三星電子宣布將在2030年之前投資約1157億美元 增強在晶圓代工上的競爭實力
4月24日，三星電子官方宣布，將在2030年之前投資133萬億韓元（約1157億美元），以增強公司在系統(tǒng)大規(guī)模集成（System LSI）與晶圓代工上的競爭實力。
其中，73萬億韓元將用于技術(shù)研發(fā)，60萬億韓元用于建設(shè)晶圓廠等基礎(chǔ)設(shè)施。三星表示，這一決定也將創(chuàng)造1.5萬個就業(yè)機會。
三星計劃，每年投資約11萬億韓元，以助力公司在2030年成為全球領(lǐng)先的存儲器與邏輯芯片廠商。
三星業(yè)務(wù)中，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)占比很高，可分為存儲器與邏輯芯片兩大市場。
其中，三星在存儲器領(lǐng)域保持領(lǐng)先優(yōu)勢。集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）指出，2018年第四季度，三星DRAM業(yè)務(wù)在全球市占率為41.3%，NAND Flash在全球市占率為30.4%。
邏輯芯片方面，三星除了自產(chǎn)的Exynos處理器及其他專用領(lǐng)域芯片，還有幫其他半導(dǎo)體廠商代工。
集邦咨詢旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新報告顯示，在全球芯片代工領(lǐng)域，三星擁有19.1%的市場份額，僅次于臺積電，排名第二。
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