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2019年存儲產(chǎn)業(yè)下滑的最大因素

XcgB_CINNO_Crea ? 來源:lq ? 2019-01-11 11:47 ? 次閱讀
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根據(jù)CINNOResearch對整體存儲供應(yīng)鏈的調(diào)查顯示,從2016年起算的存儲產(chǎn)業(yè)大多頭景氣即將劃下休止符,緊接著來的下降循環(huán)正式來到,NAND Flash和NOR Flash算是從2018 年年初就開始出現(xiàn)價格疲軟的走勢,而DRAM則是苦撐到了2018年第四季度才開始明顯出現(xiàn)下滑。從歷史來看,存儲產(chǎn)業(yè)純?nèi)痪褪且粋€景氣循環(huán)的產(chǎn)業(yè),價格漲跌、產(chǎn)業(yè)供需和投資增減環(huán)環(huán)相扣,因此雖然存儲業(yè)者在經(jīng)過幾十年的產(chǎn)業(yè)整并過程當中,在僅存的業(yè)者當中明白謹慎的擴張才是大家利益最大化的不二法門下,但面臨總體景氣變化太快的時候,總還是會不段的重復(fù)歷史。

這次影響產(chǎn)業(yè)進入下降循環(huán)最大的關(guān)鍵還是在于總體經(jīng)濟面的雜音過大以及需求面的萎縮。中美貿(mào)易戰(zhàn)持續(xù)發(fā)酵導(dǎo)致全球景氣下滑,不僅亞太地區(qū)的買氣需求急凍,連帶歐美市場的經(jīng)濟也逐漸疲軟中,導(dǎo)致原先就已飽和的智能手機市場更顯壓力,這部分從蘋果公司大幅調(diào)降第一季銷售業(yè)績已得到驗證。

而從2019年存儲器產(chǎn)業(yè)三大需求來分析,個人計算機(包含臺式機、筆記本計算機和平板計算機)的銷售原先就已經(jīng)連續(xù)三年下滑,其中主因不外乎消費型計算機的需求幾乎被智能型手機取代,雪上加霜的是2018年下半年受到英特爾CPU缺貨的沖擊,將直接影響個人計算機的需求到2019年的第二季,因此2019年個人計算機裝置出貨量也預(yù)期維持持續(xù)下滑的態(tài)勢,而重中之重的智能型手機則是面臨市場快速飽和的壓力,幾個主要品牌包含蘋果等在2019年恐將面臨出貨成長停滯甚至衰退的局面,在硬件規(guī)格差異化極速縮小以及5G大范圍普及前,整體智能型手機增長面臨壓力,而在服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的需求面上,主要受到標案量減少以及前幾年數(shù)據(jù)中心建置熱潮已過的情況下,雖然能夠維持正成長,但已不復(fù)前幾年的高速成長時期。

因此整的來說,整體經(jīng)濟面的黯淡和需求面的萎縮造就了2019年存儲產(chǎn)業(yè)下滑的最大因素。而各自存儲器產(chǎn)品的分析上,各自又呈現(xiàn)不同的情境:

DRAM

2018年上半年依舊維持出貨量成長以及平均銷售單價持穩(wěn)的情況下,縱然從第四季價格有約略10%的跌幅,但整體2018年DRAM產(chǎn)業(yè)依舊較2017年成長約30%(但已較2017年的70%年增率收斂許多)。而從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來看,DRAM三大巨頭三星、海力士與美光的獲利能力依舊,18年第三季財報顯示三大廠DRAM產(chǎn)品毛利率依舊維持六成以上的高水平表現(xiàn),預(yù)計在2019年上半年英也能維持50%以上的好表現(xiàn)。

