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移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)5G開(kāi)發(fā)基于氮化鎵(GaN)的經(jīng)濟(jì)高效的高性能技術(shù)

kus1_iawbs2016 ? 來(lái)源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-09-20 17:01 ? 次閱讀
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在歐盟的“5G GaN2”項(xiàng)目中,來(lái)自研究和工業(yè)界的17個(gè)合作伙伴聯(lián)合起來(lái),為即將推出的移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)5G開(kāi)發(fā)基于氮化鎵(GaN)的經(jīng)濟(jì)高效的高性能技術(shù)。

項(xiàng)目背景

第五代(5G)通信技術(shù)將提供對(duì)各種應(yīng)用的互聯(lián)網(wǎng)接入:從數(shù)十億低數(shù)據(jù)速率傳感器到高分辨率視頻流。5G網(wǎng)絡(luò)旨在擴(kuò)展這些不同的用例,并為每個(gè)用戶使用不同的無(wú)線接入技術(shù)。

為了支持非常高的數(shù)據(jù)速率,5G將使用毫米波頻率的寬帶寬頻譜分配。毫米波頻率(24 GHz以上)提供的帶寬是低頻段(低于6 GHz)的10倍以上。然而,轉(zhuǎn)向毫米波會(huì)增加成本,這使得以毫米波頻率提供覆蓋極具挑戰(zhàn)性。

部分補(bǔ)救措施是使用波束成形將無(wú)線電能量引導(dǎo)到特定用戶。對(duì)于某些部署方案,波束成形還不夠,還必須增加輸出功率。一個(gè)主要挑戰(zhàn)是將經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的高性能毫米波有源天線陣列投入生產(chǎn)。目前該系統(tǒng)有市場(chǎng)需求,但存在能力差距。

氮化鎵5G技術(shù)

負(fù)責(zé)管理該項(xiàng)目的Dirk Schwantuschke博士說(shuō),“通過(guò)使用先進(jìn)的氮化鎵技術(shù),有必要提高這些創(chuàng)新頻段的網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施的可用輸出功率和能效”。Schwantuschke就職于博士弗勞恩霍夫協(xié)會(huì)應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer IAF),是參與項(xiàng)目的17個(gè)合作機(jī)構(gòu)之一。

在項(xiàng)目5G GaN2中,用于5G基站的部件和電路將在GaN的基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)。Schwantuschke博士解釋說(shuō):“Fraunhofer IAF對(duì)整個(gè)項(xiàng)目的貢獻(xiàn)將是開(kāi)發(fā)E頻段功率放大器,頻率范圍大約為80 GHz”。

降低成本,提高性能

基站是蜂窩網(wǎng)絡(luò)的連接點(diǎn)。它們記錄無(wú)線電小區(qū)的傳輸數(shù)據(jù)并將其傳遞。為了確保未來(lái)毫米波頻段內(nèi)的數(shù)據(jù)泛濫,基站技術(shù)需要滿足兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn):輸出功率需要提高,同時(shí)保持低成本和低能耗。為實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo),5G GaN2的項(xiàng)目合作伙伴依靠基于GaN的技術(shù)和放大器電路。

研究人員解釋說(shuō),基于GaN的電子元器件和系統(tǒng)比傳統(tǒng)的硅元器件更節(jié)能。該項(xiàng)目的另一個(gè)方面是通過(guò)封裝技術(shù)方面的創(chuàng)新方法,將各種組件整合到單個(gè)封裝內(nèi),以降低成本。

研究目標(biāo)

該項(xiàng)目的目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)28GHz、38GHz和80GHz的演示樣品,作為開(kāi)發(fā)基于GaN的功能強(qiáng)大且節(jié)能的5G蜂窩網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵技術(shù)。

Schwantuschke博士說(shuō),“基于GaN的器件特別適用于基站和蜂窩網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施所需的功能強(qiáng)大的高頻放大器,因?yàn)樗芤愿吖β侍峁└哳l范圍。Fraunhofer IAF開(kāi)發(fā)的放大器能夠通過(guò)蜂窩網(wǎng)絡(luò)更快,更節(jié)能地發(fā)送更多數(shù)據(jù)?!?/p>

關(guān)于5G GaN2項(xiàng)目

5G GaN2項(xiàng)目將大幅降低毫米波通信成本和功耗,并增加毫米波有源天線系統(tǒng)的輸出功率。采用先進(jìn)的氮化鎵(GaN)技術(shù),可實(shí)現(xiàn)最大輸出功率和能效效果。此外,將進(jìn)一步開(kāi)發(fā)用于數(shù)字應(yīng)用的低成本封裝技術(shù),以實(shí)現(xiàn)成本和集成目標(biāo)。

除了Fraunhofer IAF之外,該項(xiàng)目的合作方還包括手機(jī)技術(shù)相關(guān)的完整價(jià)值鏈:晶圓供應(yīng)商、半導(dǎo)體制造商和系統(tǒng)集成商等與大學(xué)和研究機(jī)構(gòu)共同開(kāi)發(fā)用于第五代蜂窩網(wǎng)絡(luò)的創(chuàng)新GaN技術(shù)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:氮化鎵|歐盟“5G GaN2”項(xiàng)目利用氮化鎵為5G蜂窩網(wǎng)絡(luò)提供高輸出功率和能效

文章出處:【微信號(hào):iawbs2016,微信公眾號(hào):寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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