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由芯片和單片機實現(xiàn)微小電容測量電路的設(shè)計

電子設(shè)計 ? 來源:郭婷 ? 作者:電子設(shè)計 ? 2019-06-06 08:04 ? 次閱讀
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電容傳感器是將被測量的變化轉(zhuǎn)換成電容量變化的一種裝置。電容式傳感器具有結(jié)構(gòu)簡單、分辨力高、工作可靠、動態(tài)響應(yīng)快、可非接觸測量,及能在高溫、輻射和強烈振動等惡劣條件下工作等優(yōu)點,并且已在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)的各個領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

微小電容測量電路必須滿足動態(tài)范圍大、測量靈敏度高、低噪聲、抗雜散性等要求。電容式傳感器輸出的電容信號往往很?。?fF~10 pF),又存在傳感器及其連接導(dǎo)線雜散電容和寄生電容的影響,這對電容信號的測量電路提出了非常高的要求,如此微小的電容信號的測量成為電容式傳感器技術(shù)發(fā)展的瓶頸。

本文提出一種恒流源充電法對兩個微小電容進行充電檢測的方法。本設(shè)計僅由單片機和少數(shù)芯片即可以實現(xiàn)電容的高精度,高頻率測量。由于采用了差動式測量,本設(shè)計可以有效地減小非線性誤差,提高傳感器靈敏度,減少干擾,減少寄生電容的影響。若選用高性能模擬開關(guān)能大大減小電荷注入效應(yīng)的影響。在檢測0~5 pF的實驗中,采樣頻率可以達到100 kHz,有效精度位最高可達12位。

1 原理分析

實現(xiàn)測量的電路原理如圖1所示,其完整的測量過程是:單片機控制模擬開關(guān)K1,K2斷路,標(biāo)準(zhǔn)電容Cl和待測電容C2由相同的兩個恒流源I1和I2進行充電;在相同的時間T1內(nèi),電容C1、C2的充電電壓為U1、U2。由電容基本公式可得:

由芯片和單片機實現(xiàn)微小電容測量電路的設(shè)計

圖1 實現(xiàn)測量的電路原理圖

令△U=U1-U2,則電壓差△U經(jīng)過放大后,通過MSP430單片機的AD轉(zhuǎn)換模塊進行轉(zhuǎn)換,數(shù)據(jù)存儲的同時,單片機控制K1、K2閉合,在T2時間內(nèi),使C1,C2兩端的短路,兩電容兩端電壓降到零,此時完成放電過程。

至此,一次完整的采樣過程結(jié)束,充放電時序見圖2。

由芯片和單片機實現(xiàn)微小電容測量電路的設(shè)計

圖2 充放電時序圖

在整個過程中,單片機要產(chǎn)生一個頻率為100 kHz,占空比為90%的PWM波,用以控制K1、K2的通斷,還要以(T1+T2)的周期完成AD變換和數(shù)據(jù)存儲。其中,T1的最大值小于充電時間,T2的最小值大于放電時間。

2 硬件設(shè)計

2.1 恒流源的設(shè)計

恒流源是整個測量系統(tǒng)模擬部分的重要組成部分,其穩(wěn)定性直接決定了系統(tǒng)測量的精度。本設(shè)計中的兩個恒流源要求輸出電流相等,具體設(shè)計如圖3。

由芯片和單片機實現(xiàn)微小電容測量電路的設(shè)計

圖3 恒流源原理圖

由芯片和單片機實現(xiàn)微小電容測量電路的設(shè)計

因Vi是采用單片機AD轉(zhuǎn)換的標(biāo)準(zhǔn)電壓1.5 V,UL≤1.5 V,故n值、RL與Rs的比值,直接影響恒流源電流的輸出,只要保證UL小于1.5 V時,該電路輸出電流為恒定值,與負(fù)載電阻RL沒有關(guān)系。

2.2 放大電路的設(shè)計

放大電路采用以儀表放大器INA128為核心的儀表放大器。該放大器在放大100倍時帶寬可達200 kHz,完全滿足了設(shè)計的要求。

C1和C2兩個電容由相應(yīng)的恒流源在相同的時間內(nèi)進行充電,兩電容充電電壓差由INA128進行放大,并送入單片機進行采樣存儲。圖4為充放電標(biāo)準(zhǔn)信號與INA128放大后的結(jié)果。

由芯片和單片機實現(xiàn)微小電容測量電路的設(shè)計

圖4 標(biāo)題信號與輸出放大

3 軟件設(shè)計

為實現(xiàn)低功耗,系統(tǒng)接入電源后進入低功耗狀態(tài),需要外部電平信號才能喚醒。為了避免系統(tǒng)的誤開始測量,當(dāng)需要測量電容信號時,將觸發(fā)信號置高,如果20 s內(nèi)觸發(fā)信號一直置高,則系統(tǒng)進入循環(huán)采集存儲狀態(tài)。為得到包括觸發(fā)前和觸發(fā)后的完整電容信號曲線,一旦電容信號達到預(yù)設(shè)的觸發(fā)值,系統(tǒng)便進入觸發(fā)態(tài),將電容信號存儲到閃存,閃存存滿后,將RAM中的FIFO數(shù)據(jù)導(dǎo)入閃存預(yù)留地址。之后,系統(tǒng)進入待讀數(shù)態(tài),此時插上USB接口,接收到計算機的讀數(shù)命令之后即可將數(shù)據(jù)發(fā)送至計算機,并且在第一次讀取數(shù)據(jù)之后和掉電以后再上電可重復(fù)無數(shù)次讀取并顯示測量結(jié)果。系統(tǒng)的狀態(tài)設(shè)計如圖5。

由芯片和單片機實現(xiàn)微小電容測量電路的設(shè)計

圖5 系統(tǒng)的狀態(tài)設(shè)計

為實現(xiàn)低功耗的系統(tǒng),電路不工作時,即接通電源態(tài)和待讀數(shù)態(tài),系統(tǒng)處于值更狀態(tài)、超低功耗態(tài)LPM4;工作時都處于全功耗態(tài)。

4 測量結(jié)果

傳感器的標(biāo)定就是通過實驗確定傳感器的輸入量和輸出量之間的關(guān)系,用以確定傳感器系統(tǒng)的線性度、靈敏度和重復(fù)性等靜態(tài)性能指標(biāo)。

表1為測量0~5pF電容的數(shù)據(jù)。由最小二乘法相關(guān)計算公式可得,擬合直線為y=0.993x+0.049,重復(fù)性誤差為1.77%,非線性誤差為0.84%,基本誤差為2.61%。

由芯片和單片機實現(xiàn)微小電容測量電路的設(shè)計

5 結(jié)論

本設(shè)計的核心硬件由芯片和單片機實現(xiàn),省去了昂貴的電容測量芯片,由低功耗,低成本的數(shù)字芯片組成,有效降低了測量系統(tǒng)的成本。整個系統(tǒng)電路板面積小于2.7 cm2,工作電流小于8 mA,低功耗電流為0.02 uA,由于待測電容和標(biāo)準(zhǔn)電容均有接地端,所以具有較強的抗干擾能力,并體現(xiàn)了低功耗、體積小等優(yōu)點。本測量方案可以非常靈活,實現(xiàn)模塊化,所設(shè)計的同一塊PCB可以移植到許多電容式傳感器的設(shè)計中去。

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