,此時(shí)介質(zhì)折射率的橫向分布也是鐘形的,從而對(duì)入射光束產(chǎn)生會(huì)聚作用,這就是高斯光束的自聚焦效應(yīng)。
系統(tǒng)描述
本例重點(diǎn)展示了beer以及sfocus兩個(gè)命令的使用,給出了經(jīng)過吸收之后高斯光束的強(qiáng)度分布輪廓圖
發(fā)表于 06-17 08:52
,此時(shí)介質(zhì)折射率的橫向分布也是鐘形的,從而對(duì)入射光束產(chǎn)生會(huì)聚作用,這就是高斯光束的自聚焦效應(yīng)。
系統(tǒng)描述
本例重點(diǎn)展示了beer以及sfocus兩個(gè)命令的使用,給出了經(jīng)過吸收之后高斯光束的強(qiáng)度分布輪廓圖
發(fā)表于 05-16 08:47
1.產(chǎn)生原因 板子上的元件和走線都是存在電抗(阻抗、容抗和感抗)的。在插拔電源的時(shí)候,對(duì)于電容來(lái)說(shuō),兩端電壓不能突變,但是由 可知此時(shí)電容也會(huì)產(chǎn)生比較大的尖峰電流,這個(gè)尖峰電流遇到電抗會(huì)產(chǎn)生尖峰電壓
發(fā)表于 11-19 09:51
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。 去耦電容的作用 減少電源噪聲 :去耦電容能夠吸收電路中的高頻噪聲,減少電源線上的波動(dòng),從而提高電路的穩(wěn)定性。 提供瞬態(tài)電流 :在電路中,某些元件(如數(shù)字邏輯門)可能會(huì)在短時(shí)間內(nèi)需要
發(fā)表于 09-19 10:54
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在RC吸收電路中,電阻和電容的選擇取決于多種因素,包括電路的功率需求、負(fù)載特性、開關(guān)頻率以及所需的保護(hù)效果等。以下是根據(jù)一般經(jīng)驗(yàn)和公式計(jì)算得出的電阻和電容選擇的一些指導(dǎo)原則: 一、電容
發(fā)表于 09-18 14:58
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RC吸收電路是一種在電子電路中常見的電路結(jié)構(gòu),它主要用于抑制電路中的尖峰電壓、減少電磁干擾、穩(wěn)定電路工作等。RC吸收電路由電阻(R)和電容(C)組成,通過它們的組合可以實(shí)現(xiàn)多種功能。 RC吸收
發(fā)表于 09-18 14:52
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吸收電路通常由一個(gè)電阻(R)、一個(gè)電容(C)和一個(gè)二極管(D)組成,其工作原理涉及到電阻、電容和二極管的基本特性。 電阻(R) 電阻是電路中用于限制電流流動(dòng)的元件。在RCD電路中,電阻的作用
發(fā)表于 09-18 14:32
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。它通常與開關(guān)器件并聯(lián),以減小關(guān)斷時(shí)的電壓變化率,從而降低開關(guān)器件的損耗和電磁干擾。 1.2 關(guān)斷電容的作用 關(guān)斷電容的主要作用是吸收開關(guān)器
發(fā)表于 08-28 15:17
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電容的濾波作用是電子電路中非常常見的一種功能,其基本原理是通過電容對(duì)交流信號(hào)進(jìn)行充電和放電,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)信號(hào)的濾波。 一、電容濾波的基本原理 電容
發(fā)表于 08-28 10:15
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濾波電容是電子電路中非常重要的一種元件,它在電路中起到濾除噪聲、穩(wěn)定電壓、儲(chǔ)能等多種作用。 一、濾波電容的作用 濾除噪聲 在電子電路中,由于各種干擾源的存在,電路中的信號(hào)往往會(huì)受到噪聲
發(fā)表于 08-28 10:09
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三星貼片電容在電子行業(yè)中扮演著重要的角色,其作用廣泛且關(guān)鍵。作為三星電容的代理,了解這些貼片電容的作用對(duì)于提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)和產(chǎn)品至關(guān)重要。以下
發(fā)表于 08-23 14:56
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IGBT尖峰吸收電容的選型方法是一個(gè)綜合考慮多個(gè)因素的過程,以確保電容能夠有效地吸收IGBT在開關(guān)過程中產(chǎn)生的尖峰電壓和電流,從而保護(hù)IGBT不受損壞。以下是一些關(guān)鍵的選型方法: 一、
發(fā)表于 08-08 10:25
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IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。在IGBT的應(yīng)用過程中,吸收電容是一種常見的輔助元件,用于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。但是,IGBT是否必須加吸收電容
發(fā)表于 08-07 18:03
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)吸收電容的原理是一個(gè)復(fù)雜而重要的概念,它涉及到IGBT器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理以及電流電壓波動(dòng)等多個(gè)方面。以下是對(duì)IGBT吸收
發(fā)表于 08-05 15:09
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IGBT模塊采用吸收電路時(shí),典型的關(guān)斷電壓波形如下圖所示。從圖中可以看出,初始浪涌電壓△U1之后,隨著吸收電容充電,瞬態(tài)電壓再次上升。第二次上升峰值△U2是吸收
發(fā)表于 08-05 14:48
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評(píng)論