近日消息，研調(diào)機構(gòu)集邦旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院報告指出，由于現(xiàn)行射頻前端元件制造商依手機通信元件功能需求，逐漸以砷化鎵（GaAs）晶圓作為元件的制造材料，加上5G布建逐步展開，射頻元件使用量較4G時代倍增，預期GaAs射頻元件市場將自2020年起進入新一波成長期。

拓墣指出，由于射頻前端元件特性是耐高電壓、耐高溫及高頻等，在4G與5G時代有高度需求，傳統(tǒng)如HBT和CMOS的硅（Si）元件已無法滿足，廠商逐漸轉(zhuǎn)向GaAs化合物半導體。

拓墣強調(diào)，GaAs化合物半導體的電子遷移率較Si快速，且具有抗干擾、低噪聲與耐高電壓等特性，因此特別適合應用于無線通信中的高頻傳輸領(lǐng)域。

由于4G時代的手機通信頻率使用范圍已進展至1.8～2.7GHz，對傳統(tǒng)3G的Si射頻前端元件已不敷使用，加上5G通信市場正步入高速成長期，使用頻段也將更廣泛，包含3-5GHz、20-30GHz，因此無論是4G或5G通信應用，現(xiàn)行射頻元件都將逐漸被GaAs取代。

若以目前市場發(fā)展來看，受2018年下半年手機銷量下滑、中美貿(mào)易戰(zhàn)影響，沖擊GaAs通信元件IDM廠營收表現(xiàn)，預估2019年IDM廠總營收將下滑至58.35億美元（單位下同），年減8.9%。

不過，隨5G持續(xù)發(fā)展，射頻前端元件使用數(shù)量將顯著提升，如功率放大器（PA）使用量，由3G時代的2顆、4G的5-7顆，倍增至5G時代的16顆，將帶動2020年IDM廠整體營收，預估GaAs射頻前端元件總營收將達64.92億元，年增11.3%。

整體而言，各國持續(xù)投資5G基站等基礎(chǔ)設施，預估2021、2022年將達高峰，加上射頻前端元件使用量較4G時代翻倍，可望成為IDM廠如思佳訊（Skyworks）、科沃（Qorvo）新一波營收成長動能，而臺廠射頻代工制造業(yè)穩(wěn)懋、宏捷科、環(huán)宇等也將受惠，擺脫營收衰退陰霾。