近日，據(jù)外媒報道，一個國際研究團隊報告說，在制造納米芯片方面取得了突破性進展。這一突破可能對納米芯片的生產(chǎn)和全球各地的納米技術實驗室產(chǎn)生深遠的影響?？茖W家們正在探索越來越小、更快的半導體二維材料。該研究小組由美國紐約大學坦頓工程學院化學和生物分子工程教授Riedo領導。

據(jù)紐約大學國際研究小組報告，原子微處理器制造技術取得了突破性的進展，這可能對納米芯片的生產(chǎn)以及正在探索的二維材料制造技術產(chǎn)生深遠的影響。

紐約大學坦頓工程學院化學和生物分子工程教授Elisa Riedo領導的研究小組在最新一期的《Nature Electronics》雜志上發(fā)表了這一研究成果。

他們證明，在二維半導體材料二硫化鉬(MoS2)的金屬電極制造技術上，采用100攝氏度探針光刻技術效果優(yōu)于標準的制造技術?？茖W家們認為，這種過渡金屬可能會取代硅，成為原子級芯片的材料之一。該小組新的制造技術-熱掃描探針光刻技術（t-SPL）-與當前的電子束光刻技術（EBL）相比具有明顯的優(yōu)勢。

首先，熱光刻技術顯著的提升了二維晶體管的質量，抵消了肖特基勢壘對電子流動的阻礙。此外，與電子束光刻技術不同，熱光刻技術使芯片設計人員能夠對二維半導體材料成像，并對電極進行圖像化處理。同時，熱光刻技術可以節(jié)省大量的初始成本和操作成本：通過在環(huán)境條件下工作，極大地降低了功耗，無需高能電子和超高真空。最后，利用平行熱探頭技術可以很容易的將這項技術推廣到整個工業(yè)生產(chǎn)中。

Riedo希望熱光刻技術能將大部分制造技術從潔凈室轉移到實驗室，這便于快速的推進材料科學和芯片設計的發(fā)展。3D打印技術就是一個最好的例子：有一天，熱光刻技術的分辨率達到10nm，可使用120伏的標準電源，熱光刻技術就會像3D打印技術一樣出現(xiàn)在實驗室。

《Nature Electronics》雜志2019年1月版刊登了“利用熱納米光刻技術在單層MoS2上制模金屬觸點打破肖特基壁壘”。

Riedo在熱探頭方面的研究可以追溯到十多年前，首先是在IBM的研究中心-蘇黎世，然后是在由前IBM研究人員創(chuàng)立的SwissLitho。他們開發(fā)了一種基于SwissLitho系統(tǒng)的工藝流程，并應用于當前的研究。她與論文的第一作者Xiaorui Zheng、博士后Annalisa Calo以及居里夫人獎學金獲得者Edoardo Albisetti在紐約城市大學高級科學研究中心(ASRC)，共同探索熱光刻技術在金屬納米制造中的應用。