動態(tài)
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發(fā)布了文章 2022-10-08 14:40
博捷芯劃片機:不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝
晶圓經(jīng)過前道工序后芯片制備完成，還需要經(jīng)過切割使晶圓上的芯片分離下來，最后進行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同：厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割；厚度不到100um的晶圓一般使用激光切割，激光切割可以減少剝落和裂紋的問題，但是在100um以上時，生產(chǎn)效率將大大降低；厚度不到30um的晶圓則使用等離子切割，等離子切割速度快，不會對晶圓表面造成9.8k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-08-19 14:06
半導(dǎo)體劃片機的三種切割方式
劃片機的種類主要分為三種：分別是全自動劃片、半自動劃片（包含自動識別、手動識別）、手動劃片。具體功能如下：全自動劃片：是指在完成加工物模板教學(xué)的前提下，設(shè)備將對工作臺上的加工物自動上料，自動識別，自動清洗，依據(jù)切割參數(shù)的設(shè)定，沿多個切割向連續(xù)地進行切割。半自動劃片：對工作臺上的加工物（確定切割位置）后，依據(jù)切割參數(shù)的設(shè)定，可進行自動識別或手動識別，沿多個切割1.6k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-08-10 13:58
劃片機操作安全注意事項
精密劃片機是一種綜合了電力、壓縮空氣、冷卻水、氣浮高速主軸、精密機械傳動、傳感器及自動化控制等技術(shù)的精密數(shù)控設(shè)備。在安裝、調(diào)試、使用、保養(yǎng)、維修等操作之前，必須確認下列安全信息、操作規(guī)程以及注意事項。一、設(shè)備的安裝與調(diào)試1、劃片機的四周必須保留不小于0.5米的無障礙空間，方便操作及維修人員進行生產(chǎn)操作、保養(yǎng)和檢修。2、劃片機應(yīng)安裝在無明顯震動、無腐蝕性氣體、2.2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-07-26 10:31
精密劃片機:半導(dǎo)體材料在芯片生產(chǎn)制造過程中的關(guān)鍵性作用
半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的重要環(huán)節(jié)，在芯片制造過程中起著關(guān)鍵作用。半導(dǎo)體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其中，基體材料主要用于制造硅晶圓或化合物半導(dǎo)體；制造材料主要是將硅晶圓或化合物半導(dǎo)體加工成芯片所需的各種材料；包裝材料是包裝和切割芯片時使用的材料。本文主要介紹了半導(dǎo)體制造和密封測試中涉及的主要半導(dǎo)體材料?；w材料根據(jù)芯片材料的不同，基體材2.5k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-07-19 13:40
劃片機：晶圓加工第八篇—半導(dǎo)體芯片封裝完結(jié)篇
封裝經(jīng)過之前幾個工藝處理的晶圓上會形成大小相等的方形芯片（又稱“單個晶片”）。下面要做的就是通過切割獲得單獨的芯片。剛切割下來的芯片很脆弱且不能交換電信號，需要單獨進行處理。這一處理過程就是封裝，包括在半導(dǎo)體芯片外部形成保護殼和讓它們能夠與外部交換電信號。整個封裝制程分為五步，即晶圓鋸切、單個晶片附著、互連、成型和封裝測試。1、晶圓鋸切要想從晶圓上切出無數(shù)致1.5k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-07-18 14:05
國內(nèi)陸芯劃片機：晶圓加工第七篇—如何對半導(dǎo)體芯片進行測試
測試測試的主要目標是檢驗半導(dǎo)體芯片的質(zhì)量是否達到一定標準，從而消除不良產(chǎn)品、并提高芯片的可靠性。另外，經(jīng)測試有缺陷的產(chǎn)品不會進入封裝步驟，有助于節(jié)省成本和時間。電子管芯分選(EDS)就是一種針對晶圓的測試方法。EDS是一種檢驗晶圓狀態(tài)中各芯片的電氣特性并由此提升半導(dǎo)體良率的工藝。EDS可分為五步，具體如下：1、電氣參數(shù)監(jiān)控(EPM)EPM是半導(dǎo)體芯片測試的第1.5k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-07-14 09:21
陸芯劃片機：晶圓加工第五篇—如何在晶圓表面形成薄膜？
薄膜沉積為了創(chuàng)建芯片內(nèi)部的微型器件，我們需要不斷地沉積一層層的薄膜并通過刻蝕去除掉其中多余的部分，另外還要添加一些材料將不同的器件分離開來。每個晶體管或存儲單元就是通過上述過程一步步構(gòu)建起來的。我們這里所說的“薄膜”是指厚度小于1微米（μm，百萬分之一米）、無法通過普通機械加工方法制造出來的“膜”。將包含所需分子或原子單元的薄膜放到晶圓上的過程就是“沉積”。1.1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-07-12 14:56
劃片機：晶圓加工第四篇—刻蝕的兩種方法
刻蝕在晶圓上完成電路圖的光刻后，就要用刻蝕工藝來去除任何多余的氧化膜且只留下半導(dǎo)體電路圖。要做到這一點需要利用液體、氣體或等離子體來去除選定的多余部分。刻蝕的方法主要分為兩種，取決于所使用的物質(zhì)：使用特定的化學(xué)溶液進行化學(xué)反應(yīng)來去除氧化膜的濕法刻蝕，以及使用氣體或等離子體的干法刻蝕。1、濕法刻蝕使用化學(xué)溶液去除氧化膜的濕法刻蝕具有成本低、刻蝕速度快和生產(chǎn)率高2.9k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-07-11 10:35
劃片機：晶圓加工第三篇—光刻技術(shù)分為三個步驟
光刻光刻是通過光線將電路圖案“印刷”到晶圓上，我們可以將其理解為在晶圓表面繪制半導(dǎo)體制造所需的平面圖。電路圖案的精細度越高，成品芯片的集成度就越高，必須通過先進的光刻技術(shù)才能實現(xiàn)。具體來說，光刻可分為涂覆光刻膠、曝光和顯影三個步驟。1、涂覆光刻膠在晶圓上繪制電路的第一步是在氧化層上涂覆光刻膠。光刻膠通過改變化學(xué)性質(zhì)的方式讓晶圓成為“相紙”。晶圓表面的光刻膠層2.3k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-07-09 13:45
劃片機：晶圓加工第二篇—關(guān)于晶圓氧化過程，這些變量會影響它的厚度
氧化氧化過程的作用是在晶圓表面形成保護膜。它可以保護晶圓不受化學(xué)雜質(zhì)影響、避免漏電流進入電路、預(yù)防離子植入過程中的擴散以及防止晶圓在刻蝕時滑脫。氧化過程的第一步是去除雜質(zhì)和污染物，需要通過四步去除有機物、金屬等雜質(zhì)及蒸發(fā)殘留的水分。清潔完成后就可以將晶圓置于800至1200攝氏度的高溫環(huán)境下，通過氧氣或蒸氣在晶圓表面的流動形成二氧化硅（即“氧化物”）層。氧氣2k瀏覽量
