據(jù)韓媒每日經(jīng)濟報導，三星平澤2號產(chǎn)線正在進行地下結(jié)構(gòu)工程，決定投資興建平澤半導體廠2號產(chǎn)線，欲生產(chǎn)DRAM，預計將在2019年底完工，2020年正式啟用投產(chǎn)。

2018年原廠三星、東芝/西部數(shù)據(jù)、美光/英特爾、SK海力士等不僅在96層和QLC創(chuàng)新技術(shù)上展開激烈競爭，更是在投資、建廠、擴產(chǎn)等方面拉開戰(zhàn)局。然而，由于NAND Flash市場供過于求，價格大跌，影響原廠獲利，為了改變市況，F(xiàn)lash原廠在2018年底不得不采取減少產(chǎn)出，或減緩投資計劃等策略。

不僅僅是NAND Flash，DRAM市場也是供過于求，未來DRAM仍存在較大的市場跌價風險。三星電子總計投資30兆韓元(約267億美元)，欲建設(shè)全球最大半導體生產(chǎn)基地。目前平澤1-1產(chǎn)線生產(chǎn)NAND Flash，1-2產(chǎn)線生產(chǎn)DRAM。三星擴大DRAM產(chǎn)能，是為了擴大市占率。

另一方面，市場經(jīng)過一定時間的供需調(diào)整，再加上2019年新一代的旗艦機產(chǎn)品紛紛推出，尤其是三星、華為、OPPO、小米等5G手機、折疊手機等引爆市場商機，且搭載的Mobile DRAM容量向12GB升級，NAND Flash容量提高到1TB，將對存儲芯片需求快速增加。

三星曾表示，2019年首季因為處于淡季，需求會有所下滑，但第2季DRAM的庫存調(diào)整結(jié)束后，預計市場需求就會逐漸恢復，再加上第二季度新CPU的推出，服務(wù)器高容量DRAM需求增長穩(wěn)定，將帶動DRAM需求在Q2增加。

在NAND Flash方面，原廠96層3D NAND技術(shù)將單顆Die容量提升到1Tb，2019年NAND Flash供應(yīng)會持續(xù)增加，為了避免再現(xiàn)供過于求的窘境，三星推出的Galaxy S10系列將容量升級到1TB容量，開啟旗艦機配置新標桿，推動市場需求增加。