一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

半導(dǎo)體的基本物理特性

工程師 ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:h1654155205.5246 ? 2018-09-27 11:05 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

半導(dǎo)體的基本物理特性

1、溫度上升電阻下降的特性

2、整流效應(yīng)

3、光伏特效應(yīng)

4、光電導(dǎo)效應(yīng)

半導(dǎo)體的重要特性

1、熱敏特性

半導(dǎo)體的電阻率隨溫度變化會(huì)發(fā)生明顯地改變。例如純鍺,濕度每升高10度,它的電阻率就要減小到原來(lái)的1/2。溫度的細(xì)微變化,能從半導(dǎo)體電阻率的明顯變化上反映出來(lái)。利用半導(dǎo)體的熱敏特性,可以制作感溫元件——熱敏電阻,用于溫度測(cè)量和控制系統(tǒng)中。值得注意的是,各種半導(dǎo)體器件都因存在著熱敏特性,在環(huán)境溫度變化時(shí)影響其工作的穩(wěn)定性。

2、光敏特性

半導(dǎo)體的電阻率對(duì)光的變化十分敏感。有光照時(shí)、電阻率很?。粺o(wú)光照時(shí),電阻率很大。例如,常用的硫化鎘光敏電阻,在沒(méi)有光照時(shí),電阻高達(dá)幾十兆歐姆,受到光照時(shí).電阻一下子降到幾十千歐姆,電阻值改變了上千倍。利用半導(dǎo)體的光敏特性,制作出多種類(lèi)型的光電器件,如光電二極管、光電三極管及硅光電池等.廣泛應(yīng)用在自動(dòng)控制和無(wú)線電技術(shù)中。

3、摻雜特性

在純凈的半導(dǎo)體中,摻人極微量的雜質(zhì)元素,就會(huì)使它的電阻率發(fā)生極大的變化。例如.在純硅中摻人。百萬(wàn)分之—的硼元素,其電阻率就會(huì)從214000歐。里面一下于減小到0.4歐。里面.也就是硅的導(dǎo)電能為提高了50多萬(wàn)倍。人們正是通過(guò)摻入某些特定的雜質(zhì)元素,人為地精確地控制半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力,制造成不同類(lèi)型的半導(dǎo)體器件。可以毫不夸張的說(shuō),幾乎所有的半導(dǎo)體器件,都是用摻有特定雜質(zhì)的半導(dǎo)體材料制成。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28919

    瀏覽量

    238118
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

    本書(shū)較全面地講述了現(xiàn)有各類(lèi)重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性,有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過(guò)程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來(lái)。 書(shū)中內(nèi)容由淺入深,從
    發(fā)表于 07-11 14:49

    半導(dǎo)體制冷技術(shù):從原理到應(yīng)用深度解析

    半導(dǎo)體制冷技術(shù)(ThermoelectricCooling,TEC)作為一種基于熱電效應(yīng)的新型溫控解決方案,憑借其無(wú)機(jī)械運(yùn)動(dòng)、精準(zhǔn)控溫、環(huán)保無(wú)污染等特性,已在醫(yī)療、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)等領(lǐng)域嶄露頭角
    的頭像 發(fā)表于 05-14 15:09 ?1413次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>制冷技術(shù):從原理到應(yīng)用深度解析

    最全最詳盡的半導(dǎo)體制造技術(shù)資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測(cè)

    。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章 硅片制造中的沾污控制 第7章 測(cè)量學(xué)和缺陷檢查 第8章
    發(fā)表于 04-15 13:52

    PN結(jié)的整流特性:MDD整流二極管的核心物理機(jī)制

    解析PN結(jié)的整流特性及其在整流二極管中的物理機(jī)制。2.PN結(jié)的基本結(jié)構(gòu)PN結(jié)是由兩個(gè)摻雜類(lèi)型不同的半導(dǎo)體材料(P型和N型)組成:P型半導(dǎo)體含有大量空穴(正電荷載流子
    的頭像 發(fā)表于 03-21 09:36 ?729次閱讀
    PN結(jié)的整流<b class='flag-5'>特性</b>:MDD整流二極管的核心<b class='flag-5'>物理</b>機(jī)制

