臺積電和三星電子（Samsung Electronics）又隔空火拼了起來。

三星宣布已完成 5nm FinFET 技術(shù)的開發(fā)，并宣稱有能力為客戶提供樣品，更透露第一個 6nm 客戶已進(jìn)入流片。此舉激得臺積電也在傍晚公開全新 6nm (N6) 技術(shù)一事，宣布在 2020 年首季試產(chǎn)，這是臺積電首次對外公開 6nm 的信息。

4 月 16 日，三星宣布的一連串技術(shù)進(jìn)展，信息量龐大：

首先，三星宣布其基于 EUV 光刻技術(shù)的 5nm FinFET 工藝技術(shù)完成開發(fā)，且距離 2018 年 10 月在 7nm 工藝中導(dǎo)入 EUV 技術(shù)，僅相隔六個月，其 5nm 相比 7nm 減少 25％的面積，以及提升 10％性能，并帶來 20％的功耗降低。

三星也首度透露，其 5nm 芯片是采用 Smart Diffusion Break (SDB) 晶體管設(shè)計(jì)架構(gòu)。

三星強(qiáng)調(diào)，即將來臨的 5G、人工智能、Connected＆Automotive、機(jī)器人等技術(shù)，是第四次工業(yè)革命的催化劑，而為了降低成本，半導(dǎo)體 5nm 工藝技術(shù)的發(fā)展成果至關(guān)重要。

三星進(jìn)一步表示，會將 7nm 的知識產(chǎn)權(quán)（IP）也用在 5nm 上，讓 7nm 客戶在過渡到 5nm 的過程中，不但可以降低成本，預(yù)先進(jìn)行生態(tài)系統(tǒng)的驗(yàn)證和設(shè)計(jì)，進(jìn)而縮短 5nm 工藝產(chǎn)品的開發(fā)時間。

除了 5nm 的進(jìn)度，三星也宣布第一個 6nm 客戶進(jìn)入流片，也是基于 EUV 技術(shù)的開發(fā)。

這一連串的技術(shù)信息量釋出，似乎”激怒“了臺積電，也在同日傍晚第一次對外宣布 6nm 技術(shù)的問世。

臺積電表示，正式宣布推出 6nm(N6) 工藝技術(shù)，以大幅強(qiáng)化目前已經(jīng)領(lǐng)先業(yè)界的 7nm (N7) 技術(shù)，協(xié)助客戶在效能與成本之間取得高度競爭優(yōu)勢，同時 N7 技術(shù)設(shè)計(jì)的直接移轉(zhuǎn)，達(dá)到加速產(chǎn)品上市目標(biāo)。

臺積電表示，6nm(N6) 技術(shù)的邏輯密度較 7nm (N7) 增加 18%，且設(shè)計(jì)法則與 7nm 技術(shù)完全相容，優(yōu)勢是使得 7nm 完備的設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)能夠被再使用，等于是提供 6nm 客戶一個具備快速設(shè)計(jì)周期，且只需使用非常有限的工程資源，就可以無縫升級的路徑。

臺積電預(yù)計(jì) 6nm 將于 2020 年第一季進(jìn)入試產(chǎn)，延續(xù) 7nm 家族在功耗及效能上的全球領(lǐng)先地位，產(chǎn)品應(yīng)用包括高階到中階行動產(chǎn)品、消費(fèi)性應(yīng)用、人工智慧、網(wǎng)通、5G 基礎(chǔ)架構(gòu)、繪圖處理器和高效能運(yùn)算。

以前臺積電的傳統(tǒng)都是”先做再說“，沒做成的事就不會說，但遇到三星這個總是”先說再做“不按牌理出牌的強(qiáng)大競爭對手，逼得要在技術(shù)宣傳上懂得”?；ㄕ小?。

為什么說是”?；ㄕ小埃恳?yàn)槿沁M(jìn)入 28nm 工藝節(jié)點(diǎn)后，把很多微縮技術(shù)的工藝節(jié)點(diǎn)，都取一個全新的命名，很早就喊出 10nm、8nm、7nm、6nm、5nm、3nm 等技術(shù)，帶動這種在技術(shù)宣傳上花招百出的行銷宣傳手法，逼著很多半導(dǎo)體大廠跟進(jìn)。

