據(jù)韓國《中央日報》6月27日報道，SK海力士宣布，該公司已經(jīng)在全世界率先成功研發(fā)出128層4D Nand閃存芯片，將從今年下半年(7月~12月)開始投入量產(chǎn)。新產(chǎn)品比以往96層4D Nand芯片的生產(chǎn)效率提高了40%。

據(jù)SK hynix透露，該產(chǎn)品是業(yè)界最尖端的128層堆棧4D NAND，適用超均一垂直植入技術(shù)、高信賴多層薄膜構(gòu)成技術(shù)、超高速低電力線路設(shè)計等技術(shù)。同時，該產(chǎn)品也是用TLC存儲方式打造的NAND中，首次達到1TB容量的產(chǎn)品。

NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。

6月26日，SK海力士宣布成功開發(fā)出“128層1Tb的TLC（Triple Level Cell）4D Nand閃存”，即將投入量產(chǎn)。距離該公司在去年10月開發(fā)出96層4D Nand閃存芯片過了8個月時間。據(jù)悉，最近DRAM和Nand閃存等存儲芯片的價格不斷下降，SK海力士今年第一季度已經(jīng)出現(xiàn)虧損，現(xiàn)在似乎打算在Nand閃存領(lǐng)域?qū)ふ倚碌耐黄瓶凇?/p>

據(jù)報道，相比傳統(tǒng)的3D Nand閃存工程，4D Nand閃存解決了芯片設(shè)計過程中最為困擾的面積問題，大大提高了生產(chǎn)效率。SK海力士表示，“新產(chǎn)品使用同樣的4D平臺，通過對工程進行最佳優(yōu)化，在比96層產(chǎn)品增加了32層儲存單元的情況下，還將全部的工程程序減少了5%”。

SK海力士副總經(jīng)理吳鐘勛（音）表示，128層4D NAND將確保NAND項目的根本競爭力。該產(chǎn)品實現(xiàn)業(yè)界最多層堆棧、最高容量，將及時提供各種解決方案。

SK海力士計劃從今年下半年開始正式開售128層4D閃存芯片，并接連推出各種產(chǎn)品解決方案。SK海力士還計劃積極對云數(shù)據(jù)中心使用的企業(yè)級固態(tài)硬盤(SSD)、需要大容量存儲芯片的5G移動通信智能手機市場展開攻略