存儲芯片目前主要有兩種，分別是NAND flash和DRAM，今年上半年NAND flash的價(jià)格就已出現(xiàn)暴跌，DRAM維持漲勢，不過市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange給出數(shù)據(jù)指DRAM今年三季度僅上漲了2%，已呈強(qiáng)弩之末，四季度也將下跌，這意味著幫助三星贏取全球半導(dǎo)體老大地位的存儲芯片價(jià)格將整體走低，Intel可望奪回半導(dǎo)體老大的地位。

存儲芯片從供給不足到過剩

存儲芯片在2016年開始出現(xiàn)供給不足的情況，這是由于PC、智能手機(jī)等產(chǎn)品不斷增加DRAM內(nèi)存容量，PC從機(jī)械硬盤向SSD硬件轉(zhuǎn)向、智能手機(jī)的存儲容量不斷增加所導(dǎo)致，由此也引發(fā)了從那時候起的存儲芯片價(jià)格連續(xù)暴漲。

NAND flash此前主要是2D NAND技術(shù)，其提高容量的方式主要是通過提高制程工藝的方式增加容量，不過進(jìn)入到1Xnm工藝后NAND廠商發(fā)現(xiàn)繼續(xù)通過提高工藝制程面臨困難，因?yàn)楣に囋较冗M(jìn)，NAND的氧化層越薄，可靠性也越差，2014年的時候三星量產(chǎn)3D NAND flash技術(shù)，可以通過堆疊更多的層數(shù)增加容量，如此容量、性能、可靠性都有了保證。

隨后眾多NAND flash廠商紛紛跟進(jìn)，到2016年的時候陸續(xù)投產(chǎn)32層NAND flash，不過當(dāng)時受限于良率等技術(shù)問題，產(chǎn)能增加跟不上需求的增長，導(dǎo)致了NAND flash的緊缺。到了2017年，NAND flash廠商已開始投產(chǎn)64層 NAND flash，NAND flash容量、產(chǎn)能快速增長導(dǎo)致了過剩，目前它們正推進(jìn)96層NAND flash的量產(chǎn)、128層NAND flash預(yù)計(jì)在明年量產(chǎn)，供給的快速增加導(dǎo)致NAND flash今年上半年已下跌了50%。

相比起NAND flash通過技術(shù)升級迅速增加產(chǎn)生產(chǎn)能，DRAM在技術(shù)上并未取得太大的進(jìn)展，而主要是通過采用更先進(jìn)的制程工藝和增加生產(chǎn)線的方式增加產(chǎn)能，然而由于先進(jìn)的工藝制程和新的生產(chǎn)線都要巨大的投資導(dǎo)致DRAM的產(chǎn)能增長遠(yuǎn)跟不上市場需求在增加，這導(dǎo)致了DRAM的漲幅更大、時間也更長。據(jù)IC insights發(fā)布的數(shù)據(jù)，到今年8月DRAM的平均售價(jià)相較2年前增長了165%。

不過由于近兩年全球經(jīng)濟(jì)的不景氣，智能手機(jī)的增速下滑，去年全球智能手機(jī)的出貨量同比增長只有2%，PC更已連續(xù)流年下滑，而DRAM存儲芯片的價(jià)格暴漲也抑制了部分需求，到如今DRAMeXchange認(rèn)為DRAM存儲芯片的價(jià)格已漲到盡頭，在四季度可望出現(xiàn)下跌。

Intel或重奪半導(dǎo)體老大地位

三星是全球最大的存儲芯片企業(yè)，其占有NAND flash市場超過45%的市場份額，在DRAM市場也占有近四成的市場份額，存儲芯片價(jià)格的持續(xù)上漲讓它在去年取代Intel成為全球最大的半導(dǎo)體企業(yè)，而此前Intel霸占這個位置已長達(dá)24年。

2017年三星雖然超越了Intel，不過其實(shí)領(lǐng)先優(yōu)勢并不大，前者的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收為690億美元，后者的營收為630億美元，兩者的差距只有不到10%，而且三星占優(yōu)勢的存儲芯片業(yè)務(wù)存在著周期性，存儲芯片的價(jià)格一旦下跌不知何處是底，這從NAND flash短短半年時間就下跌50%可以看到。

相比之下，Intel所處的PC處理器和服務(wù)器芯片市場價(jià)格則較為穩(wěn)定，而且它在這兩個市場所取得的優(yōu)勢市場地位較三星在存儲芯片的市場地位更為穩(wěn)固，它在PC處理器占有約八成的市場份額，在服務(wù)器芯片市場更占有97%的市場份額，尤其是在服務(wù)器芯片市場由于擁有壟斷性的市場地位，從2007年至今服務(wù)器芯片價(jià)格一直穩(wěn)步上漲，而目前為止似乎尚未看到有誰可以撼動Intel在服務(wù)器芯片市場的霸主地位。

面對存儲芯片市場的快速發(fā)展，Intel也已有所行動，它與全球三大DRAM芯片廠商之一的美光合作研發(fā)了3D Xpoint存儲芯片，這是一種介于DRAM和NAND flash之間的一種獨(dú)特的存儲芯片，它正將這種存儲芯片與它的服務(wù)器芯片相結(jié)合提升服務(wù)器芯片的整體性能，同時也可以借助存儲芯片的優(yōu)勢市場地位帶動存儲芯片業(yè)務(wù)的發(fā)展，2017年它已成為全球第六大存儲芯片企業(yè)。

存儲芯片的價(jià)格下降無疑將給三星的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)帶來較大的沖擊，其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收很可能因此在四季度出現(xiàn)下降；而Intel的PC處理器業(yè)務(wù)和服務(wù)器芯片業(yè)務(wù)則可以保持穩(wěn)定，同時3D Xpoint存儲芯片業(yè)務(wù)的發(fā)展也為它帶來新的收入，因此四季度Intel重奪全球半導(dǎo)體市場老大的可能性是存在的，當(dāng)然就全年來說三星應(yīng)該還是全球半導(dǎo)體老大，到了明年Intel應(yīng)該有機(jī)會全面超越三星。