ASML副總裁Anthony Yen表示，ASML已開始開發(fā)極紫外（EUV）***，其公司認(rèn)為，一旦當(dāng)今的系統(tǒng)達(dá)到它們的極限，就將需要使用極紫外***來繼續(xù)縮小硅芯片的特征尺寸。

ASML 5000將依賴于對3400系列的一系列改進(jìn)。目前英特爾、三星和臺積電等客戶都在使用3400系列。Yen在本周于舊金山舉行的IEEE國際電子器件會議（IEEE International Electron Device Meeting）上對參會的工程師們表示，最引人注目的是該機(jī)器的數(shù)值孔徑將從現(xiàn)在的0.33增加到0.55。數(shù)值孔徑是一個無量綱的數(shù)，它與聚光能力有關(guān)。數(shù)值孔徑越大意味著分辨率越高。改變EUV***的數(shù)值孔徑將需要一套更大、拋光更完美的成像鏡。

EUV光是用來自高能二氧化碳激光器的雙脈沖轟擊微小錫滴而產(chǎn)生的。第一個脈沖將錫滴重新塑造成模糊的薄餅形狀，這樣更加強(qiáng)大且與之相隔僅3微秒緊隨其后發(fā)射的第二個脈沖就可以將錫轟擊成發(fā)出13.5納米光的等離子體。然后，光被收集、聚焦，并從圖案化的掩模上反射出來，這樣圖案就會投射到硅晶圓上。

ASML提高了機(jī)器每小時可以處理的晶圓的數(shù)量，這很大程度上是通過產(chǎn)生更高的光功率來實現(xiàn)的。光功率越高意味著晶圓的曝光速度越快。在195瓦特時，它們每小時可以處理125個晶圓；今年早些時候，它們的處理速度達(dá)到了在246瓦特時每小時可處理140個晶圓。該公司全年都在對客戶的機(jī)器進(jìn)行改造，以達(dá)到更高的標(biāo)準(zhǔn)。

下一代機(jī)器將需要更高的EUV瓦數(shù)。在實驗室中，ASML已突破了410 W，但尚未達(dá)到足以滿足芯片生產(chǎn)的占空比。更強(qiáng)大的激光器將有所幫助，可能會提高錫滴被擊打的速度。在現(xiàn)在的機(jī)器中，錫滴每秒被射出5萬次，但Yen表示，錫滴發(fā)生器可以以8萬赫茲的頻率運(yùn)行。

與此同時，該公司正在改進(jìn)其3400系列的性能。新版本3400C將于2019年下半年發(fā)布，它每小時可以處理超過170個晶圓。其發(fā)展中的一個痛點(diǎn)與極其昂貴的掩膜有關(guān)，這些掩膜可以將圖案投射到硅片上。用來保護(hù)掩模免受游離粒子影響的被稱為薄膜的覆蓋物吸收了太多的光線。ASML表示，現(xiàn)有的薄膜傳輸83％的光，這將產(chǎn)量降低到了每小時116個晶圓。Yen說，目標(biāo)是將傳輸率提高到90％。但ASML也在努力研究怎樣保持機(jī)器內(nèi)部更干凈，這樣客戶就可以放心地使用沒有薄膜的掩模。

Yen表示，ASML預(yù)計到2018年底將出貨18臺機(jī)器，并計劃在2019年出貨30臺。然而，該公司本周二說，供應(yīng)商Prodrive遭遇的火災(zāi)將會使2019年的交付有所推遲。今年8月，當(dāng)GlobalFoundries宣布停止7納米芯片的研發(fā)時，ASML失去了一位知名客戶。停止研發(fā)7納米芯片的舉動使GlobalFoundries對在2017年和2018年安裝的兩臺EUV機(jī)器的需求消失了。