國內(nèi) DRAM 技術(shù)陣營福建晉華在被美方列入出口管制清單當(dāng)日，所有美系設(shè)備商全數(shù)撤出，之后甚至傳出整個工廠陷入停擺，然事實上，福建晉華仍是低調(diào)持續(xù)運轉(zhuǎn)，且最大***龍頭 ASML 默默支持并未撤出，目前由福建晉華總經(jīng)理陳正坤坐鎮(zhèn)，采“龜息大法”維持工廠正常運作。

（來源：ASML）

2018 年 10 月 29 日美國一紙禁令宣布晉華被列為出口管制清單中，隔天 30 日，美系設(shè)備、材料等供應(yīng)商全面撤出，包括機臺安裝、協(xié)助生產(chǎn)等動作也立刻停止，之后傳出連非美系的供應(yīng)商也撤出，整個 12 寸廠房呈現(xiàn)停擺狀態(tài)。

事實上，目前福建晉華的 12 寸廠房仍是低調(diào)運轉(zhuǎn)中，且***大廠 ASML 并未如外傳撤出，仍是默默支持，ASML 對 DT 君表示，會在符合各種法規(guī)要求的前提下，正常支持客戶。

很顯然地，雖然遭遇巨大沖擊和壓力，晉華也走到此一險境，但并沒有放棄 DRAM 技術(shù)計劃，現(xiàn)階段的晉華員工仍是抱著沒有退路的信念繼續(xù)做下去，戰(zhàn)到最后一刻。

受到晉華事件沖擊，國內(nèi)另一個 DRAM 技術(shù)陣營合肥長鑫的動態(tài)則是更為低調(diào)。

業(yè)界透露，合肥長鑫的 DRAM 芯片已經(jīng)研發(fā)出來，良率也不錯，但礙于眼前的“晉華風(fēng)暴”，可能會延后量產(chǎn)。

再者，由于之前不少美光前員工加入合肥長鑫的團隊，為了規(guī)避目前鋒頭正盛的 DRAM 專利侵權(quán)疑慮，長鑫也雇用不少來自前三星電子（Samsung Electronics）、 SK 海力士（SK Hynix）的韓國研發(fā)團隊，竭盡所能地淡化美系色彩。

（來源：SK海力士）

不過，傳出之前“晉華案”爆發(fā)后，這些韓籍員工返回韓國后，有被當(dāng)?shù)卣瓣P(guān)切”，顯示國內(nèi)自制存儲“芯”的風(fēng)潮，仍是處于國際間的嚴密注視中。

眼前的福建晉華幾乎是采用“龜息大法”在維持生命狀態(tài)，讓工廠的運作繼續(xù)撐下去，但來自三面的壓力仍是持續(xù)。一方面是來自美國司法部的起訴已在美國舊金山聯(lián)邦法院開庭，晉華、聯(lián)電提出無罪抗辯，爭取從美國商務(wù)部出口管制清單中移除。

面對美國司法部的起訴，晉華和聯(lián)電在美國分別尋找適合的律師協(xié)助處理該案，然而，晉華也遇到不少阻礙，主要是因為美國多家著名的律師事務(wù)所都與美系存儲大廠美光（Micron）簽約，而美光正是“晉華案”的幕后主要推手。

后來，晉華找到的律師為曾擔(dān)任聯(lián)邦檢察官的 Christine Y. Wong，聯(lián)電則是找來之前在美國歐巴馬時代，擔(dān)任聯(lián)邦司法部助理總檢察長的 Leslie R. Caldwell，作為辯護律師。

晉華遇到第二層面的壓力，則是技術(shù)合作伙伴聯(lián)電的終止 DRAM 技術(shù)開發(fā)計劃。

根據(jù)原本規(guī)劃，聯(lián)電接受晉華委托的 DRAM 技術(shù)開發(fā)計畫是在聯(lián)電南科廠進行研發(fā)，待研發(fā)成功后，該組百人的 DRAM 研發(fā)團隊將從聯(lián)電轉(zhuǎn)移至?xí)x華，只是這組人還沒轉(zhuǎn)過去，美國的出口禁令就已經(jīng)先一步出手攔截，現(xiàn)在這一組百人團隊在聯(lián)電已經(jīng)內(nèi)轉(zhuǎn)到其他部門。

除了上述的美國司法大刀、合作伙伴退出 DRAM 技術(shù)開發(fā)計畫外，晉華遇到的第三層阻礙是來自美系供應(yīng)商的撤出。

2018 年 10 月底美國出口管制禁令一出，所有美系供應(yīng)商包括 Applied Materials 、 KLA Corporation 、 Lam Research 、 Gatan 、 ECI Technology 、 Broker 、 Engegris 等全數(shù)撤出晉華，不過，部分非美系供應(yīng)商并沒有撤出，且晉華的晶圓廠仍是維持正常運作。

由于福建晉華先前已經(jīng)采購可生產(chǎn)幾千片的半導(dǎo)體機臺設(shè)備，用以支應(yīng)今年初進入小量投產(chǎn)，現(xiàn)在這些設(shè)備雖沒有美系設(shè)備商人員協(xié)助生產(chǎn)，但晉華仍是想辦法讓機臺正常運作，在耗材原物料方面，則是找韓系、日系的供應(yīng)商代替美系的料源。

再者，合肥長鑫的 DRAM 技術(shù)開發(fā)計劃是基于北京兆易創(chuàng)新、合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股簽署的《關(guān)于存儲器研發(fā)項目之合作協(xié)議》，進行 19nm 工藝研發(fā)，總預(yù)算約為 180 億元人民幣，雙方籌資比例為 1 ：4，目標是在 2018 年 12 月 31 日前實現(xiàn)產(chǎn)品良率 (測試電性良好的晶片占整個晶圓的比例) 不低于 10% 目標。

兆易創(chuàng)新也于 2018 年 12 月 28 日公告，經(jīng)溝通確認，雙方約定合作的 DRAM 研發(fā)項目將繼續(xù)推進實施。