動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-01-14 12:02

  激光雷達(dá)光電組件的AEC-Q102認(rèn)證：保障自動(dòng)駕駛硬件的可靠性與品質(zhì)

  

  自動(dòng)駕駛的發(fā)展與激光雷達(dá)的作用由于目前5G技術(shù)的廣泛應(yīng)用，自動(dòng)駕駛技術(shù)正逐步從理論走向?qū)嶋H應(yīng)用。在這一轉(zhuǎn)型過程中，激光雷達(dá)（LiDAR）作為一種高精度、高適應(yīng)性和強(qiáng)大的環(huán)境感知能力的傳感器，已經(jīng)成為自動(dòng)駕駛技術(shù)中不可或缺的核心組件。市場研究預(yù)測，到2025年，全球激光雷達(dá)市場規(guī)模將達(dá)到135.4億美元，這一數(shù)字不僅顯示了激光雷達(dá)技術(shù)的市場潛力，也反映了其在自

  光電 激光雷達(dá) 自動(dòng)駕駛

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• 發(fā)布了文章 2025-01-14 12:01

  LED失效分析重要手段——光熱分布檢測

  

  光熱分布檢測意義在LED失效分析領(lǐng)域，光熱分布檢測技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。LED作為一種高效的照明技術(shù)，其性能和壽命受到多種因素的影響，其中光和熱的分布情況尤為關(guān)鍵。光熱分布不均可能導(dǎo)致芯片界面開裂、斷裂、漏電等問題，這些問題不僅影響LED產(chǎn)品的可靠性，還可能縮短其使用壽命。因此，對LED產(chǎn)品的光熱分布情況進(jìn)行精確檢測和分析，對于提升產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性具有重

  led 失效分析 檢測

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• 發(fā)布了文章 2025-01-14 12:00

  一文帶你讀懂EBSD

  

  電子背散射衍射（ElectronBackscatterDiffraction，簡稱EBSD）技術(shù)是一種基于掃描電子顯微鏡（SEM）的顯微分析技術(shù)，它能夠提供材料微觀結(jié)構(gòu)的詳細(xì)信息，包括晶體取向、晶體結(jié)構(gòu)、晶界特征等。EBSD技術(shù)在材料科學(xué)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，如相鑒定、晶體取向分析、織構(gòu)分析、晶界特征研究等。SEM原理：EBSD技術(shù)的基石掃描電子顯微鏡（SEM

  SEM 顯微鏡 電子束

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• 發(fā)布了文章 2025-01-14 11:58

  PCB線路板離子污染度的檢測技術(shù)與報(bào)告規(guī)范

  

  PCB線路板離子污染度概覽在電子制造領(lǐng)域，隨著技術(shù)的發(fā)展，PCB線路板的集成度不斷攀升，元件布局變得更加密集，線路間距也日益縮小。在這樣的技術(shù)背景下，對PCB線路板的清潔度要求也隨之提高。離子污染，作為影響PCB板清潔度的重要因素之一，其控制變得尤為關(guān)鍵。PCB線路板在潮濕環(huán)境中運(yùn)行時(shí)，可能會遭遇各種離子污染殘留物的問題。這些殘留物可能來自助焊劑殘留、化學(xué)清

  pcb PCB PCB線路板 檢測

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• 發(fā)布了文章 2025-01-13 11:20

  漏電起痕試驗(yàn)

  

  漏電起痕的定義與重要性當(dāng)固體絕緣材料在電場和電解液的聯(lián)合作用下，其表面可能會逐漸形成導(dǎo)電路徑，這種現(xiàn)象被稱為電痕化。材料對電痕化現(xiàn)象的抵抗能力，即其耐電痕化性能，是衡量絕緣材料絕緣性能優(yōu)劣的一個(gè)重要指標(biāo)。電痕化的發(fā)生可能會導(dǎo)致電氣設(shè)備的性能退化，甚至引起設(shè)備故障，因此，耐電痕化性能成為了評估絕緣材料質(zhì)量和可靠性的關(guān)鍵指標(biāo)之一。耐漏電起痕試驗(yàn)的目的耐漏電起痕測

  測試 漏電

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• 發(fā)布了文章 2025-01-13 11:19

