近日迎來了華虹無錫項目舉行了首臺工藝設備搬入儀式。

華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地項目占地約700畝，總投資100億美元，一期項目總投資約25億美元，新建一條工藝等級90-65/55納米、月產(chǎn)能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線，支持5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領域的應用。

華虹半導體（無錫）有限公司副總裁、華虹七廠廠長倪立華此前曾表示，華虹進入無錫后，無錫的通用半導體制造技術將從8英寸時代進入到12英寸時代，工藝技術能力將提升至55納米節(jié)點，而之前為0.13微米。

2017年8月，華虹半導體與無錫市政府及大基金簽訂了一份投資協(xié)議，三方將在無錫投資建設一座12英寸晶圓廠。據(jù)介紹，大基金向華虹注資9.22億美元，其中4億美元投給華虹半導體，持股18.94%；5.22億美元投給華虹無錫，持股29%。

2018年3月2日華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地項目舉行開工典禮舉行；4月3日，一期樁基工程啟動；7月21日，F(xiàn)1廠房首件鋼柱完成吊裝；8月12日，生產(chǎn)廠房首根桁架吊裝完成，項目進入施工新階段；12月21日實現(xiàn)主廠房結(jié)構封頂。實現(xiàn)當年開工，當年主廠房結(jié)構封頂。

項目計劃2019年下半年完成凈化廠房建設和動力機電設備安裝通線并逐步實現(xiàn)達產(chǎn)。