2019年上半DRAM價(jià)格下跌壓力沉重，盡管上游產(chǎn)能調(diào)節(jié)以及傳統(tǒng)旺季拉貨需求逐漸回升，預(yù)料將有望支撐跌價(jià)趨緩，為了提高生產(chǎn)效益及拉大競(jìng)爭差距，DRAM大廠競(jìng)相推進(jìn)下一代制程技術(shù)。

三星電子（Samsung Electronics）率先表示將在2019年11月量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的1z納米DRAM，美光（Micron）、SK海力士（SK Hynix）也透露將考慮評(píng)估EUV設(shè)備的需求，隨著上億美元等級(jí)的EUV設(shè)備導(dǎo)入，將意味著10納米級(jí)DRAM制程競(jìng)賽升溫，產(chǎn)業(yè)投資規(guī)模門檻將大幅攀高。

隨著DRAM報(bào)價(jià)直直滑落，供應(yīng)鏈業(yè)者向華強(qiáng)旗艦記者透露，第2季底顆粒報(bào)價(jià)已經(jīng)逼近制造原廠的成本邊緣，中小型廠商維持獲利的難度大增，盡管市況及需求并未明顯回升，但跌價(jià)壓力的陰霾籠罩下，驅(qū)使著業(yè)界勢(shì)必更積極追求降低單位生產(chǎn)成本，國際三大DRAM廠三星、SK海力士、美光投入10納米級(jí)DRAM制程升級(jí)的進(jìn)度將不容延緩。

目前DRAM制造成本取得領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的三星曾指出，1z納米DRAM在不使用EUV設(shè)備下，也能比目前1y DRAM的產(chǎn)能提高20%，9月起啟動(dòng)1z納米DRAM量產(chǎn)進(jìn)度；不過近期進(jìn)一步透露，將于2019年11月開始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的1z納米DRAM，而量產(chǎn)初期將與三星晶圓代工共享EUV設(shè)備。

除了晶圓代工邏輯制程采用EUV微影技術(shù)成為趨勢(shì)，包括臺(tái)積電、三星在7nm開始采用EUV技術(shù)后，三星計(jì)劃擴(kuò)大應(yīng)用至DRAM制程，初期的使用量不大，預(yù)計(jì)將在華城17產(chǎn)線與晶圓代工事業(yè)部共享EUV設(shè)備的方式進(jìn)行，之后平澤工廠也會(huì)啟動(dòng)EUV DRAM量產(chǎn)，宣示三星導(dǎo)入DRAM制程會(huì)開始走向EUV 技術(shù)發(fā)展。

SK海力士在南韓的利川市新建的DRAM生產(chǎn)工廠中，研發(fā)內(nèi)含EUV技術(shù)的DRAM存儲(chǔ)器生產(chǎn)技術(shù)，并表明現(xiàn)階段開始評(píng)估導(dǎo)入EUV技術(shù)的需求。SK海力士在2019年起投入1y納米制程DRAM量產(chǎn)，下一目標(biāo)就是升級(jí)1z納米轉(zhuǎn)換制程，業(yè)界估計(jì)，SK海力士10納米級(jí)DRAM制程比重，在2019年將占所有DRAM產(chǎn)品的半數(shù)以上。

據(jù)華強(qiáng)旗艦了解：美光也在2019年上半宣布DRAM技術(shù)走向1z納米制程發(fā)展，日本廣島廠已經(jīng)量產(chǎn)1y納米制程，并將于年底開始量產(chǎn)1z納米LPDDR4，下一階段將推進(jìn)至1α 納米或 1β 納米世代。至于***產(chǎn)線在2019年下半將導(dǎo)入1y制程量產(chǎn)，相關(guān)技術(shù)轉(zhuǎn)移已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，2020年也會(huì)跟進(jìn)至1z納米制程，透過技術(shù)升級(jí)達(dá)到每年雙位數(shù)的晶圓位元成長。

雖然美光在2018年曾提過，即使到了 1α及1β的制程技術(shù)節(jié)點(diǎn)，也沒有使用EUV技術(shù)的必要性，不過近期美光態(tài)度出現(xiàn)轉(zhuǎn)變，并表示從進(jìn)入1z納米之后將會(huì)持續(xù)評(píng)估采用EUV技術(shù)的DRAM成本效益，不排除在合適時(shí)間點(diǎn)導(dǎo)入EUV設(shè)備。美光的轉(zhuǎn)變被認(rèn)為與2019年DRAM價(jià)格大跌，產(chǎn)品利潤受到擠壓，必須藉由提高性能與降低單位成本來鞏固產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭力。

業(yè)界指出，相較于過去20納米制程時(shí)期，每次升級(jí)到新一代制程的晶圓位元成長率將可以提升50%以上，2年就可以翻倍成長。不過隨著難度越來越高，如今的晶圓位元成長的幅度也無法像過去一樣，但仍有超過30%以上提升，但在進(jìn)入1z納米制程后，藉由EUV技術(shù)導(dǎo)入，將意味采購高達(dá)上億美元的設(shè)備，其投資規(guī)模也愈加擴(kuò)大，要維持每年提升1個(gè)制程世代的進(jìn)度也將面臨考驗(yàn)。

原本業(yè)界預(yù)期在18納米制程之后，DRAM廠商將開始采用EUV技術(shù)，但每臺(tái)價(jià)格高達(dá)約1億美元的EUV設(shè)備，確實(shí)令DRAM廠商感到躊躇不前，2019年DRAM市況轉(zhuǎn)趨低迷，價(jià)格競(jìng)爭導(dǎo)致降低生產(chǎn)成本壓力遽增，促使DRAM大廠寄望透過采用 EUV 技術(shù)以生產(chǎn)DRAM先進(jìn)制程，預(yù)料將有助于提高微影精度、減小線寬以及降低存儲(chǔ)器單位容量成本