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飛昂在光通訊芯片的硅光集成技術(shù)領(lǐng)域取得突破

MEMS ? 來(lái)源:YXQ ? 2019-05-16 14:00 ? 次閱讀
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中國(guó)高速光通訊芯片的領(lǐng)軍企業(yè)——飛昂創(chuàng)新科技公司(簡(jiǎn)稱“飛昂”)最近實(shí)現(xiàn)了探測(cè)器和調(diào)制器的單波25G硅基集成技術(shù)突破,未來(lái)有望提供更高性能、更可靠、更低成本的商用芯片解決方案。

飛昂的硅光技術(shù)完全自主設(shè)計(jì),基于成熟、量產(chǎn)的硅工藝平臺(tái),集成了高速光探測(cè)器和調(diào)制器,可支持O和C兩個(gè)波段,未來(lái)還將進(jìn)一步集成激光器;與飛昂的高速電芯片相配合,已成功實(shí)現(xiàn)單模1310nm、單通道25G的技術(shù)驗(yàn)證。光通訊技術(shù)正向單波50G和100G演進(jìn),相應(yīng)的高性能光器件成本將大幅上升,對(duì)光芯片和電芯片的匹配也提出了更苛刻的要求。飛昂已經(jīng)成功演示了采用PAM4技術(shù)的單波50G電芯片,伴隨自身硅光技術(shù)的突破,將進(jìn)一步開發(fā)針對(duì)100G/400G的完整、可量產(chǎn)光電解決方案。

公司聯(lián)合創(chuàng)始人暨CTO毛蔚博士表示:“光電混合集成是光電芯片的未來(lái)發(fā)展方向。飛昂已經(jīng)擁有成熟、領(lǐng)先的電芯片技術(shù),此次在硅光領(lǐng)域取得了實(shí)質(zhì)性突破,朝著單芯片光電集成的目標(biāo)又邁進(jìn)了一大步。飛昂的光電技術(shù)不僅局限于實(shí)驗(yàn)室,而致力于和產(chǎn)業(yè)上下游緊密結(jié)合,尤其是針對(duì)下一代100G/400G應(yīng)用,打造更高性能、更可靠、更低成本的商用芯片解決方案。“

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原文標(biāo)題:飛昂在光通訊芯片的硅光集成技術(shù)領(lǐng)域取得突破

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