另一方面，也是摩爾定律的瓶頸越來越近，要轉(zhuǎn)進(jìn)一個全新的技術(shù)節(jié)點(diǎn)難度越來越高，需要的時間越來越長，因此，這中間的醞釀期，不如就把一些微縮技術(shù)節(jié)點(diǎn)”包裝“成一個嶄新的技術(shù)，一方面可以達(dá)到行銷宣傳的效果，另一方面，也是說服客戶買單的手法。

臺積電、三星一路從 10nm 打到 7nm，但最后臺積電的 7nm 已經(jīng)量產(chǎn)，且拿下全球眾多大客戶，但三星自己的處理器都沒使用自家 7nm，短期內(nèi)三星 7nm 要超前臺積電已是不可能，因此，三星現(xiàn)在把宣傳戰(zhàn)延續(xù)至 6nm、5nm 的策略，很有其一貫風(fēng)格，只是把臺積電也逼得公開新技術(shù)的計(jì)劃，再度引發(fā)濃濃火藥味。

臺積電（TSMC）著手進(jìn)行6納米制程。這是繼發(fā)布5納米工程設(shè)計(jì)計(jì)劃后的進(jìn)一步細(xì)微制程的事業(yè)拓展規(guī)劃。為了在半導(dǎo)體代工行業(yè)搶先占領(lǐng)微細(xì)工程的“納米戰(zhàn)爭”進(jìn)入白熱化階段。。

17日根據(jù)業(yè)界資訊，TSMC近日以7納米EUV制程風(fēng)險試產(chǎn)(risk production)中獲得的技術(shù)為基礎(chǔ)，確保了6納米工程。風(fēng)險試產(chǎn)一般指從客戶拿到認(rèn)可前進(jìn)行的示范性稼動，是進(jìn)入量產(chǎn)前的一個環(huán)節(jié)。TSMC說明6納米制程的直接電路密度比7納米制程高出18%，即為6納米并不需要額外的設(shè)計(jì)Infra。TSMC表示，與7納米制程的工程設(shè)計(jì)方式兼容、可利用公司已有的設(shè)計(jì)Infra。TSMC相關(guān)人士表示，可以以最小的資源變更，為客戶帶來更高的利潤。

6納米的風(fēng)險試產(chǎn)預(yù)計(jì)在2020年1季度進(jìn)行。TSMC還表示，未來6納米制程將會應(yīng)用于AI、5G Infra、GPU、高配置電腦等產(chǎn)品的制作。

近日，TSMC、三星電子等半導(dǎo)體代工廠對于細(xì)微工程的競爭十分火熱。在TSMC發(fā)布配置了5納米制程設(shè)計(jì)Infra后三星電子也隨后發(fā)布完成5納米制程，并計(jì)劃本月中推出7納米制程產(chǎn)品，三星電子還計(jì)劃到明年開發(fā)出3納米制程技術(shù)。

三星電子對排名第一的TSMC造成的威脅十足。三星電子今年1季度半導(dǎo)體代工市占率為19.1%，相比去年上半年的7.4% 上漲了12%。相反TSMC的去年上半年市占率為56.1%，而今年1季度則下跌8%至48.1%。

2019年4月18日，臺積電召開2019年Q1法說會。前期受光阻原料事件和經(jīng)濟(jì)不佳帶來的需求減弱等因素影響，公司調(diào)低了1Q19指引。而本次法說會披露業(yè)績?yōu)椋?Q19營收70.96億美元，同比下降16.23%，毛利率為41.32％，同比下降9.01個百分點(diǎn)，符合更新后指引。

光阻原料事件影響了公司一季度16nm等先進(jìn)制程的營收。但預(yù)計(jì)受影響晶圓將于二季度補(bǔ)齊，公司預(yù)計(jì)Q2營業(yè)收入 75.5-76.5億美元，中值同比降3.00%，毛利率43-45%，同比下降3.8個百分點(diǎn)。無論營收亦或毛利率水平下降幅度均有顯著收斂。公司認(rèn)為周期底部已過，客戶正加速消化庫存，維持前期全年?duì)I收微幅增長的預(yù)期。

我們認(rèn)為臺積電后續(xù)Q3，Q4營收增速將逐季加速，預(yù)計(jì)Q3營收90億美元，同比增長6%，Q4營收10.8億美元，同比增長15.34%。

