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Micro LED | 全球首款GaN-on-Silicon 0.7吋單片全高清顯示屏推出

XcgB_CINNO_Crea ? 來源:YXQ ? 2019-05-17 16:55 ? 次閱讀
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Plessey是一家面向增強和混合現實(AR / MR)顯示應用且擁有最前沿Micro-LED技術的嵌入式技術開發(fā)商。5月14日Plessey宣布其同Jasper Display Corp(JDC)合作制作的單片全高清Micro-LED顯示器已經完成,這一產品的試制完成將成為兩家公司合作發(fā)展的重要里程碑。

Plessey與JDC的持續(xù)性合作,包括全部工具集(tool set)層面的大量資本投資,和晶圓與晶圓間電氣鍵合的成功實現。Plessey成功將其基于單片GaN-on-Silicon晶圓的Micro-LED與JDC專有的eSP70硅基驅動背板進行晶圓級鍵合,最終制成對所有LED都可尋址的Micro-LED顯示器。

基于GaN-on-Silicon的單片全高清Micro-LED顯示器(圖片來源:Plessey)

晶圓級電氣鍵合一直都是一項非常大的技術挑戰(zhàn),在這之前業(yè)界還沒有實現過硅基GaN晶圓和高密度CMOS驅動背板間的電氣鍵合。

Plessey最初于2019年4月在世界上第一次實現了晶圓與晶圓間的機械鍵合。在這之后,也就是在今天這款產品中,Plessey更是成功實現了電氣和機械全部層面的鍵合,從而成功制作出完全可控的Micro-LED顯示器。

Plessey的這款Micro-LED顯示器為0.7吋,具有1920×1080(FHD)顆電流驅動的單色像素,間距為8微米。這樣的每個顯示器需要超過兩百萬個單獨的電氣鍵合以將Micro-LED像素連接到控制背板上。 JDC的驅動背板可以為每個像素提供獨立的10bit單色控制。Micro-LED晶圓同CMOS背板晶圓完成電氣連接意味著,這兩個晶圓之間會有超過1億個更小的電氣鍵合。

Plessey的外延和先進產品開發(fā)總監(jiān)Wei Sin Tan博士說:

“這是我們單片Micro-LED顯示技術發(fā)展的重要里程碑。據我們所知,這確實是世界上第一次實現,我們?yōu)檫@一巨大成就感到非常自豪。這是業(yè)界一直在等待的東西,它為像Micro-LED這樣的自發(fā)光顯示器的應用開辟了新市場。”

JDC的營銷和產品管理副總裁,林總說:“Plessey的單片Micro-LED陣列與JDC的高密度硅基驅動背板非常匹配。我們的JD27E系列產品展示了我們?yōu)橹匾献骰锇樘峁┧麄兩踔琳麄€行業(yè)都期待的背板設計的能力,我們在硅基背板設計時就已經考慮到了Micro-LED顯示器的各項要求。”

在SID Display Week 2019展會上,Plessey將展示其突破性的Micro-LED技術,并展示為何其可擴展和可重復的單片GaN-on-Silicon工藝將會是下一代增強和混合現實(AR / MR)顯示產品、平視/頭戴式(HUD / HMD)、智能手機和其他Micro-LED的顯示應用的唯一解決方案。

關于Jasper Display Corp

Jasper Display Corp.(JDC)是一家位于***的無晶圓半導體公司,研發(fā)中心位于加利福尼亞州圣克拉拉市,提供高端空間光調制器(Spatial Light Modulators,SLM)、LCoS(硅基液晶顯示器)和Micro-LED顯示器以及數字調制控制器IC產品。JDC還為其X-on-Silicon合作伙伴提供實現下一代光學創(chuàng)新技術所需的驅動背板和專業(yè)知識。

關于Plessey

Plessey是一家屢獲殊榮的全場自發(fā)光Micro-LED顯示器供應商,它將超高密度RGB像素陣列與高性能CMOS背板相結合,從而為頭戴式顯示器、增強現實(AR)和虛擬現實(VR)系統(tǒng)等提供超高亮度、低功耗和高幀率的圖像來源。Plessey目前的晶圓加工能力在150mm和200mm,他們可以提供LED產品的設計,測試和組裝,以及一整套光學應用參數的測試。

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原文標題:Micro LED | 全球首款GaN-on-Silicon 0.7吋單片全高清顯示屏推出

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