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MOS管電路工作原理詳解 MOS管應(yīng)用實(shí)戰(zhàn)

HOT-ic ? 2018-09-12 10:24 ? 次閱讀
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1、三個(gè)極怎么判定

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G極(gate)—柵極,不用說(shuō)比較好認(rèn)

S極(source)—源極,不論是P溝道還是N溝道,兩根線(xiàn)相交的就是

D極(drain)—漏極,不論是P溝道還是N溝道,是單獨(dú)引線(xiàn)的那邊

2、N溝道還是P溝道

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箭頭指向G極的是N溝道

箭頭背向G極的是P溝道

3、寄生二極管方向如何判定

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不論N溝道還是P溝道MOS管,中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的:

要么都由S指向D,要么都有D指向S

4、MOS開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)的功能

1>信號(hào)切換

2>電壓通斷

5、MOS管用作開(kāi)關(guān)時(shí)在電路中的連接方法

關(guān)鍵點(diǎn):

1>確定那一極連接輸入端,那一極連接輸出端

2>控制極電平為?V 時(shí)MOS管導(dǎo)通

3>控制極電平為?V 時(shí)MOS管截止

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NMOS:D極接輸入,S極接輸出

PMOS:S極接輸入,D極接輸出

反證法加強(qiáng)理解

NMOS假如:S接輸入,D接輸出

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由于寄生二極管直接導(dǎo)通,因此S極電壓可以無(wú)條件到D極,MOS管就失去了開(kāi)關(guān)的作用

PMOS假如:D接輸入,S接輸出

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同樣失去了開(kāi)關(guān)的作用

6、MOS管的開(kāi)關(guān)條件

N溝道—導(dǎo)通時(shí) Ug> Us,Ugs> Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通

P溝道—導(dǎo)通時(shí) Ug< Us,Ugs< Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通

總之,導(dǎo)通條件:|Ugs|>|Ugs(th)|

7、相關(guān)概念

BJT

Bipolar Junction Transistor 雙極性晶體管,BJT是電流控制器件;

FET

Field Effect Transistor 場(chǎng)效應(yīng)晶體管,F(xiàn)ET是電壓控制器件.

按結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管分為:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)(簡(jiǎn)稱(chēng)JFET)、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)(簡(jiǎn)稱(chēng)MOSFET)兩大類(lèi)

按溝道材料:結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種.

按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強(qiáng)型,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的。

總的來(lái)說(shuō)場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類(lèi)。

8、MOS管重要參數(shù)

①封裝

②類(lèi)型(NMOS、PMOS)

③耐壓Vds(器件在斷開(kāi)狀態(tài)下漏極和源極所能承受的最大的電壓)

④飽和電流Id

⑤導(dǎo)通阻抗Rds

⑥柵極閾值電壓Vgs(th)

9、從MOS管實(shí)物識(shí)別管腳

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無(wú)論是NMOS還是PMOS

按上圖方向擺正,中間的一腳為D,左邊為G,右邊為S。

或者這么記:?jiǎn)为?dú)的一腳為D,逆時(shí)針轉(zhuǎn)DGS。

這里順便提一下三極管的管腳識(shí)別:同樣按照上圖方向擺正,中間一腳為C,左邊為B,右邊為E。

管腳編號(hào)

從G腳開(kāi)始,逆時(shí)針123

三極管的管腳編號(hào)同樣從B腳開(kāi)始,逆時(shí)針123

10、用萬(wàn)用表辨別NNOS、PMOS

借助寄生二極管來(lái)辨別。將萬(wàn)用表檔位撥至二極管檔,紅表筆接S,黑表筆接D,有數(shù)值顯示,反過(guò)來(lái)接無(wú)數(shù)值,說(shuō)明是N溝道,若情況相反是P溝道。

11、畫(huà)一個(gè)MOS管

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