近日，長春光機所郭春雷中美聯(lián)合光子實驗室與阿卜杜拉國王科技大學(xué)（沙特）、北卡羅來納大學(xué)教堂山分校（美國）等單位合作在制備基于鈣鈦礦的場效應(yīng)晶體管方面取得新進(jìn)展。

在過去的十年中，有機-無機雜化鈣鈦礦在光伏、光電探測、發(fā)光等領(lǐng)域的研究獲得了巨大的進(jìn)展。然而，利用鈣鈦礦材料制備經(jīng)典的器件——場效應(yīng)晶體管（FET）仍然存在巨大的挑戰(zhàn)。主要原因在于晶體管中載流子在橫向和界面的傳輸特別容易受到鈣鈦礦多晶薄膜晶面狀態(tài)和晶粒中普遍存在的缺陷的影響。基于此，郭春雷中美聯(lián)合光子實驗室的于偉利副研究員、現(xiàn)澳大利亞悉尼大學(xué)的李峰博士和瑞典查爾姆斯理工大學(xué)的于立揚博士等人采用了一種空間限域反溫度結(jié)晶的方法，合成了具有亞納米表面粗糙度和極低表面缺陷的甲基銨鹵化鉛鈣鈦礦MAPbX3(X=Cl，Br，I)薄單晶，并采用這些薄單晶制備了高效FET，研究了其載流子傳輸性質(zhì)。

制備了基于MAPbX3(X=Cl，Br和I)雜化鈣鈦礦單晶的高性能FET器件，包括底柵頂接觸（BGTC）和底柵底接觸（BGBC）兩種器件構(gòu)型。在實驗中發(fā)現(xiàn)：限制晶體生長方向?qū)τ趯㈦s化鈣鈦礦單晶集成到FET器件中至關(guān)重要。在反溫度結(jié)晶過程中的空間限域產(chǎn)生了超光滑的頂面和底面形貌，沒有明顯的晶粒界疇以及通常在自由生長的晶體和多晶薄膜中觀察到的任何其他波紋，在雜化鈣鈦礦多晶薄膜常見的形態(tài)缺陷和表面經(jīng)常發(fā)現(xiàn)的化學(xué)雜質(zhì)也得到了明顯的控制。這種方法還消除了多晶薄膜中常見的晶界（已知晶界是隧道結(jié)形成引起的橫向傳輸阻力的來源）。通過垂直限制，晶體傾向橫向生長，使它們達(dá)到毫米級或更大，并且易于橋接。半導(dǎo)體/電介質(zhì)界面具有強附著力和良好的電接觸。在室溫下容易實現(xiàn)103-105范圍的開/關(guān)比。此外，器件顯示出低的閾值電壓：在BGTC低于5V，在BGBC器件中低于2V?？偟膩碚f，跨不同鹵化物和器件結(jié)構(gòu)的最大室溫空穴(電子)遷移率范圍為2.6至4.7 (0.26至2.2) cm2 V-1s-1，平均空穴(電子)遷移率在1.5至2.9 (0.19至1.3) cm2 V-1s-1范圍內(nèi)，顯著優(yōu)于迄今報道過的基于薄膜的MAPbI3 FET器件?？偟膩碚f，這項工作證明了通過垂直限域技術(shù)生長鹵化物鈣鈦礦薄單晶并利用其制備FET器件的可行性，使得雜化鈣鈦礦成為一個可行的平臺印刷材料和透明電子材料。

該成果發(fā)表在《Nature Communication》雜志上（NatureCommunications2018, 9 (1), 5354），長春光機所郭春雷中美聯(lián)合光子實驗室的于偉利副研究員為第一作者，現(xiàn)澳大利亞悉尼大學(xué)的李峰博士和瑞典查爾姆斯理工大學(xué)的于立揚博士為共同第一作者。

該工作得到了國家自然科學(xué)基金面上項目（61705227）的支持。