而雖然在20納米制程以下的制程轉(zhuǎn)進速度有減緩的趨勢,再加上制成微縮幅度的邊際效應(yīng)也遞減,整體DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)出僅光靠制程轉(zhuǎn)進也頂多維持20-22%的水平,但考慮到DRAM獲利已成為各家存儲廠商的金雞母的特殊性以及2019年半導(dǎo)體業(yè)景氣確定走下坡的情況,DRAM廠商也開始未雨綢繆,對于原先資本支出的計劃開始踩剎車,然而在需求端疲軟程度依舊為最大的不確定性上來看,在整體DRAM平均銷售單價預(yù)期將較2018年下滑約23%的情況看來,2019年DRAM市場規(guī)模將較2018年下滑約1%,將是自2016年以來再度出現(xiàn)負成長。

NAND Flash

相較于穩(wěn)定的DRAM產(chǎn)業(yè),NANDFlash產(chǎn)業(yè)則明顯慘烈的許多,在各家64層堆棧的3D-NAND Flash良率普遍提升至80%以上的情況下,產(chǎn)出供給量開始顯著增長,而如前段所論述需求減緩的情況則成為壓垮駱駝的最后一根稻草,價格從2018年年初一路跌到年底,而年底的晶圓價格僅剩下年初的一半不到,讓整體2018年NAND Flash規(guī)模僅較2017年成長約5%(2017年的產(chǎn)業(yè)規(guī)模年增率約為50%)。

而不同于DRAM產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)的收斂,NAND Flash產(chǎn)業(yè)競爭者眾,在2019年還是陸續(xù)有新產(chǎn)能的加入,因此雖然價格的下滑有助于手機與筆記本計算機的閃存搭載量快速提升,但預(yù)期2019年需求成長將進一步較2018年更減少的情況下,我們預(yù)期2019年整體NAND Flash平均銷售單價將較2018年下滑約35%,整體NAND Flash市場規(guī)模將年減約5%,同時我們也認為在NAND Flash的運營壓力開始加大,廠商最快在2019年年中過后可能會有大規(guī)模的減產(chǎn)或者是與DRAM產(chǎn)品線的調(diào)整來減低風險。

NOR Flash

NOR Flash相對于DRAM與NANDFlash是市場規(guī)模相對較為淺碟的產(chǎn)業(yè),也因為NOR Flash的應(yīng)用范圍十分廣泛且應(yīng)多元化,而應(yīng)用面屬于Design-In導(dǎo)向的成份又相對較高,因此價格的漲跌幅上也不會像DRAM與一般主流的3D-NAND NAND Flash的劇烈。

從產(chǎn)業(yè)格局來看,原先規(guī)模較大的大中華區(qū)的旺宏、兆易創(chuàng)新和華邦受惠于國際大廠逐漸退出市場而紛紛占據(jù)中高容量這塊利潤較高、價格環(huán)境相對穩(wěn)定的市場,而許多大中華區(qū)新興NOR Flash廠商則是在低容量的市場做較為激烈的價格競爭,因此造成了低容量產(chǎn)品價格跌幅較深,而中高容量產(chǎn)品普遍跌幅較為趨緩的現(xiàn)象,而大致上2018年低容量NORFlash產(chǎn)品價格年跌幅達到將近30%,而一班中高容量產(chǎn)品的跌幅則是較小的20%,也讓整體2018年NORFlash市場規(guī)模教2017年成長約7%,而預(yù)期2019年NOR Flash下跌趨勢持續(xù),價格跌幅將預(yù)期與2018年跌幅類似,整體2019年NORFlash產(chǎn)值預(yù)計將年減達到5%以上。

進入2019年存儲業(yè)產(chǎn)業(yè)的好日子結(jié)束后,產(chǎn)業(yè)環(huán)境的惡化正是醞釀下一波產(chǎn)業(yè)再起的契機,好的企業(yè)透過技術(shù)的精進與成本結(jié)構(gòu)的改善來強化體質(zhì)競爭力,而其他企業(yè)也有機會透過并購與合作來創(chuàng)造更高的企業(yè)價值,我們認為在存儲產(chǎn)業(yè)應(yīng)該會有更多潛在的戰(zhàn)略合作以及并購的機會。

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原文標題:CINNO Research | 價格大幅滑落壓力增加,2019年存儲產(chǎn)業(yè)逆風前進

文章出處:【微信號:CINNO_CreateMore,微信公眾號:CINNO】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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