但值得注意的是，公司庫存水位仍有明顯增加，19Q1庫存35.25億美元，同比增長27.5%，環(huán)比增長5.3%。

1、2019年一季度臺積電業(yè)績符合預(yù)期

2019年Q1，臺積電營收70.96億美元，位于更新后營收指引70-71億美元的中值偏上。營收同比下降16.23%，環(huán)比亦有24.49%的下降，主要是由于全球經(jīng)濟(jì)狀況不佳抑制了終端市場需求，客戶庫存調(diào)整，高端智能手機(jī)季節(jié)性出貨不佳以及光阻原料事件的影響。

報(bào)告期內(nèi)，公司毛利率為41.32％，位于更新后的41%-43％的指引中值偏下。毛利率同比下降9.01個百分點(diǎn)，環(huán)比下降5.45個百分點(diǎn)，主要原因是產(chǎn)能利用率的下降和光阻原料事件的影響。營業(yè)利潤率為29.38%。同比下降9.65個百分點(diǎn)，環(huán)比下降7.18個百分點(diǎn)。

2、光阻原料事件影響先進(jìn)制程營收

分業(yè)務(wù)表現(xiàn)來看，公司有四大業(yè)務(wù)板塊，包括計(jì)算機(jī)，通信，消費(fèi)和工業(yè)。

2019年Q1營收絕大部分仍由通信業(yè)務(wù)貢獻(xiàn)，占比62%。

其中，計(jì)算機(jī)，通信，消費(fèi)和工業(yè)類營收分別下降31％，27％，10％和16％。而此前2018年報(bào)法說會中，公司預(yù)計(jì)1Q19消費(fèi)類業(yè)務(wù)營收微增，其余業(yè)務(wù)下滑。

公司不同業(yè)務(wù)板塊對應(yīng)的下游市場分別為：

計(jì)算機(jī)業(yè)務(wù)：超95%業(yè)務(wù)來自于高效能運(yùn)算（HPC）

通信業(yè)務(wù)：約三分之二業(yè)務(wù)來自智能機(jī)

消費(fèi)電子業(yè)務(wù)：主要業(yè)務(wù)為高效能運(yùn)算（HPC）和消費(fèi)性電子業(yè)務(wù)

工業(yè)業(yè)務(wù)：HPC及智能機(jī)業(yè)務(wù)各占30%。

從制程營收結(jié)構(gòu)來看，7nm在1Q19中占晶圓總收入的22％，環(huán)比持平。10nm貢獻(xiàn)了4％，環(huán)比下降2.3個百分點(diǎn)，而16nm工藝技術(shù)占16％，環(huán)比下降4個百分點(diǎn)。1Q19，先進(jìn)制程（16納米及以下）營收占總收入的42％，環(huán)比下降7個百分點(diǎn)。先進(jìn)制程營收占比下降的主要原因是：14B廠受光阻原料事件影響，其部分12、16 nm制程晶圓報(bào)廢。

3、2019年2季度指引積極，公司認(rèn)為已經(jīng)度過周期底部

由于受光阻原料事件的影響，1Q19業(yè)績不佳，但報(bào)廢的晶圓將在二季度補(bǔ)齊。這將為2Q19營收貢獻(xiàn)約5.50億美元。公司展望2019年Q2，營業(yè)收入 75.5-76.5億美元，中值同比降3.00%，環(huán)比上升7.10%；毛利率43-45%，同比下降3.8個百分點(diǎn)。無論營收亦或毛利率水平下降幅度均有顯著收斂。公司認(rèn)為周期底部已過，客戶正加速消化庫存，維持前期全年?duì)I收微幅增長的預(yù)期。

我們認(rèn)為臺積電后續(xù)Q3，Q4營收增速將逐季加速，預(yù)計(jì)Q3營收90億美元，同比增長6%，Q4營收10.8億美元，同比增長15.34%。

分下游市場來看，公司認(rèn)為全年智能機(jī)相關(guān)業(yè)務(wù)將有高個位數(shù)增長，主要來自市占率的提升（招商電子注：高通從三星轉(zhuǎn)單臺積電），HPC全年也將有高個位數(shù)增長，IOT業(yè)務(wù)增速最快，將貢獻(xiàn)10以上的增速。

公司維持2019年資本支出100~110億美元的規(guī)劃，并將其80%資金投入先進(jìn)制程(7/5/3nm) 。