問(wèn)題:

在積分器(R2、C2和Q1)中使用功率Mosfet，如果不采取一些預(yù)防措施，可能會(huì)導(dǎo)致故障或?神秘?破壞，而且不總是重復(fù)。

例子:

在這個(gè)350W直線電機(jī)控制組件中，設(shè)計(jì)師希望通過(guò)在柵極和漏極之間插入電容耦合(C2)，使快速電壓漏極變化成為不可能。

這個(gè)組裝技巧的目的是迫使Mosfet成為導(dǎo)電的過(guò)電壓(即使低dV / dt)出現(xiàn)在流失,而不是使用組件的“崩潰”能力(期間需要的能量消散,過(guò)電壓的原因)。

運(yùn)行風(fēng)險(xiǎn):

柵極和漏極之間的耦合是在相當(dāng)?shù)偷念l率，即高達(dá)10kHz?？梢杂^察到，從某些MHz，相位可以旋轉(zhuǎn)不止180°C,將一個(gè)系統(tǒng)在低頻(低頻)自然穩(wěn)定到一個(gè)高頻高壓級(jí)振蕩器(高頻)。這是由于一個(gè)事實(shí),即線電感(L1)不是不再在高頻段,可以忽略不計(jì),現(xiàn)代的場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行了優(yōu)化只在脈寬調(diào)制,因此更高的帶寬增益的產(chǎn)品,而不是在低頻電流放大器操作的應(yīng)用程序,就像在這里描述。

這種現(xiàn)象往往會(huì)對(duì)Mosfet造成破壞性的短期或長(zhǎng)期，在生產(chǎn)線的最終測(cè)試，或在其最終使用環(huán)境。

破壞是由于觀測(cè)到的柵極信號(hào)振幅非常高(40 ~ 60Vpp)。

建議:

當(dāng)元件置于柵極和漏極之間時(shí)，減小其布線長(zhǎng)度，增加?xùn)艠O電阻的值，以避免任何Mosfet自激振蕩風(fēng)險(xiǎn)。

考慮到這個(gè)問(wèn)題是由高頻調(diào)諧的寄生電路引起的，它只需要在這些高頻下有足夠的阻尼，以迫使高頻環(huán)路增益下降到一個(gè)不允許開始振蕩的值。

這是通過(guò)在寄生耦合電路中引入一個(gè)串聯(lián)阻尼電阻(R1)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。

在前面的例子中，測(cè)試已經(jīng)表明，增加一個(gè)值為1 / 2歐姆就足夠了。仿真模型,給出一個(gè)寄生ESR 0.35歐姆的大柵極,約0.4歐姆之間的電容連接?xùn)艠O和流失,已經(jīng)決定供電一些保證金0603年通過(guò)添加10歐姆SMD系列電容器,但效果將被連接在同一串行Mosfet的大柵極。