    碳化硅在半導(dǎo)體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?1366次閱讀

    電子耦合在半導(dǎo)體中的應(yīng)用

    電子耦合在半導(dǎo)體中的應(yīng)用十分廣泛,它涉及到半導(dǎo)體材料的多種物理效應(yīng)和器件設(shè)計(jì)。以下是對(duì)電子耦合在半導(dǎo)體中應(yīng)用的介紹: 一、電聲耦合效應(yīng) 電聲耦合效應(yīng)是指在電場(chǎng)的作用下,電荷分布發(fā)生變化
    的頭像 發(fā)表于 11-24 09:19 ?1548次閱讀

    深度了解SiC材料的物理特性

    與Si材料相比,SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢(shì)明顯,比如擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等,使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細(xì)了解SiC材料的物理
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:55 ?2250次閱讀
    深度了解SiC材料的<b class='flag-5'>物理</b><b class='flag-5'>特性</b>

    中國(guó)半導(dǎo)體的鏡鑒之路

    今天非常高興能在這里圍繞我跟蓋添怡女士的一本半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)著作《芯鏡》來(lái)展開(kāi)介紹日本半導(dǎo)體的得失,以及對(duì)咱們中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展的啟發(fā)。 一芯片強(qiáng)國(guó)的初、興、盛、衰 首先,大家可以先了解一下日本半導(dǎo)體
    發(fā)表于 11-04 12:00

    半導(dǎo)體激光器的遠(yuǎn)場(chǎng)特性

    人們通常將半導(dǎo)體激光器輸出的光場(chǎng)分布分別用近場(chǎng)與遠(yuǎn)場(chǎng)特性來(lái)描述。
    的頭像 發(fā)表于 10-30 10:45 ?970次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>激光器的遠(yuǎn)場(chǎng)<b class='flag-5'>特性</b>

    第三代半導(dǎo)體半導(dǎo)體區(qū)別

    半導(dǎo)體是指導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料,具有獨(dú)特的電學(xué)性質(zhì),是電子工業(yè)中不可或缺的基礎(chǔ)材料。隨著科技的進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,半導(dǎo)體材料經(jīng)歷了從第一代到第三代的演變。 一、材料特性的區(qū)
    的頭像 發(fā)表于 10-17 15:26 ?2697次閱讀

    半導(dǎo)體PN結(jié)的形成原理和主要特性

    半導(dǎo)體PN結(jié)的形成原理及其主要特性半導(dǎo)體物理學(xué)中的重要內(nèi)容,對(duì)于理解半導(dǎo)體器件的工作原理和應(yīng)用具有重要意義。以下是對(duì)
    的頭像 發(fā)表于 09-24 18:01 ?4788次閱讀

    晶體硅為什么可以做半導(dǎo)體材料

    晶體硅之所以能夠成為半導(dǎo)體材料的首選,主要得益于其一系列獨(dú)特的物理、化學(xué)和工藝特性。 一、資源豐富與成本效益 首先,硅是地球上第二豐富的元素,廣泛存在于巖石、沙子和土壤中,這使得硅材料的獲取相對(duì)容易
    的頭像 發(fā)表于 09-21 11:46 ?2997次閱讀

    半導(dǎo)體靶材:推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)飛躍的核心力量

    半導(dǎo)體靶材是半導(dǎo)體材料制備過(guò)程中的重要原料,它們?cè)诒∧こ练e、物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)等多種技術(shù)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體靶材的種類(lèi)以及它們?cè)?/div>
    的頭像 發(fā)表于 09-02 11:43 ?1236次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>靶材:推動(dòng)<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>技術(shù)飛躍的核心力量

    p型半導(dǎo)體是怎么形成的

    p型半導(dǎo)體(也稱(chēng)為空穴半導(dǎo)體)的形成是一個(gè)涉及半導(dǎo)體材料摻雜和物理性質(zhì)變化的過(guò)程。以下是對(duì)p型半導(dǎo)體形成過(guò)程的詳細(xì)解析,包括其定義、摻雜原理
    的頭像 發(fā)表于 08-15 17:02 ?6482次閱讀

    摻雜對(duì)PN結(jié)伏安特性的影響

    摻雜對(duì)PN結(jié)伏安特性的影響是半導(dǎo)體物理學(xué)中的一個(gè)重要議題。PN結(jié)作為半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu),其性能在很大程度上取決于摻雜濃度、摻雜類(lèi)型以及摻雜分布等因素。以下將詳細(xì)探討摻雜對(duì)PN結(jié)伏安
    的頭像 發(fā)表于 07-25 14:27 ?4091次閱讀