IGBT吸收電路的模型。在分析中均假定:所有二極管的通態(tài)電壓降為零,開關(guān)器件T的拖尾電流為零,開關(guān)器件T的通態(tài)電壓降為零。
發(fā)表于 05-21 09:45
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尖峰電壓和系統(tǒng) EMC 的抑制為目標(biāo)。實(shí)際應(yīng)用中,選擇緩沖吸收電路參數(shù)時(shí),為防止 SiC-MOSFET開關(guān)在開通瞬間由于吸收電容器上能量過多
發(fā)表于 04-23 11:25
貼片電解電容是電子產(chǎn)品中不可或缺的元器件之一,以其獨(dú)特的功能和緊湊的體積,在電路板設(shè)計(jì)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。本文將深入探討貼片電解
發(fā)表于 04-02 14:55
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太誘(TAIYO YUDEN)電容在EMI(電磁干擾)濾波電路中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。以下是對(duì)其作用與選型的詳細(xì)分析: 一、太誘
發(fā)表于 03-18 14:28
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1. 濾波(平滑) 在電源電路中,電容最常見的作用之一是濾波。交流電源在整流后會(huì)產(chǎn)生脈動(dòng)直流電,
發(fā)表于 11-15 10:47
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電容在電路中的作用 電容是一種能夠存儲(chǔ)和釋放電能的被動(dòng)電子元件。
發(fā)表于 11-15 10:35
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在RC吸收電路中,電阻和電容的選擇取決于多種因素,包括電路的功率需求、負(fù)載特性、開關(guān)頻率以及所需
發(fā)表于 09-18 14:58
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RC吸收電路是一種在電子電路中常見的電路結(jié)構(gòu),它主要用于抑制電路
發(fā)表于 09-18 14:52
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上面這個(gè)電路中電容C8的作用是什么呢?下面電路去掉這個(gè)電容之后仿真就不一樣了,幫忙解答一下,
發(fā)表于 08-21 08:24
。在電子電路中,晶振電路的精確性和穩(wěn)定性對(duì)于整個(gè)系統(tǒng)的性能至關(guān)重要。為了保證晶振電路能夠穩(wěn)定工作,常常會(huì)使用旁路
發(fā)表于 08-12 16:00
計(jì)算 :電容的容量應(yīng)足夠大,以有效地吸收IGBT關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的尖峰電壓。容量的選擇通常基于IGBT模塊的額定電流、母線寄生電感以及期望的吸收電
發(fā)表于 08-08 10:25
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IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。在IGBT的應(yīng)用過程中,吸收電
發(fā)表于 08-07 18:03
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)緩沖電路在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。其原理和
發(fā)表于 08-05 15:17
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)吸收電容的原理是一個(gè)復(fù)雜而重要的概念,它涉及到IGBT器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理以及電流
發(fā)表于 08-05 15:09
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IGBT模塊采用吸收電路時(shí),典型的關(guān)斷電壓波形如下圖所示。從圖中可以看出,初始浪涌電壓△U1之后,隨著吸收電容充電,瞬態(tài)電壓再次上升。第二次
發(fā)表于 08-05 14:48
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評(píng)論