埃賦隆半導體（Ampleon）現(xiàn)在宣布基于其成熟的第9代高壓LDMOS工藝技術派生出高級加固技術（Advanced Rugged Technology，ART），并借此開發(fā)出新系列射頻功率器件中的首款產(chǎn)品。這個新工藝的開發(fā)旨在用于實現(xiàn)極其堅固的、工作電壓高達65V的晶體管。

首款采用該工藝的產(chǎn)品ART2K0FE是一款2kW的晶體管，其頻率響應為0至650MHz，采用氣腔陶瓷封裝。其設計能夠承受工業(yè)、科學和醫(yī)療（ISM）應用中常見的最惡劣的條件，可用于驅(qū)動大功率CO2激光器、等離子發(fā)生器和一些MRI系統(tǒng)。ART器件之所以適用于這些應用，是因為其可以處理65V條件下高達65:1的駐波比（VSWR）失配，而這在CO2激光器和等離子發(fā)生器工作時可能碰到。

基于ART工藝開發(fā)的器件具有很高的阻抗，因此在開發(fā)階段更容易將其集成到產(chǎn)品中，并確保在批量生產(chǎn)中具有更高的產(chǎn)品一致性。該工藝還可使所開發(fā)的器件比LDMOS競爭產(chǎn)品更加高效。這樣便可通過節(jié)省輸入電能，降低發(fā)熱，來降低最終應用的運營成本。此外，采用該工藝的器件還可實現(xiàn)更高的功率密度，也就是說，它們可以采用更小、更低成本的封裝，從而減少其電路板占位面積，進而降低系統(tǒng)成本。

ART器件還具有高擊穿電壓，有助于確保它們在整個預期壽命期間始終如一地可靠工作。埃賦隆半導體還保證這類器件可以供貨15年，從而使產(chǎn)品設計人員可以進行長期規(guī)劃。

采用氣腔陶瓷封裝的ART2K0FE現(xiàn)可提供樣品，并有不同頻率的參考電路可以選擇。埃賦隆半導體還提供較低熱阻的超模壓塑料版本ART2K0PE。兩種版本預計在2019年下半年量產(chǎn)。