4月16日，三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術開發(fā)，現(xiàn)已準備好向客戶提供樣品。

與7納米工藝相比，三星的5納米FinFET工藝技術提供了高達25%的邏輯面積效率提升。同時由于工藝改進，其功耗降低了20%、性能提高了10%，從而使芯片能夠擁有更具創(chuàng)新性的標準單元架構(gòu)。

跨越到5納米工藝，除了在功率性能區(qū)域（PPA）的數(shù)據(jù)提高之外，客戶還可以充分利用EUV（極紫外光刻）技術，推動產(chǎn)品接近性能極限。

除此之外，還可以將7納米的相關知識產(chǎn)權重用到5納米工藝上，使得客戶從7納米向5納米過渡時可以大幅降低成本，縮短5納米產(chǎn)品的開發(fā)周期。

三星表示，自2018年第四季度以來，三星5納米產(chǎn)品就擁有了強大的設計基礎設施，包括工藝設計工具、設計方法、電子設計自動化工具和IP。此外，三星晶圓廠已經(jīng)開始向客戶提供5納米多項目晶圓服務。

2018年10月，三星宣布將首次生產(chǎn)7納米制程芯片，這是三星首個采用EUV光刻技術的產(chǎn)品。目前，三星已于今年年初開始批量生產(chǎn)7納米芯片。

除了7納米與5納米之外，三星還在與客戶開發(fā)6納米芯片，同樣是一種基于EUV技術的芯片產(chǎn)品。