SK海力士近日公布了第一顆DDR5-6400內(nèi)存芯片，頻率高達(dá)6400MHz，是現(xiàn)在多數(shù)DDR4內(nèi)存的兩倍左右，而單顆容量為16Gb(2GB)。

SK海力士的這種DDR5-6400內(nèi)存采用1ynm工藝制造，也就是第二代10nm級(jí)別工藝(DRAM工藝現(xiàn)在極少明確到個(gè)位數(shù))，四個(gè)金屬層，面積為76.22平方毫米。

這是什么概念呢？

SK海力士此前的第一代21nm工藝8Gb(1GB) DDR4內(nèi)存芯片面積是76平方毫米，等于如今在同樣的面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)了兩倍的容量，存儲(chǔ)密度翻了一番。

不過，76.22平方毫米仍然是相當(dāng)大的面積，成本肯定很高，后續(xù)仍依賴于工藝的進(jìn)步，比如第二代21nm工藝的8Gb DDR4就縮小到了53.6平方毫米，足足30％。

當(dāng)然了，翻番的存儲(chǔ)密度可以有效抵消上漲的成本，更何況還可以做出更小的4Gb芯片。

另外，新內(nèi)存的工作電壓僅為1.1V，相比于DDR4標(biāo)準(zhǔn)的1.2V又降低了大約8％，而很多高頻DDR4內(nèi)存都要加到1.35V甚至是很危險(xiǎn)的1.5V。

為了達(dá)成6400MHz高頻率、1.1V低電壓，SK海力士在電路設(shè)計(jì)上費(fèi)了不少心思，比如為了減少高頻下的時(shí)鐘抖動(dòng)、時(shí)鐘占空比失真，加裝了新的延遲鎖定環(huán)DLL，使用了相位旋轉(zhuǎn)器(phase rotator)、注頻鎖相振蕩器(injection locked oscillator)。

另外還有新的前向反饋均衡(FFE)電路，以及新的寫入均衡訓(xùn)練算法。

目前，三星電子、SK海力士、美光等巨頭都在沖刺DDR5，但是行業(yè)規(guī)范遲遲沒能定下來，原計(jì)劃2018年底出爐現(xiàn)已嚴(yán)重超時(shí)，而且JEDEC組織一直沒有給出新的時(shí)間表。

而在另一方面，針對(duì)智能手機(jī)等低功耗便攜式設(shè)備的LPDDR5都已經(jīng)搞定了。