使得在系統(tǒng)非鎖定時(shí)能夠提供大電流以實(shí)現(xiàn)快速充放電,減少鎖定時(shí)間。本文對(duì)電荷泵的改進(jìn),是在不增加多余電流通路的情況下,通過適時(shí)的、周期的改變電荷泵電流,最終達(dá)到縮短輸出頻率調(diào)整時(shí)間的目的。

利用開關(guān)的控制加速鎖相環(huán)鎖定的設(shè)計(jì)方法

我們對(duì)傳統(tǒng)電荷泵進(jìn)行了改進(jìn),其結(jié)構(gòu)如圖5所示。Vb為偏置電壓。UP、DN為鑒頻鑒相器(PFD)的輸出,-UP、-DN分別對(duì)應(yīng)UP、DN的取反值,這四個(gè)控制電壓共同完成對(duì)電荷泵電流的控制。當(dāng)UP為高電平時(shí),M1導(dǎo)通,M2關(guān)斷,M3的電流全部流過M1,該電流通過電流鏡完成對(duì)電荷泵電容的充電,反之M3的電流全部流過M2,電荷泵充電電流為零。DN的控制也是如此(圖中M3和M6,M7和M8分別是1:1的鏡像關(guān)系,以保證充放電電流大小一致)。如果能夠控制偏置電壓Vb,亦可控制兩個(gè)尾電流的大小,進(jìn)而控制充放電電流的大小,使得縮短PLL的鎖定時(shí)間變?yōu)榭赡堋?/p>

利用開關(guān)的控制加速鎖相環(huán)鎖定的設(shè)計(jì)方法

我們采用電壓切換的方法來控制偏置電壓Vb。在參考輸入信號(hào)與輸出反饋信號(hào)頻率/相位相差不大時(shí)Vb偏置到Vb0(固定電壓),得到一個(gè)恒定的電荷泵電流,這有助于對(duì)電荷泵電路進(jìn)行精確的設(shè)計(jì);當(dāng)相差比較大的時(shí)候Vb偏置到Vb1(變化電壓),并且Vb1的最小值大于Vb0,目的是為了使Vb在任何時(shí)候切換到Vb1,都能產(chǎn)生更大的尾電流。

Vb在Vb0、Vb1之間的切換遵循圖6所示的原則。當(dāng)UP信號(hào)持續(xù)較長(zhǎng)時(shí)間高電平,以參考輸入信號(hào)相位超前輸出反饋信號(hào)為例,如圖6(a),我們希望能夠得到如圖中UP+和DN+這樣一對(duì)控制信號(hào):當(dāng)UP信號(hào)的寬度超過△t’時(shí),UP+在UP上跳沿延時(shí)△t’時(shí)刻變?yōu)楦唠娖?,在UP下降沿變?yōu)榈碗娖剑珼N+則一直保持低電平。在這對(duì)UP+、DN+信號(hào)起作用時(shí),切換偏置電壓Vb到Vb1;如果UP信號(hào)的寬度小于時(shí)間長(zhǎng)度△t’,如圖6(b),則UP+、DN+均為低電平,Vb偏置在Vb0,完成恒定電流充電過程。

利用開關(guān)的控制加速鎖相環(huán)鎖定的設(shè)計(jì)方法

UP+、DN+信號(hào)的實(shí)現(xiàn)電路如圖7(a)所示(以UP+信號(hào)為例)。通過簡(jiǎn)單的使用TSPC鎖存器就得到了UP+信號(hào),其信號(hào)波形如圖7(b)。-UP信號(hào)為鎖存器的輸入;UP信號(hào)延時(shí)△t’得到的UP_delay信號(hào)作為TSPC鎖存器的時(shí)鐘信號(hào)。同理可得DN+信號(hào)。但需要注意的是,延時(shí)△t’必須大于重疊脈沖的寬度△t,避免在重疊脈沖期間產(chǎn)生一個(gè)短脈沖信號(hào)。

需要注意的是,一旦偏置電容充電達(dá)到一定值,就只能靠漏電來完成降壓,而這個(gè)過程十分緩慢,那么當(dāng)參考輸入與輸出反饋信號(hào)的頻率/相位相差不大時(shí),就會(huì)導(dǎo)致偏置電壓Vb過大,因而需要?jiǎng)討B(tài)調(diào)整偏置電容的端電壓。我們的解決方案是,通過開關(guān)將偏置電容與一個(gè)流過固定電流的二極管連接的MOS管相接,在UP+、DN+均為低電平時(shí),偏置電容放電,隨著低電平時(shí)間的長(zhǎng)短不同,偏置電容的端電壓也將對(duì)應(yīng)不同的值。完整的電路如圖8所示。

4 系統(tǒng)啟動(dòng)優(yōu)化

系統(tǒng)啟動(dòng)優(yōu)化是為了縮短PLL系統(tǒng)從上電啟動(dòng)到輸出穩(wěn)定頻率的時(shí)間。

改進(jìn)的原理,是在上電瞬間產(chǎn)生一個(gè)從低電平到高電平躍遷的RST信號(hào),以控制對(duì)電荷泵電容的充電,使其在極短的時(shí)間內(nèi)上升到Vctrl_init,我們?cè)O(shè)定,在Vctrl_init電壓下,VCO輸出信號(hào)頻率為整個(gè)頻率調(diào)整范圍內(nèi)的中間值。

利用開關(guān)的控制加速鎖相環(huán)鎖定的設(shè)計(jì)方法

電路如圖9所示。RST信號(hào)控制一個(gè)PMOS管,在上電初期,對(duì)電荷泵電容進(jìn)行大電流充電。仿真結(jié)果如圖10所示,電荷泵電容的端電壓Vctrl在750ns時(shí)上升到1.7v。

利用開關(guān)的控制加速鎖相環(huán)鎖定的設(shè)計(jì)方法

5 仿真結(jié)果

綜合以上兩種改進(jìn),我們?cè)O(shè)計(jì)了PLL整體電路并進(jìn)行了系統(tǒng)仿真。

圖11是偏置電容端電壓的波形,圖中尖銳的上升沿表示UP+或DN+信號(hào)打開開關(guān)對(duì)偏置電容進(jìn)行充電;短時(shí)間尖銳的下降沿表示UP+或DN+信號(hào)自身高電平間短暫的時(shí)間間隔;a處平滑的下降沿表示UP+或DN+信號(hào)的間隔比較大;b處的下降沿最后趨于平整,表示進(jìn)入了恒定電荷泵電流調(diào)節(jié)的模式。由此可見,偏置電路很好地實(shí)現(xiàn)了對(duì)偏置電容端電壓的調(diào)整。

在參考頻率為25MHz的情況下,電荷泵改進(jìn)前、后PLL的鎖定時(shí)間如圖12、圖13所示,改進(jìn)后鎖相環(huán)的鎖定時(shí)間減少為改進(jìn)前的1/2,而且穩(wěn)定時(shí)的振鈴也更為平坦。

利用開關(guān)的控制加速鎖相環(huán)鎖定的設(shè)計(jì)方法

5 結(jié)論

與構(gòu)造兩個(gè)電荷泵來實(shí)現(xiàn)快速充放電的方式相比,本文所用的連續(xù)控制電荷泵電流的方式,對(duì)Vctrl的調(diào)節(jié)更加合理,并且減少了MOS管數(shù)目,降低了功耗,在添加啟動(dòng)優(yōu)化的電路后,通過在極短時(shí)間內(nèi)提升Vctrl電壓的方式,使得鎖定時(shí)間的大大減少。

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