對消費群體而言，5G帶來的是高帶寬低延遲的使用效果;對于企業(yè)端尤其是閃存大廠來說，則是新的機遇。目前半導(dǎo)體存儲芯片廠商主要集中在美國、日本、韓國，中國也在快速發(fā)展。

隨著5G、自動駕駛、AI等場景發(fā)展對存儲的需求大幅增加，閃存大廠都在存儲密度、堆疊技術(shù)等方面進(jìn)行迭代，同時，NAND Flash價格的大幅下滑也令技術(shù)更新訴求更為迫切。

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心陳玠瑋表示，NAND Flash市場自2018年起，已走向供應(yīng)過剩局面，直到5G時代的到來將會有所改善。對于最新的96層QLC技術(shù)，他認(rèn)為到2020年上半年可實現(xiàn)量產(chǎn)。

有業(yè)內(nèi)人士指出，雖然NAND市場整體規(guī)模持續(xù)增加，但對主控的需求成長有限;同時主控的研發(fā)力度持續(xù)不減，隨著技術(shù)深入迭代，其投入回報比也面臨壓力越來越大的難題。

技術(shù)迭代遇上降價

今年以來，NAND Flash價格結(jié)束了過去兩年的上升態(tài)勢并轉(zhuǎn)跌，這一方面與關(guān)鍵閃存大廠此前的產(chǎn)能投入有關(guān)，也與技術(shù)更新?lián)Q代息息相關(guān)。

業(yè)內(nèi)人士指出，2018年新一輪投產(chǎn)即將開始，為了填補2016、2017年提升技術(shù)導(dǎo)致的產(chǎn)能空缺，并加大3D投產(chǎn)，三星除了有全球最大的Fab18工廠以外、還有西安工程二期，包括東芝和西部數(shù)據(jù)合資的Fab6、Fab7等來看，市場供應(yīng)將會進(jìn)一步增加。“后續(xù)隨著技術(shù)提升和產(chǎn)能增加，價格還會進(jìn)一步下滑?！?/p>

技術(shù)的迭代則顯示出，1TB時代很快將到來，最可見的表現(xiàn)便是在手機端應(yīng)用。據(jù)統(tǒng)計，今年上半年，NAND原廠的技術(shù)主要以量產(chǎn)64層TLC(三比特單元)為主，下半年部分原廠已經(jīng)轉(zhuǎn)為96層TLC或者64層QLC(四比特單元)。

“目前來看，大規(guī)模量產(chǎn)將集中在2019年上半年，量產(chǎn)容量基本是256GB或512GB，也有部分原廠采用64層QLC量產(chǎn)1TB技術(shù)，比如美光，長江存儲也計劃明年量產(chǎn)64層TLC?！睒I(yè)內(nèi)人士指出。

據(jù)介紹，目前NAND 2D極限容量已從128GB上升到64層512GB，96層會以512GB過渡，技術(shù)成熟以后量產(chǎn)到1TB技術(shù)。隨著QLC的量產(chǎn)，即使采用64層QLC也可以量產(chǎn)1T容量，這也意味著，TB時代的漸行漸近。

西部數(shù)據(jù)Device部門產(chǎn)品營銷與管理高級副總裁Christopher Bergey則表示，96層意味著更大容量和更低成本。但是3D技術(shù)之美在96層之后，還是可調(diào)的，所以未來可以看到兩個趨勢——更快速度的晶圓或者更大容量的存儲技術(shù)。

“其實在DRAM和NAND Flash之間還有很大的價格和性能的調(diào)試空間，很多供應(yīng)商都想找到一個既能滿足性能又能滿足存儲要求的產(chǎn)品。對于未來市場會怎樣，哪種產(chǎn)品最終能夠贏得市場還有待實踐?！彼a充道。

技術(shù)不斷迭代的市場可以帶來更廣闊的應(yīng)用空間，但同時也面臨投資回報成本走高的難題，多名業(yè)內(nèi)人士感慨。

美光集團副總裁Dinesh Bahal就指出，到2021年，NAND Flash市場bit(比特，信息量單位)需求總量將比2017年復(fù)合年均增長率達(dá)40%-45%，同時在企業(yè)級云端SSD(固態(tài)硬盤)、手機端和客戶級SSD方面，單個市場需求都將高于2017年的整體市場表現(xiàn)。

有數(shù)據(jù)顯示，2006-2009年間，NAND Flash的bit供應(yīng)增速可達(dá)130%-140%;而到了2011-2015年間，增速已常態(tài)化維持在40%-45%區(qū)間。這就帶來挑戰(zhàn)，2006-2015年的產(chǎn)業(yè)投入均處在相似水平，隨著年份增長，要實現(xiàn)同樣的bit供應(yīng)增速，投入的資金將越來越大，到2018年已需要250億美元，而2015年之前維持在平均100億美元水平。

