IGBT基本工作原理
IGBT的工作原理
IGBT由柵極（G）、發(fā)射極（E）和集電極（C）三個極控制。如圖1，IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。由圖2可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。
圖1 IGBT 結構圖
圖2 IGBT電氣符號（左）與等效的電路圖（右）
如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓，即驅動電壓過低則IGBT不能穩(wěn)定的工作，如果過高甚至超過柵極—發(fā)射極之間的耐壓，則IGBT可能會永久損壞。同樣，如果IGBT集電極與發(fā)射極之間的電壓超過允許值，則流過IGBT的電流會超限，導致IGBT的結溫超過允許值，此時IGBT也有可能會永久損壞。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
IGBT
+關注
關注
1276文章
3932瀏覽量
252672
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
電機控制中IGBT驅動為什么需要隔離？
在探討電機控制中IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)驅動為何需要隔離的問題時，我們首先要了解IGBT的基本工作原理及其在電機控制中的應用，進而分析隔離技術在其中的重要性。 IGBT是一種結合
IGBT正弦波調光器的工作原理和優(yōu)勢
IGBT正弦波調光器是一種用于調節(jié)燈光亮度的設備，其工作原理主要基于IGBT的開關特性和對正弦波信號的控制。
IGBT工作原理及應用
發(fā)表于 03-10 11:50
IGBT工作原理
發(fā)表于 03-10 11:49
IGBT的工作原理和工作特性
發(fā)表于 03-10 11:45
IGBT輸出是交流還是直流
（DC），這取決于它在電路中的應用和連接方式。 IGBT的工作原理 IGBT結合了MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的高輸入阻抗和BJT（雙極型晶體管）的低導通壓降的優(yōu)點。它的結構包括一個MOSFET和一個BJT的組合
igbt芯片vce與結溫的關系
，它們之間存在密切的關系。 一、IGBT的工作原理 IGBT是一種電壓驅動型半導體器件，其結構由N型襯底、P型基區(qū)、N+型發(fā)射區(qū)、N型溝道區(qū)、P型柵區(qū)和N+型源區(qū)組成。IGBT的
igbt必須加吸收電容嗎為什么
取決于具體的應用場景和設計要求。 IGBT的工作原理和特性 IGBT是一種電壓驅動型功率半導體器件，具有MOSFET和BJT的優(yōu)點。其結構由N+襯底、P基區(qū)、N+發(fā)射區(qū)、P+注入?yún)^(qū)、N溝道區(qū)、P型絕緣層和金屬柵極組成。
igbt功率管寄生電容怎么測量大小
的基本概念 1.1 IGBT的結構和工作原理 IGBT是一種電壓驅動型功率器件，其結構由N-外延層、P-基區(qū)、N+-發(fā)射區(qū)和絕緣柵極組成。IGBT的
igbt模塊與mos的區(qū)別有哪些
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是兩種常見的功率半導體器件，它們在許多應用中都有廣泛的應用。 工作原理 IGBT和MOSFET的工作原理都基于
igbt功率管柵極和集電極并聯(lián)電容的作用
的電路設計方法。 一、IGBT的工作原理 IGBT是一種集MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）和BJT（雙極型晶體管）優(yōu)點于一身的功率半導體器件。其結構如圖1所示，主要由柵極（Gate
igbt如何選擇合適的驅動電壓
IGBT的正常工作至關重要。 IGBT的工作原理 IGBT是一種三端子器件，包括柵極（Gate）、集電極（Collector）和發(fā)射極（Em
igbt驅動電壓有尖峰和低峰嗎
導通壓降和快速開關速度等特點。在IGBT的應用中，驅動電壓是一個關鍵參數(shù)，它直接影響到IGBT的開關特性和可靠性。 一、IGBT的基本工作原理 IG
igbt驅動電壓過高過低的后果
IGBT的工作原理和結構 IGBT是一種三端子功率半導體器件，由N型外延層、P型襯底、N型緩沖層、P型集電區(qū)、N型發(fā)射區(qū)、柵極和發(fā)射極組成。IGBT的
工商網(wǎng)監(jiān)
評論