可嵌入心電震發(fā)生器（Implantable Cardivoerter Defibrillators-ICD）已通用幾年了，它在世界衛(wèi)生組織和各成員國的關(guān)注和支持下得以不斷的補(bǔ)充、完善，并成為國際公認(rèn)的衛(wèi)生信息標(biāo)準(zhǔn)分類。經(jīng)26個(gè)國家的代表共同修訂，通過了一個(gè)包括179組死因的詳細(xì)分類和一個(gè)包含35組死因的簡略分類，這是國際疾病分類（ICD）的第一個(gè)版本。此后，每隔10年左右，由法國政府和世界衛(wèi)生組織先后主持了10次對ICD的國家修訂會議，以補(bǔ)充和完善ICD的內(nèi)容。

用電荷泵產(chǎn)生高電壓并把它存儲存一個(gè)大電容器上。通常，電擊（脈沖）通過一個(gè)2相脈沖傳送到心臟。圖1示出2相電震發(fā)生器系統(tǒng)和產(chǎn)生所需雙相脈沖的高壓橋的原理框圖。此應(yīng)用由兩個(gè)相同的半橋組成，每個(gè)半橋有兩個(gè)開關(guān)，一個(gè)連接地、一個(gè)連接高電壓。隔離柵雙極晶體管（IGBT）最常用做開關(guān)元件，因?yàn)镮GBT具有最小的導(dǎo)通電阻及硅面積。高端IGBT需要一個(gè)柵極電壓，此電壓比開關(guān)電壓高10～15V。通常用一個(gè)變壓器進(jìn)行高壓控制器和開關(guān)之間的電平變換。圖2示出一個(gè)橋所需元件的原理框圖。

采用變壓器有明顯的缺點(diǎn)：

1.分選來自不同廠家的分立元件，使制造變復(fù)雜并增加成本。

2.變壓器體積大而且在生產(chǎn)中難以控制，這導(dǎo)致可靠性降低。

MED427 高電壓半橋

Microsemi公司開發(fā)了一款高電壓半橋模件（見圖3），用于甚低功率、低電壓應(yīng)用，在這些應(yīng)用中空間大小和靜態(tài)電流是主要的關(guān)心點(diǎn)。這種模件為低速和低占空因數(shù)高電壓開關(guān)應(yīng)提供了一種完整的解決方案。

特性

高電壓半橋模件的主要特性有：

·低電壓接口；可直接從CMOS電平控制器芯片（邏輯電平輸入）控制該橋。

·完全集成了半橋所需的所有元件。

·BGA（球式柵格陣列）MCM（多芯片模件）封裝的小尺寸。

·甚低的靜態(tài)電流（50nA典型值）

技術(shù)

·為了達(dá)到最小可能的尺寸和靜態(tài)電流，Microsemi開發(fā)出一些新的關(guān)鍵技術(shù)：

·低柵極電荷IGBT。低柵極電荷使得可用較小值的隔離/電荷變換電容器。

工作原理

HI_NE引腳使能LC1中的高頻振蕩器。此振蕩器輸出經(jīng)電平變換到IGBT柵驅(qū)動電壓（VDD）并驅(qū)動隔離和電荷轉(zhuǎn)換電容器。電容器的另一端連接到IC2，在IC2中對時(shí)鐘信號整流以產(chǎn)生柵發(fā)射極電壓。IC2也有一個(gè)開關(guān)，當(dāng)沒有時(shí)鐘信號時(shí)此開關(guān)使IGBT柵極到發(fā)射極短路（見圖4）。圖5的仿真的結(jié)果示出所得到的半橋輸出，IGBT柵-發(fā)射極電壓和到IC2的時(shí)鐘輸入的結(jié)果。

結(jié)語

大量研究表明，ICD植入要較藥物治療有效得多。ICD的外觀與起搏器類似，植入的部位也基本相同，但I(xiàn)CD要較常規(guī)的起搏器大。通常，ICD只有一條電極導(dǎo)線（植入右心室）。ICD可以隨時(shí)檢測出并判斷患者所發(fā)生的嚴(yán)重室性心律失常的類型并給予不同的處理，從而達(dá)到終止心律失常、挽救患者生命的目的。這項(xiàng)目的研究就是為了更加快捷和安全的去挽救病人的生命，醫(yī)學(xué)在科技的帶領(lǐng)下更加安全。