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內(nèi)存價格壞消息又來 三星/SK海力士搶先下手

jXID_bandaotigu ? 作者:工程師飛燕 ? 2018-09-08 11:15 ? 次閱讀
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內(nèi)存價格已經(jīng)連續(xù)上漲兩年多,業(yè)內(nèi)普遍預(yù)測到今年第四季度逐步回歸正常,但還沒來得及興奮,壞消息就來了。

據(jù)***媒體援引業(yè)內(nèi)消息稱報道,三星電子、SK海力士都計劃推遲工廠擴建、產(chǎn)能擴充計劃,原因是客戶需求正在變緩,會導(dǎo)致DRAM內(nèi)存、NAND閃存的價格在2019年上半年明顯下滑。

近期,DRAM內(nèi)存合約價出現(xiàn)了明顯的走低跡象,預(yù)計到今年第四季度隨著供應(yīng)充足、供過于求,DRAM合約價會開始大幅度下降。

NAND閃存方面,盡管第三季度是傳統(tǒng)需求旺季,但今年全球市場供應(yīng)仍然很充足,64層、72層堆疊3D閃存產(chǎn)能持續(xù)提升,但由于筆記本、智能手機市場都相當飽和,需求增長有限。

同時,渠道供應(yīng)鏈內(nèi)堆積了大量NAND閃存芯片,進一步導(dǎo)致價格下滑,預(yù)計合約價會在今年第三季度環(huán)比下降10-15%,超出預(yù)期,第四季度則會再降15%。

對于廠商和渠道而言,DRAM內(nèi)存、NAND閃存的價格在2019年上半年都會面臨很大壓力,當然對消費者而言就是絕對的好事兒了。

目前,三星已經(jīng)減緩了3D NAND閃存產(chǎn)能的擴充,新的生產(chǎn)線要推到明年上半年才會上線,同時暫停了在韓國華城、平澤新建1ynm DRAM內(nèi)存芯片工廠的計劃。

在此之前,三星曾計劃從今年第三季度開始,將DRAM內(nèi)存芯片每個月的產(chǎn)能輸出擴大3萬塊晶圓。

SK海力士也同樣大大推遲了3D NAND閃存芯片產(chǎn)能擴充的計劃。

簡而言之,內(nèi)存、閃存(SSD)的價格在未來都會慢慢下降,但因為源頭的刻意控制,不要指望太大的降幅了。


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原文標題:坐等內(nèi)存大降價:三星/SK海力士卻下手了

文章出處:【微信號:bandaotiguancha,微信公眾號:半導(dǎo)體觀察IC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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