近年來(lái)，俄羅斯下諾夫哥羅德洛巴切夫斯基國(guó)立大學(xué)（UNN）、印度理工學(xué)院焦特布爾校區(qū)和印度理工學(xué)院羅巴爾校區(qū)的科學(xué)家們一直致力于開(kāi)發(fā)在紫外波段工作的日盲光探測(cè)器。這是電子技術(shù)領(lǐng)域的一項(xiàng)重要任務(wù)，因?yàn)樗芮袛嗖ㄩL(zhǎng)高于280nm的輻射，有助于避免日光的干擾，并記錄白天的紫外輻射。

UNN大學(xué)物理與技術(shù)研究所實(shí)驗(yàn)室主任Alexey Mikhaylov說(shuō):“由于日盲光探測(cè)器對(duì)深紫外光高度敏感但對(duì)日光不敏感，所以能夠廣泛用于各種重要應(yīng)用中，包括臭氧損傷檢測(cè)、噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)的監(jiān)測(cè)及火焰檢測(cè)。”

制造日盲光電探測(cè)器的主要材料是寬帶隙半導(dǎo)體。下諾夫哥羅德的科學(xué)家和印度的同事認(rèn)為，氧化鎵()是一種很有前景的半導(dǎo)體，帶隙為4.4-4.9 eV，可以切斷波長(zhǎng)超過(guò)260-280nm的輻射，探測(cè)到深紫外波段的輻射。

合成氧化鎵的現(xiàn)有方法非常復(fù)雜，與傳統(tǒng)的硅技術(shù)兼容性差。此外，通過(guò)這些方法獲得的膜層通常會(huì)有許多缺陷。利用離子注入（現(xiàn)代電子技術(shù)的基本技術(shù)）合成氧化鎵納米晶體，為開(kāi)發(fā)日盲光探測(cè)器開(kāi)辟了新的可能性。

該光探測(cè)器的光譜響應(yīng)在250-270nm波段顯示出優(yōu)異的日盲紫外特性，探測(cè)器在250 nm波長(zhǎng)處的響應(yīng)度也高達(dá)50 mA/μW。光探測(cè)器的暗電流非常低，只有0.168 mA。

制造這種探測(cè)器的過(guò)程包括通過(guò)離子注入在硅層上的氧化鋁薄膜中合成氧化鎵納米晶體。UNN大學(xué)的科學(xué)家在世界上首次實(shí)現(xiàn)了以這種方式制造探測(cè)器。

Mikhaylov說(shuō):“通過(guò)在離子注入的輔助下制造這種光探測(cè)器，將有可能適用現(xiàn)有的硅技術(shù)制造新一代設(shè)備?！?/p>