今年4月初，晶圓代龍頭大廠臺(tái)積電宣布，其5nm制程已正式進(jìn)入試產(chǎn)階段，并已在開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)下推出完整的5nm設(shè)計(jì)架構(gòu)?，F(xiàn)在，臺(tái)積電官方又宣布，正式啟動(dòng)2nm工藝的研發(fā)，工廠設(shè)置在位于***新竹的南方科技園，預(yù)計(jì)2024年投入生產(chǎn)。

按照臺(tái)積電給出的指標(biāo)顯示，2nm工藝是一個(gè)重要節(jié)點(diǎn)，Metal Track（金屬單元高度）和3nm一樣維持在5x，同時(shí)Gate Pitch（晶體管柵極間距）縮小到30nm，Metal Pitch（金屬間距）縮小到20nm，相比于3nm都小了23％。

臺(tái)積電沒(méi)有透露2nm工藝所需要的技術(shù)和材料，看晶體管結(jié)構(gòu)示意圖和目前并沒(méi)有明顯變化，能在硅半導(dǎo)體工藝上繼續(xù)壓榨到如此地步真是堪稱奇跡，接下來(lái)就看能不能做到1nm了。當(dāng)然，在那之前，臺(tái)積電還要接連經(jīng)歷7nm+、6nm、5nm、3nm等多個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)。

其中，臺(tái)積電的7nm+工藝將首次引入EUV極紫外光刻技術(shù)，目前已即將量產(chǎn)；而6nm只是7nm的一個(gè)升級(jí)版，預(yù)計(jì)明年第一季度試產(chǎn)；5nm工藝將全面導(dǎo)入EUV光刻，已經(jīng)開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，明年底之前有望實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，蘋(píng)果A14、AMD五代銳龍（Zen 4都有望采納）；3nm有望在2021年試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)。三星也早就規(guī)劃到了3nm，預(yù)期2021年量產(chǎn)。