電源抑制比的基本知識(shí)及如何降低噪音
視頻簡(jiǎn)介：圖像傳感器的圖像質(zhì)量直接受到高頻、高PSRR LDO穩(wěn)壓器的影響。本網(wǎng)上廣播講解電源抑制比(PSRR)的基本知識(shí)，以及在您的圖像傳感器設(shè)計(jì)中如何最大程度地降低噪聲。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
電源
+關(guān)注
關(guān)注
185文章
18372瀏覽量
256340 -
穩(wěn)壓器
+關(guān)注
關(guān)注
24文章
4681瀏覽量
96183 -
圖像傳感器
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
1981瀏覽量
130738
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
什么是共模抑制比？
共模抑制比詳解在探頭的數(shù)據(jù)手冊(cè)上，共模抑制比性能參數(shù)是核心指標(biāo)之一。共模抑制比又名CMRR，通常用分貝（dB）來(lái)表示，其計(jì)算公式為：其中其中本司光隔離產(chǎn)品CMRR在直流或低頻下能達(dá)到120dB以上
海洋儀器電源抑制比測(cè)試方案26800元起
在電子技術(shù)日新月異的今天，電源抑制比（PowerSupplyRejectionRatio，簡(jiǎn)稱PSRR）宛如一把精準(zhǔn)的標(biāo)尺，衡量著電子電路對(duì)電源噪聲和電壓波動(dòng)的
ups不間斷電源—輕松搞定UPS（不間斷電源）噪音大難題
一、檢查負(fù)載情況
1. 降低負(fù)載：檢查UPS（不間斷電源）所承載的負(fù)載是否超過(guò)其設(shè)計(jì)的額定容量。如果負(fù)載過(guò)大，建議降低負(fù)載以減輕（不間斷電源）的工作壓力，從而
ISL28006：測(cè)量共模和電源抑制比
雖然電流檢測(cè)放大器(如ISL28006)的數(shù)據(jù)手冊(cè)以電氣規(guī)格的形式展示了器件性能，但有時(shí)客戶需要通過(guò)基準(zhǔn)測(cè)試來(lái)確認(rèn)電氣參數(shù)。尤其重要的是共模抑制比(CMRR)和電源抑制比(PSRR)，
LM723低噪音電源制作參考資料
LM723改變一些外圍元件參數(shù)，可以實(shí)現(xiàn)非常低噪音的電源，可以適合使用在HI FI音頻系統(tǒng)
發(fā)表于 01-12 13:40
?5次下載
耦合器的噪音控制技術(shù) 耦合器性能測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)與方法
率的材料可以減少信號(hào)傳輸過(guò)程中的噪音。 設(shè)計(jì)優(yōu)化 ：通過(guò)優(yōu)化耦合器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，如調(diào)整耦合器的尺寸和形狀，可以減少寄生電容和電感，從而降低噪音。 屏蔽技術(shù) ：使用屏蔽材料可以減少外部電磁干擾對(duì)耦合器的影響，降低噪音。
詳解LDO電路的電源抑制比
電源抑制（Power Supply Rejection）能力是SoC系統(tǒng)中電源模塊很重要的指標(biāo)，在當(dāng)今數(shù)字和模擬電路高度集成的趨勢(shì)下，一個(gè)能提供穩(wěn)定輸出電壓的系統(tǒng)模塊顯得尤為重要，而這個(gè)模塊又很容易受到供電
使用PCM5242，當(dāng)喇叭輸出最大音量時(shí)伴有“沙，沙”低噪音，爆破音很大怎么解決？
使用PCM5242，當(dāng)喇叭輸出最大音量時(shí)伴有“沙，沙”低噪音，爆破音很大
功放前端4通道波形信號(hào)1khz時(shí)很完美，功放后端失真披鋒較多，看情況應(yīng)該是后端問(wèn)題，請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有什么建議？
發(fā)表于 10-10 08:23
堆棧和內(nèi)存的基本知識(shí)
本文主要聊聊關(guān)于堆棧的內(nèi)容。包括堆棧和內(nèi)存的基本知識(shí)。常見和堆棧相關(guān)的 bug，如棧溢出，內(nèi)存泄漏，堆內(nèi)存分配失敗等。后面介紹軟件中堆棧統(tǒng)計(jì)的重要性，以及如何使用工具工具軟件中堆棧使用的范圍，并給出在軟件開發(fā)中，如何降低堆棧問(wèn)題，優(yōu)化堆棧的一些實(shí)踐。
影響電路共模抑制比的因素有哪些？如何去提高電路的共模抑制比？
此電路用來(lái)檢測(cè)腦電波的信號(hào)，性能要求此電路的共模抑制比要達(dá)到不低于80dB，而現(xiàn)在實(shí)測(cè)只能達(dá)到67dB，想知道，影響電路共模抑制比的因素有哪些？如何去提高電路的共模抑制比？
發(fā)表于 08-20 07:21
運(yùn)放的共模抑制比和電源抑制比對(duì)輸出精度的影響是什么？
的共模抑制比為120dB,單純考慮共模抑制比的影響電流60A，運(yùn)放輸出值理論為Vo=0.0335*60,該怎么計(jì)算輸出的誤差呢？Gain取大于1和小于1影響是怎么樣的？
2、電源抑制比
發(fā)表于 08-15 07:43
如何理解運(yùn)放的電源抑制比參數(shù)？
電源抑制比PSRR有三個(gè)參數(shù)，如OPA333
1、電源抑制比為1uV/V
2、長(zhǎng)期穩(wěn)定性為1uV
3、通道分離，直流為0.1uV/V
特
發(fā)表于 08-12 06:37
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論