三星前幾天發(fā)布了Q3季度財(cái)報(bào)預(yù)告，指出Q3季度運(yùn)營利潤可達(dá)154.7億美元，同比大漲20%以上，將創(chuàng)造歷史新高。由于智能手機(jī)業(yè)務(wù)下滑，三星盈利大漲主要是靠內(nèi)存及閃存芯片，這部分貢獻(xiàn)的利潤占了80%以上。

現(xiàn)在形勢不同了，今年Q4季度預(yù)期內(nèi)存價(jià)格會(huì)下滑，而三星為了阻止內(nèi)存價(jià)格下滑將采取措施，日媒報(bào)道稱三星明年的資本支出將下滑8%，其中DRAM內(nèi)存投資大砍20%，三星針對(duì)DRAM產(chǎn)品不會(huì)考慮拼占有率而降價(jià)，砍投資的目標(biāo)是維持內(nèi)存高價(jià)位。

日經(jīng)新聞日前報(bào)道稱三星預(yù)估2019年DRAM內(nèi)存價(jià)格會(huì)下滑，因此為了延緩內(nèi)存降價(jià)的時(shí)間，三星將采取更為保守的政策，市場預(yù)估三星2019年在半導(dǎo)體設(shè)備上的投資額會(huì)比2018年下降。

從他們采訪的5位韓國分析師的表態(tài)來看，其中4位都認(rèn)為三星明年會(huì)砍半導(dǎo)體設(shè)備投資，另外1位認(rèn)為三星會(huì)增加投資，但增加的投資主要是面向晶圓代工業(yè)務(wù)的，針對(duì)存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)的投資還是減少的。

雖然針對(duì)存儲(chǔ)芯片的投資總體會(huì)減少，但在DRAM內(nèi)存及NAND閃存上還是有區(qū)別的。SK證券分析師認(rèn)為三星明年的半導(dǎo)體投資將減少8%，但NAND閃存投資是增加的，DRAM內(nèi)存則是大減20%，因?yàn)槿窃谶@兩個(gè)產(chǎn)品上的策略是不同的。

在NAND閃存上，三星要拼市場占有率，增加投資擴(kuò)大產(chǎn)能以便跟其他廠商搶市場，但在DRAM內(nèi)存上，三星不擔(dān)心市場占有率的問題（三星在DRAM市場上已經(jīng)是45%占有率，三家廠商中最高的了），他們的目標(biāo)是盡可能減緩內(nèi)存降價(jià)的趨勢，維持高價(jià)位，畢竟三星DRAM內(nèi)存的毛利率超過70%，降價(jià)會(huì)影響盈利，因此減少20%的投資有利于減緩內(nèi)存降價(jià)的速度，維持高價(jià)位。

三星在DRAM內(nèi)存上的的態(tài)度及減少投資的做法也不讓人意外，早前就有報(bào)道稱三星一直在努力減緩內(nèi)存降價(jià)的趨勢，該公司高管在采訪中也不斷否認(rèn)內(nèi)存需求下降的消息，力圖維持供應(yīng)緊張之態(tài)。