寬帶隙WBG功率晶體管的性能測試與挑戰(zhàn)

功率電子技術的快速發(fā)展，得益于寬帶隙(WBG)半導體材料的進步，尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比，這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導率和更快的開關速度。這些特性使得

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逆變電路中功率器件的損耗分析

在研究逆變電路的損耗時，所使用的功率器件選型也非常重要。不僅要實現(xiàn)預期的電路工作和特性，同時還需要進行優(yōu)化以將損耗降至更低。本文將功率器件的損耗分為

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碳化硅功率器件的散熱方法

產(chǎn)生大量熱量，如果散熱不良，會導致器件性能下降甚至失效。因此，高效的散熱方法對于確保碳化硅功率器件的穩(wěn)定運行至關重要。本文將詳細介紹碳化硅

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碳化硅(SiC)功率器件在航空與航天領域的應用與技術前景

功率轉換器中具有許多優(yōu)勢，例如提高功率密度和效率，因此可能非常適合于空間應用。然而，這些WBG器件的抗輻射性能需要被仔細考慮。本文概述了在飛

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原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應用

本文小編分享一篇文章，本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應用，本文介紹了原子層鍍膜技術在碳化硅功率器

發(fā)表于 10-15 15:21 ?829次閱讀

WBG 器件給柵極驅動器電源帶來的挑戰(zhàn)

：RECOM 眾多 DC/DC 模塊針對 WBG 柵極驅動器應用進行優(yōu)化中的一部分 SiC 和 GaN 是寬帶隙 (WBG) 半導體材料，因其開關更快且損耗更低，相較于傳統(tǒng)硅 (Si) 在電力電子應用領域更具優(yōu)勢。對于需要關鍵考

發(fā)表于 09-27 15:05 ?1079次閱讀

碳化硅功率器件的優(yōu)越性能

碳化硅（SiC）功率器件是近年來半導體行業(yè)中的重要發(fā)展方向。相比傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件，SiC功率器件

發(fā)表于 09-13 10:59 ?711次閱讀

如何通過創(chuàng)新封裝技術提升功率器件性能

由于對提高功率密度的需求，功率器件、封裝和冷卻技術面臨獨特的挑戰(zhàn)。在功率轉換過程中，高溫和溫度波動限制了設備的最大功率能力、系統(tǒng)

發(fā)表于 09-03 10:37 ?913次閱讀

功率器件功率循環(huán)測試原理詳解

了爆發(fā)式的增長。與消費電子市場相比，車規(guī)級功率半導體器件所面臨的挑戰(zhàn)更為嚴峻，因其需要在高工作結溫、高功率密度和高開關頻率等嚴苛條件下穩(wěn)定運行，同時還需要在更為惡劣的使用環(huán)境中保持出色

發(fā)表于 08-12 16:31 ?2977次閱讀