就在臺積電及三星電子陸續(xù)宣布支援極紫外光（EUV）技術的7納米技術進入量產階段后，半導體龍頭英特爾也確定開始進入10納米時代，預計采用10納米產品將在6月開始出貨。同時，英特爾將加速支援EUV技術的7納米制程研發(fā)，預期2021年可望進入量產階段，首款代表性產品將是Xe架構繪圖芯片。

同時，英特爾新任執(zhí)行長司睿博（Robert Swan）也宣布重新定義市場策略，過去的Intel Inside指的是個人計算機或服務器中采用英特爾的中央處理器（CPU），但未來的Intel Inside指的會是在計算機、汽車、物聯(lián)網等所有裝置中所攤載的英特爾XPU處理器平臺。

若以制程推進來看，英特爾自2014年采用14納米量產以來，雖然推出加強版的14+/14++納米技術，但長達5年時間停留在14納米世代，制程停滯太久時間。不過，隨著英特爾確定未來發(fā)展方針后，今年將會有所改變，10納米確定會在今年進入量產階段。

根據(jù)英特爾的技術藍圖，10納米處理器將在6月開始出貨，首發(fā)產品線應是應用在終端個人計算機市場的Ice Lake處理器及Lakefield系統(tǒng)單晶片。英特爾2020年及2021年將陸續(xù)推出優(yōu)化后的10+及10++納米制程，明年之后會再推出采用10+/10++納米的Tiger Lake處理器或Sapphire Rapids處理器。10納米的主力量產時程預期介于2019～2021年。

至于7納米部份，英特爾已加快研發(fā)速度，預計2021年將開始量產支援EUV微影技術的7納米制程，2022至2023年再逐年推出優(yōu)化的7+及7++納米。以英特爾7納米推出及量產時間來看，首發(fā)產品線之一將是英特爾回歸繪圖處理器（GPU）市場的代表作，亦即Xe架構繪圖芯片。

英特爾以其芯片密度及線寬線距來定義制程，并說明今年量產的英特爾10納米制程約與臺積電7納米制程相當，2021年將量產的英特爾7納米制程則與臺積電的5納米制程相當。但以市場技術及摩爾定律推進的角度來看，臺積電去年已量產7納米，明年可望開始量產5納米，等于在先進制程競賽中已經迎頭趕上英特爾腳步。