群聯(lián)電子董事長潘健成也提到，NAND Flash市場很大，但主控芯片的需求卻成長有限，“比如1G用的是一個主控，100G也是一個主控，1000G還是一個主控。所以主控市場有沒有那么大?這是一個需要探討的問題?！痹趦r格下降的周期內(nèi)，主控廠商還要維持研發(fā)投入，尤其在驗證的成本耗用方面尤其明顯，投資回報率的考驗壓力越來越重。

為此，潘健成指出，群聯(lián)的做法是，所有環(huán)節(jié)內(nèi)部統(tǒng)一完成，并走定制化路線，作為上市公司，群聯(lián)每年都會維持一定的現(xiàn)金流額度。

5G時代的大存儲訴求

在5G為代表的大存儲訴求之下，閃存廠商也在通過新技術(shù)的演進(jìn)占據(jù)應(yīng)用市場賽道。

三星大中華區(qū)首席技術(shù)官裵容徹分析道，存儲在5G時代要求會更高，包括數(shù)據(jù)中心、交通設(shè)施以及移動端連接等方面，這導(dǎo)致數(shù)據(jù)流量上升，也需要更多的存儲解決方案。

目前NAND的應(yīng)用仍以SSD和嵌入式產(chǎn)品為主。據(jù)統(tǒng)計，以eMMC(嵌入式多媒體存儲卡)、UFS(通用閃存存儲)為主的嵌入式產(chǎn)品，在2018年消耗全球總產(chǎn)能的43%，到2021年，NAND Flash市場在SSD應(yīng)用領(lǐng)域的訴求年復(fù)合增長率將達(dá)45%。2018年，嵌入式產(chǎn)品和SSD產(chǎn)品合計消耗超過85%的全球總產(chǎn)能。

“過去30年電腦的架構(gòu)其實差不多，因為是以CPU為中心?？山裉斓拇鎯τ嬎阋呀?jīng)改變，因為數(shù)據(jù)中心的建立，其架構(gòu)是以存儲為中心不再是CPU。這考驗的是如何讓比如手機端更快接觸到云端，而沒有時間差別，這就需要新的架構(gòu)。也代表未來將以存儲為主，我們在產(chǎn)業(yè)中耕耘也很興奮?！被蹣s科技總經(jīng)理茍嘉章這樣向21世紀(jì)經(jīng)濟報道記者解釋。

在當(dāng)下火熱的物聯(lián)網(wǎng)方面，Christopher Bergey表示，“我們認(rèn)為未來自動駕駛會有更多SSD的需求，其實當(dāng)我們討論一個IoT產(chǎn)品會不會用到SSD的時候，更多考慮的是運算能力。在數(shù)據(jù)存儲這部分有更大容量需求的時候，SSD的應(yīng)用場景會比較顯著?！?/p>

其他應(yīng)用場景方面，西部數(shù)據(jù)嵌入集成方案產(chǎn)品市場總監(jiān)張丹向記者表示，閃存的應(yīng)用訴求將主要在于有互動的場景中，包括互聯(lián)家庭、工業(yè)領(lǐng)域，當(dāng)前安防領(lǐng)域已經(jīng)爆發(fā)。“互聯(lián)家庭場景應(yīng)用也談了好多年，今年重回人們的關(guān)注范疇，是因為前端主芯片運算能力已經(jīng)足夠可以支撐更多功能。一個典型場景是智能音箱，包括很多基于傳感方式的IoT設(shè)備?！?/p>

在閃存應(yīng)用廣泛的手機市場，雖然當(dāng)前面臨成長瓶頸，但這并不影響閃存廠商的發(fā)展。

Christopher Bergey向記者分析道，雖然手機在數(shù)量上增加程度非常小，可是手機本身的內(nèi)存量一直在增加。我們在市場上的產(chǎn)品線，剛好還是在成長的階段。一些手機廠商也在用內(nèi)存的增多來多賺取利潤。

“同時，手機端的照相、攝影、游戲等功能，導(dǎo)致對存儲容量要求越來越大，部分手機已推出512GB內(nèi)存就是一個證明。我們的機會并不在于手機本身的數(shù)量，而是手機的支持輔助功能越多，會讓儲存的市場繼續(xù)增長?！彼缡钦f。

從技術(shù)迭代方面，Christopher Bergey還指出，在手機產(chǎn)品的使用場景中，eMMC和UFS已經(jīng)應(yīng)用在高端旗艦機中，UFS的使用率更高?！拔覀円部吹揭粋€趨勢，在最大量的中端手機產(chǎn)品中，有向使用UFS技術(shù)轉(zhuǎn)變的趨勢，所以預(yù)計在明年下半年，UFS就會漸漸變成一個市場的主流。實際上，不單在手機，應(yīng)用場景比如汽車、安防領(lǐng)域也會有，只不過在這些相對比較傳統(tǒng)的領(lǐng)域，主芯片的演進(jìn)并沒有像在手機里推動那么快?！?/p>

裵容徹則預(yù)計，UFS存儲技術(shù)從2019年開始，會占據(jù)市場份額的20%以上。在NAND存儲密度上，到2030年可能達(dá)到185GB需求。