河北半導(dǎo)體研究所報道了一種大面積800μm直徑的4H-多型碳化硅（SiC）紫外（UV）雪崩光電二極管（APD），其具有高增益（106），高量子效率（81.5％）和低暗電流強(qiáng)度，紫外/可見光抑制比高達(dá)103。在本研究中，第一次使用可變溫度光致抗蝕劑回流技術(shù)來產(chǎn)生平滑的斜面?zhèn)缺?，其抑制漏電流并避免過早的邊緣擊穿。

紫外檢測在天文學(xué)，通信和生化分析上都有廣泛的應(yīng)用；在熒光實(shí)驗(yàn)和火焰中也會發(fā)射出UV線；軍事警告和制導(dǎo)系統(tǒng)可以使用可見盲的紫外線感應(yīng)來引導(dǎo)或跟蹤導(dǎo)彈羽流。

在現(xiàn)有的SiC UV APD中，當(dāng)其在較大的反向偏壓下存在大的暗電流和過早擊穿的問題。這使得目前典型的SiC UV APD直徑限制在250μm以下，降低了檢測靈敏度。研究人員將其研究出的這種大面積SiC UV APD設(shè)備視為笨重，脆弱且昂貴的光電倍增管的潛在替代品。

如圖1，外延結(jié)構(gòu)由3μm重?fù)诫sp型（p+），0.5μm輕摻雜n型倍增（n-），0.2μm n電荷，0.5μmn-吸附和0.3μmn+接觸層組成。

圖1：（a）4H-SiC APD的示意性橫截面結(jié)構(gòu)；（b）光刻膠回流技術(shù)的溫度變化和800μm直徑4H-SiC APD的斜面臺面和（插圖）頂視圖照片。

其制造開始于電感耦合等離子體（ICP）臺面蝕刻。 其間，臺面傾斜以避免邊緣擊穿效應(yīng)；用于臺面蝕刻的厚光刻膠經(jīng)回流工藝，其中晶片以5℃/分鐘的速率從90℃升溫至145℃。

可變化的溫度提供一個平滑的斜面，這不同于145°C的固定溫度回流30秒，那樣會導(dǎo)致鋸齒形表面。而鋸齒表面會增加暗電流，導(dǎo)致過早擊穿。其原因研究人員提出，固定溫度回流會產(chǎn)生不均勻的熱場，光致抗蝕劑的表面張力和回流速度會發(fā)生空間變化，從而產(chǎn)生觀察到的表面粗糙度。通過測量，可變溫度回流生產(chǎn)的APD可在156V附近保持一致的高擊穿值，但使用固定溫度回流產(chǎn)生的APD的測量值在100-150V范圍內(nèi)變化很大。

進(jìn)一步的生產(chǎn)環(huán)節(jié)包括應(yīng)用200nm熱氧化物和100nm等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）氮化硅鈍化，ICP和濕化學(xué)接觸蝕刻，鎳/鈦/鋁/金金屬觸點(diǎn)的電子束蒸發(fā)，以及850° C中金屬接觸在氮?dú)庵型嘶鹑昼?。此時完成的裝置直徑為800μm，臺面斜角小于8°。

通過140V和150V反向偏壓的暗電流測量，研究人員發(fā)現(xiàn)電流是二次取決于直徑，表明通過邊緣狀態(tài)的體泄漏而不是表面泄漏。對于800μm直徑器件，對于低反向偏壓，暗電流為1pA（0.2nA/cm2）。

圖2所示，對于365nm紫外線，成倍增益因子超過106，超過了10V反向偏壓下的“單位增益”值。在氙燈下，在274nm波長下，具有140V反向偏壓（4.2增益）的響應(yīng)峰值為0.18A/W，相應(yīng)的外量子效率計算為81.5％。在274nm和400nm處的響應(yīng)比，UV /可見光抑制比大于103。

圖2：800μm直徑4H-SiC APD的紫外檢測性能：（a）電流 - 電壓測量和計算的成倍增益; （b）對應(yīng)于140V反向電壓下的單位增益的光譜響應(yīng)。

直徑為800μm的器件的增益，量子效率和暗電流性能與小于300μm的APD相當(dāng)。