動態(tài)
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發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 10:54
CGH27030P高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：CGH27030P 操作頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信號增益：> 15 dB 小信號增益341瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 10:45
CGH25120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：CGH25120F 頻率：2.3 – 2.7 GHz 操作 增益：13分貝增益 PAVE功率：20 W PAVE 時 -32 dBc ACLR396瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 10:32
CGH21240F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板
產(chǎn)品型號：CGH21240F-AMP 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 PAVE功率：40 W PAVE 時 -35 dBc ACLR165瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 10:30
CGH21240F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：CGH21240F 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 功率：40 W PAVE 時 -35 dBc ACLR179瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 10:16
CGH21120F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板
產(chǎn)品型號：CGH21120F-AMP 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 功率：-35 dBc ACLR，20 W PAVE107瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 10:13
CGH21120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：CGH21120F 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 功率：-35 dBc ACLR，20 W PAVE192瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 10:00
CGH09120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：CGH09120F 頻率：UHF – 2.5 GHz 操作 增益：21分貝增益 功率：-38 dBc ACLR，20 W PAVE412瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 09:47
CG2H80120D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：CG2H80120D-GP4 PSAT功率：120 W 典型 PSAT 操作電壓：28 伏操作 電壓：高擊穿電壓205瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 09:33
CG2H80060D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號：CG2H80060D-GP4 PSAT功率：60 W 典型 PSAT 操作電壓：28 伏操作 電壓：高擊穿電壓215瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-24 22:35
C3M0160120J碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號：C3M0160120J 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動態(tài)：-8/+19V 柵極-源極電壓靜態(tài)：-4/+15V314瀏覽量
