WBG功率器件的設(shè)計(jì)考慮
新興的寬禁帶(WBG)碳化硅和氮化鎵功率器件越來越廣泛地應(yīng)用在電力電子產(chǎn)品中來提升效率和功率密度. 培訓(xùn)內(nèi)容介紹了WBG功率器件特性, 及應(yīng)用. 并且詳細(xì)的分析了開關(guān)性能,損耗計(jì)算以及測(cè)試,仿真技巧.
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
ti
+關(guān)注
關(guān)注
113文章
8030瀏覽量
214956 -
功率器件
+關(guān)注
關(guān)注
42文章
1933瀏覽量
92762 -
氮化鎵
+關(guān)注
關(guān)注
61文章
1796瀏覽量
118061
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
電源功率器件篇：線路寄生電感對(duì)開關(guān)器件的影響
、降低線路寄生電感影響的方案
1、優(yōu)化PCB布局設(shè)計(jì)
▍縮短功率回路路徑
? 將功率開關(guān)器件、直流母線電容、驅(qū)動(dòng)電路等盡可能靠近布局，減少功率回路的面積。
? 采用雙面布線的方式，在
發(fā)表于 07-02 11:22
功率器件電鍍的原理和步驟
在功率半導(dǎo)體制程里，電鍍扮演著舉足輕重的角色，從芯片前端制程到后端封裝，均離不開這一關(guān)鍵工序。目前，我國(guó)中高檔功率器件在晶圓背面金屬化方面存在技術(shù)短板，而攻克這些技術(shù)難題的關(guān)鍵在于電鍍。借助電鍍實(shí)現(xiàn)
浮思特 | 從硅基到寬禁帶：逆變器功率器件的代際跨越與選型策略
主導(dǎo)著逆變器設(shè)計(jì)領(lǐng)域。然而，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件的出現(xiàn)正在重塑行業(yè)格局。這些器件具有更高效率、更大功率
寬帶隙WBG功率晶體管的性能測(cè)試與挑戰(zhàn)
功率電子技術(shù)的快速發(fā)展，得益于寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料的進(jìn)步，尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比，這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導(dǎo)率和更快的開關(guān)速度。這些特性使得功率
功率器件是什么意思
功率器件，作為現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)中的核心組件，扮演著至關(guān)重要的角色。它們不僅能夠承受和控制較大的電流、電壓，還廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)、工業(yè)控制、電動(dòng)汽車、通信設(shè)備等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)探討功率器件
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)
功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，不僅有助于提高
碳化硅(SiC)功率器件在航空與航天領(lǐng)域的應(yīng)用與技術(shù)前景
功率轉(zhuǎn)換器中具有許多優(yōu)勢(shì)，例如提高功率密度和效率，因此可能非常適合于空間應(yīng)用。然而，這些WBG器件的抗輻射性能需要被仔細(xì)考慮。本文概述了在飛
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十二）——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十一）——功率半導(dǎo)體器件的功率端子
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十）——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)
樣品活動(dòng)進(jìn)行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（六）——瞬態(tài)熱測(cè)量
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，
為什么WBG材料是5G系統(tǒng)未來發(fā)展的關(guān)鍵?
電力半導(dǎo)體正在顯著影響下一代網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料在電信系統(tǒng)中的集成正在成為支持和增強(qiáng)5G基礎(chǔ)設(shè)施的戰(zhàn)略解決方案。在連接性方面，WBG半導(dǎo)體相較于傳統(tǒng)硅設(shè)備具有顯著優(yōu)勢(shì)，使其成為
WBG 器件給柵極驅(qū)動(dòng)器電源帶來的挑戰(zhàn)
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電源必須滿足這些寬帶隙半導(dǎo)體的獨(dú)特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應(yīng)用中設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)器電源時(shí)需要考慮的關(guān)鍵因素。 圖 1
發(fā)表于 09-27 15:05
?1079次閱讀
碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用
碳化硅（SiliconCarbide，簡(jiǎn)稱SiC）功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率
IGBT功率器件功耗
IGBT等功率電子器件在工作中，由于自身的功率損耗，將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個(gè)，一是
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論