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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 16:49

  PXFE211507FC-V1 大功率射頻 LDMOS FET

  

  產(chǎn)品型號：PXFE211507FC-V1 典型的脈沖連續(xù)波性能：2140兆赫 P1dB時的輸出功率：172W P3dB輸出功率：208 W

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 16:37

  WSGPA01-V1 GaN on SiC 分立通用放大器 (GPA)

  

  產(chǎn)品型號：WSGPA01-V1 工作頻率：：高達(dá) 5 GHz P3dB：：高達(dá) 10 W 電源電壓：：高達(dá) 50 V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 16:03

  PTFC210202FC-V1 大功率射頻 LDMOS FET

  

  產(chǎn)品型號：PTFC210202FC-V1 典型的連續(xù)波性能：2170兆赫 組合輸出：：P1dB = 28 W 時的輸出功率 增益：20.9 分貝

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 15:42

  PTAC210802FC-V1高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：PTAC210802FC-V1 典型的脈沖連續(xù)波性能：2170兆赫 輸出功率： P3dB 75 W 效率 ：48 %

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 15:28

  GTVA355001EC氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：GTVA355001EC 脈沖寬度：300 μs 占空比：10% 輸出功率：P3dB = 500 W

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 14:41

  GTVA220701FA-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：GTVA220701FA-V1 輸出功率：P3dB 45 W 效率： 60.7% 增益： 21.6 分貝

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 14:28

  GTVA212701FA-V2氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：GTVA212701FA-V2 占空比：10% 輸出功率： P3dB 300 W 效率： 68.5%

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-12 15:04

  GTVA126001EC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：GTVA126001EC-V1 占空比；：10% 輸出功率（P3dB）：600W 排水效率 ：65%；

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-12 09:15

  GTVA123501FA-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：GTVA123501FA-V1 輸出功率：350W； 排水效率 ：70 %； 增益：18 分貝

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-11 15:20

  GTVA107001EC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：GTVA107001EC-V1 典型的脈沖連續(xù)波性能：1030兆赫 脈沖寬度：128 μs 占空比：10%

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