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發(fā)布了文章 2022-04-12 01:12
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發(fā)布了文章 2022-04-12 01:07
10.3.7 量子線材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
QuantumWireMaterials審稿人:南方科技大學(xué)段天利https://www.sustech.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成電路新材料第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說613瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-04-11 03:02
10.3 器件性能比較∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
10.3器件性能比較10.2單極型器件漂移區(qū)的優(yōu)化設(shè)計第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK7582瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-04-11 01:12
陸芯:單管IGBT、IGBT模塊、SiC混合型IGBT、SGT MOS新能源電動汽車、電機(jī)驅(qū)動領(lǐng)域、高頻電源領(lǐng)域、感應(yīng)加熱等領(lǐng)域
上海陸芯電子科技有限公司成立于2017年5月,是專業(yè)從事最新一代功率半導(dǎo)體研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。公司掌握核心技術(shù)、擁有國際一流的設(shè)計能力和工藝開發(fā)技術(shù),匯集優(yōu)秀海歸人才和杰出本土團(tuán)隊。上海陸芯聚焦于功率半導(dǎo)體的設(shè)計和應(yīng)用,掌握創(chuàng)新型功率半導(dǎo)體核心技術(shù),產(chǎn)品涵蓋了多個電壓段的功率器件,并提供整體的電源管理解決方案。目前累計擁有40多項自主創(chuàng)新專利。2 -
發(fā)布了文章 2022-04-11 01:07
10.3.6 鍺錫 GeSn∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
GeSn審稿人:南方科技大學(xué)王輝https://www.sustech.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成電路新材料第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、608瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-04-10 01:09
10.2.2 橫向漂移區(qū)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
10.2.2橫向漂移區(qū)10.2單極型器件漂移區(qū)的優(yōu)化設(shè)計第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK559瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-04-10 01:07
10.3.5 碳納米管(CNT)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
CarbonNanotube(CNT)審稿人:北京大學(xué)傅云義https://www.pku.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成電路新材料第10章集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MC724瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-04-09 04:17
10.2.1 垂直漂移區(qū)(SM)JTE∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
10.2.1垂直漂移區(qū)10.2單極型器件漂移區(qū)的優(yōu)化設(shè)計第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國科微GK530瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-04-09 01:31
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發(fā)布了文章 2022-04-08 05:02
10.1.7 多浮空區(qū)(MFZ)JTE和空間調(diào)制(SM)JTE∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
10.1.7多浮空區(qū)(MFZ)JTE和空間調(diào)制(SM)JTE10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義3、國產(chǎn)FPGA:原位替換XILIN859瀏覽量