一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評論與回復(fù)
      VIP于 到期 續(xù)費
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學(xué)習(xí)在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動

      完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      采用氮化鎵材料的電子器件在無橋PFC電路中的應(yīng)用(2)

      TI視頻 ? 來源：ti ? 2019-04-03 06:20 ? 次閱讀
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

      GaN材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術(shù)在GaN材料應(yīng)用中的進展和關(guān)鍵薄膜生長技術(shù)的突破，成功地生長出了GaN多種異質(zhì)結(jié)構(gòu)。用GaN材料制備出了金屬場效應(yīng)晶體管（MESFET）、異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管(HFET)、調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管（MODFET）等新型器件。

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
      • ti
        ti
        +關(guān)注

        關(guān)注

        113

        文章

        8030

        瀏覽量

        214924
      • 氮化鎵
        +關(guān)注

        關(guān)注

        61

        文章

        1795

        瀏覽量

        118043
      • MOSEFT
        +關(guān)注

        關(guān)注

        0

        文章

        35

        瀏覽量

        4681
      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

        評論

        相關(guān)推薦
        熱點推薦

        氮化鎵器件在高頻應(yīng)用中的優(yōu)勢

        氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率，主要歸功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。
        的頭像 發(fā)表于 06-13 14:25 ?690次閱讀
        <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>在</b>高頻應(yīng)用<b class='flag-5'>中</b>的優(yōu)勢

        如何在開關(guān)模式電源中運用氮化鎵技術(shù)

        完整的外部電路。圖3展示了用于在LTspice中進行評估的LT8418原理圖。 圖3.在LTspice仿真環(huán)境中評估采用GaN電源開關(guān)的S
        發(fā)表于 06-11 10:07

        無橋PFC變換器綜述

        利用開關(guān)代替橋臂二極管，減小了導(dǎo)通路徑開關(guān)器件的損耗，從而提高了效率。直到2002年，意法半導(dǎo)體公司首次將無橋PFC變換器方案應(yīng)用到實際產(chǎn)品
        發(fā)表于 03-13 13:50

        京東方華燦光電氮化鎵器件的最新進展

        日前，京東方華燦的氮化鎵研發(fā)總監(jiān)馬歡應(yīng)半導(dǎo)體在線邀請，分享了關(guān)于氮化鎵器件的最新進展，引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注。隨著全球半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?、高?/div>
        的頭像 發(fā)表于 03-13 11:44 ?825次閱讀

        氮化鎵（GaN）充電頭安規(guī)問題及解決方案

        器件的性能，使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現(xiàn)突破，成為快充技術(shù)的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優(yōu)勢：1.體積更小，功率密度更高材料特性
        的頭像 發(fā)表于 02-27 07:20 ?1100次閱讀
        <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>（GaN）充電頭安規(guī)問題及解決方案

        氮化硼散熱材料大幅度提升氮化鎵快充效能

        器件的性能，使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現(xiàn)突破，成為快充技術(shù)的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優(yōu)勢：1.體積更小，功率密度更高材料特性
        的頭像 發(fā)表于 02-26 04:26 ?548次閱讀
        <b class='flag-5'>氮化</b>硼散熱<b class='flag-5'>材料</b>大幅度提升<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充效能

        氮化鎵充電器和普通充電器有啥區(qū)別？

        相信最近關(guān)心手機行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后
        發(fā)表于 01-15 16:41

        碳化硅SiC在電子器件中的應(yīng)用

        隨著科技的不斷進步，電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅（Si）材料在某些應(yīng)用中已經(jīng)接近其物理極限，尤其是在高溫、高壓和高頻領(lǐng)域。碳化硅（
        的頭像 發(fā)表于 11-25 16:30 ?1901次閱讀

        無橋PFC工作原理和電路結(jié)構(gòu)

        無橋PFC（Power Factor Correction，功率因數(shù)校正）技術(shù)是一種廣泛應(yīng)用于電源電路的技術(shù)，旨在提高電源的功率因數(shù)，從而改善電源的有效使用效率。本文將詳細介紹
        的頭像 發(fā)表于 10-29 17:25 ?4504次閱讀

        新品 | 3300W無橋圖騰柱PFC參考設(shè)計

        新品3300W無橋圖騰柱PFC參考設(shè)計REF_3K3W_TP_SIC_TOLL3300W無橋圖騰柱PFC
        的頭像 發(fā)表于 10-17 08:03 ?1196次閱讀
        新品 | 3300W<b class='flag-5'>無</b><b class='flag-5'>橋</b>圖騰柱<b class='flag-5'>PFC</b>參考設(shè)計

        分立器件在45W氮化鎵快充產(chǎn)品中的應(yīng)用

        成為市場上的新勢力。通常，氮化鎵充電器具有高效率、高功率密度、節(jié)能環(huán)保、熱量控制優(yōu)秀、便攜性強、體積小、重量輕、充滿電時間短等優(yōu)點，很多高端電子產(chǎn)品配置了氮化
        的頭像 發(fā)表于 09-12 11:21 ?847次閱讀
        分立<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>在</b>45W<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充產(chǎn)品<b class='flag-5'>中</b>的應(yīng)用

        氮化鎵和砷化鎵哪個先進

        景和技術(shù)需求。 氮化鎵（GaN）的優(yōu)勢 高頻與高效率 ：氮化鎵具有高電子遷移率和低電阻率，使得它在高頻和高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。例如，
        的頭像 發(fā)表于 09-02 11:37 ?5399次閱讀

        碳化硅與氮化鎵哪種材料更好

        引言 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種具有重要應(yīng)用前景的第三代半導(dǎo)體材料。它們具有高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高擊穿場強等優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，被廣泛應(yīng)用于高溫、高頻、高功率等極端環(huán)
        的頭像 發(fā)表于 09-02 11:19 ?2337次閱讀

        有橋pfc與無橋pfc的區(qū)別是什么

        有橋PFC（Power Factor Correction，功率因數(shù)校正）和無橋PFC是兩種不同的功率因數(shù)校正技術(shù)。它們
        的頭像 發(fā)表于 08-11 14:55 ?5912次閱讀

        無橋pFc電路電流檢測電路的作用

        引言 電力電子技術(shù)是現(xiàn)代電力系統(tǒng)的重要組成部分，其核心是實現(xiàn)電能的有效轉(zhuǎn)換和控制。在電力電子電路中，電流檢測是保證電路正常運行和故障診斷的關(guān)
        的頭像 發(fā)表于 08-11 14:54 ?1481次閱讀