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臺積電3納米建廠過關(guān) 三星另一頭猛放話

MZjJ_DIGITIMES ? 來源:工程師李察 ? 2018-12-22 10:47 ? 次閱讀
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在2018年臺積電的7納米工藝領(lǐng)跑三星后,三星不甘示弱地推出于2020年3納米工藝量產(chǎn)計劃,以超車臺積電。至此,先進(jìn)工藝賽道呈現(xiàn)“你方未唱罷我已登場”的競爭態(tài)勢。

臺積電3納米廠通過環(huán)評 2022年底量產(chǎn)

根據(jù)19日***地區(qū)消息指出,晶圓代工龍頭臺積電預(yù)計斥資新臺幣6,000億元,于南科興建3納米廠的計劃已通過環(huán)境測評。

一直以來,臺積電對3納米量產(chǎn)時程處于保密狀態(tài),除了防止“對手”的投資腳步,也是因為環(huán)評案未過關(guān),避免橫生波折,如今隨著3納米環(huán)評案通過,臺積電可順利興建晶圓18廠第四到六期新廠。

按照原本臺積電的規(guī)劃,這座3納米廠將在2020年建廠,2021年試產(chǎn)、2022年量產(chǎn),將會鎖定AI人工智能芯片以及高運算效能的芯片代工廠。

三星、臺積電晶圓代工爭雄

另一方面,三星這邊也已“放話”,目前旗下的3納米廠已經(jīng)完成相關(guān)認(rèn)證,目前正在進(jìn)行相關(guān)工藝的優(yōu)化中,預(yù)計在2020年正式量產(chǎn)。倘若如期實現(xiàn)量產(chǎn),這將會比臺積電計劃量產(chǎn)的2022年還要早兩年,似乎IC江湖又將掀起一場“鏖戰(zhàn)”。

據(jù)IC insights數(shù)據(jù)顯示,2018年全球芯片代工市場出現(xiàn)了顯著的改變,三星的市場份額由2017年的6%提升至2018年14%,同比上升133.3%,成為前五大芯片代工企業(yè)當(dāng)中上升最快的。在資本與技術(shù)拉高進(jìn)入門檻下,隨著Global Foundries的退場、代工并非本業(yè)的英特爾傳出放棄代工業(yè)務(wù),7納米以下先進(jìn)工藝代工戰(zhàn)場已成為臺積電、三星晶圓代工雙雄對戰(zhàn)。

目前臺積電在2018年第2季度就搶先進(jìn)入7納米時代,至年底設(shè)計定案(Tape out)逾50個,7納米EUV工藝也準(zhǔn)備就緒,5納米將在2019年第2季如期進(jìn)行風(fēng)險試產(chǎn),2020年正式量產(chǎn),南科廠區(qū)已開始移入機臺,而3納米工藝則通過環(huán)評階段,另外,臺積電也再度重啟布局供需吃緊的8吋工藝。

相比之下,三星先前雖大動作宣布最新工藝大計,將直接推出采用EUV技術(shù)的7納米LPP工藝,現(xiàn)已研發(fā)完成,將進(jìn)入商用化階段,不過,除三星自身產(chǎn)品外,并未見重要客戶大單落袋,目前蘋果2019年A13芯片仍是由臺積電獨家代工。

不過,近日IBM宣布其最新Power處理器將由三星7納米工藝打造。其實,IBM與三星已有數(shù)年技術(shù)的合作,自2015年起IBM就宣布其IBM Research Alliance含括三星在內(nèi),并共同生產(chǎn)第一批用EUV技術(shù)打造的7納米測試芯片,其他也包括首個用于5納米以下的NanoSheet Device、High-K/Metal Gate。

競爭“轉(zhuǎn)場” 三星、臺積電封裝大比拼

除了在晶圓代工工藝上的較量,三星與臺積電也在封裝技術(shù)上比拼。此前,臺積電、三星分食的蘋果A9處理器發(fā)生“芯片門”事件后,后續(xù)的A10、A11、A12處理器均由臺積電獨家代工。

為搶回被臺積電借由整合型晶圓級扇出封裝(Integrated Fan-Out;InFO)綁定晶圓代工先進(jìn)工藝所流失的蘋果iPhone應(yīng)用處理器訂單,三星“斥巨資”投資面板級扇出型封裝(Fan-Out Panel Level Packaging;FOPLP)技術(shù)。

盡管目前三星電子尚未奪回蘋果AP大單,然近期三星電機已制訂出新的先進(jìn)封裝計劃,加上三星在存儲器、面板產(chǎn)業(yè)全方位的垂直整合營運模式,將是半導(dǎo)體供應(yīng)鏈不可忽視的競爭對手。

而臺積電方面,仍將持續(xù)堅持晶圓級工藝,包括進(jìn)入量產(chǎn)的整合10納米邏輯芯片與存儲器的InFO-PoP,2018年底將通過驗證的整合型晶圓級扇出暨基板封裝(InFO_OS)、整合晶圓級扇出存儲器基板封裝(InFO_MS)等,將切入高效運算(HPC)、網(wǎng)通芯片應(yīng)用市場。

知情人士透露,臺積電相關(guān)工藝均已有客戶導(dǎo)入,加上未來5G時代整合型晶圓級扇出天線封裝(InFO_AiP)等應(yīng)用層面相當(dāng)廣泛,新時代InFO將會陸續(xù)商品化。

隨著半導(dǎo)體先進(jìn)工藝推進(jìn),5納米、甚至3納米的藍(lán)圖的大致確立,然而摩爾定律勢必會面臨工藝微縮的物理極限,面對AI時代對于芯片算力的要求越來越高,加上整合存儲器的異質(zhì)整合趨勢,未來先進(jìn)封裝技術(shù)將會是下一個戰(zhàn)場。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:【IC制造】誰能笑傲IC江湖?臺積電3納米建廠過關(guān) 三星另一頭猛放話

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