  電子背散射衍射（EBSD）技術(shù)與其它衍射分析方法的對比

  

  電子背散射衍射（EBSD）技術(shù)概述電子背散射衍射（EBSD）技術(shù)是一種在材料科學(xué)領(lǐng)域中用于表征晶體結(jié)構(gòu)的重要方法。它通過分析從樣品表面反射回來的電子的衍射模式，能夠精確地測量晶體的取向、晶界的角度差異、不同物相的識別，以及晶體的局部完整性等關(guān)鍵信息。傳統(tǒng)衍射技術(shù)的局限性傳統(tǒng)的晶體結(jié)構(gòu)和晶粒取向分析方法，如X光衍射（XRD）和中子衍射，雖然能夠提供材料的宏觀統(tǒng)

  材料 測量

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• 發(fā)布了文章 2025-01-13 11:18

  2024年環(huán)保法規(guī)關(guān)鍵動(dòng)態(tài)回顧與分析

  

  歐盟RoHS指令的最新動(dòng)態(tài)與合規(guī)性分析歐盟RoHS指令（RestrictionofHazardousSubstances）是一項(xiàng)旨在限制電子電氣設(shè)備中有害物質(zhì)使用的法規(guī)。該指令自2003年首次發(fā)布以來，經(jīng)過多次修訂，目前以2011/65/EU指令的形式存在。其核心目標(biāo)是通過限制特定有害物質(zhì)的使用，減少對環(huán)境和人體健康的潛在危害。限用物質(zhì)的最新調(diào)整2024年1

  RoHS 電氣設(shè)備

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• 發(fā)布了文章 2025-01-10 11:03

  破壞性物理分析(DPA)技術(shù)在元器件中的應(yīng)用

  

  在現(xiàn)代電子元器件的生產(chǎn)加工過程中，破壞性物理分析（DPA）技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。DPA技術(shù)通過對元器件進(jìn)行解剖和分析，能夠深入揭示其內(nèi)部結(jié)構(gòu)與材料特性，從而對生產(chǎn)過程進(jìn)行有效監(jiān)控，確保關(guān)鍵工藝的質(zhì)量符合標(biāo)準(zhǔn)。電子元器件破壞性分析電子元器件破壞性物理分析，簡稱DPA，是一種用于評估電子元器件功能狀態(tài)和質(zhì)量水平的分析方法。它通過物理手段對元器件進(jìn)行解剖，分析

  DPA 元器件 半導(dǎo)體器件

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• 發(fā)布了文章 2025-01-10 11:01

  聚焦離子束技術(shù)中液態(tài)鎵作為離子源的優(yōu)勢

  

  聚焦離子束（FIB）在芯片制造中的應(yīng)用聚焦離子束（FIB）技術(shù)在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。它不僅能夠進(jìn)行精細(xì)的結(jié)構(gòu)切割和線路修改，還能用于觀察和制備透射電子顯微鏡（TEM）樣品。金屬鎵作為離子源的優(yōu)勢在FIB技術(shù)中，金屬鎵被廣泛用作離子源，這與其獨(dú)特的物理特性密切相關(guān)。鎵的熔點(diǎn)僅為29.76°C，這意味著在室溫稍高的情況下，鎵就能保持液態(tài)，便于

  fib 離子束 離子源 芯片制造

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• 發(fā)布了文章 2025-01-10 11:00

  EBSD在晶粒度測量中的分析和應(yīng)用

  

  EBSD技術(shù)在WC粉末晶粒度測量中的應(yīng)用晶粒尺寸分布是評價(jià)碳化鎢（WC）粉末質(zhì)量的關(guān)鍵因素，它直接影響材料的物理特性。電子背散射衍射技術(shù)（EBSD），作為一種尖端的晶體學(xué)分析手段，能夠詳盡地揭示W(wǎng)C粉末的晶粒取向和尺寸分布情況。這種技術(shù)的應(yīng)用，為深入理解WC粉末的微觀結(jié)構(gòu)提供了強(qiáng)有力的工具。EBSD技術(shù)原理EBSD技術(shù)通過分析樣品表面的電子背散射衍射模式，構(gòu)

  晶粒 測量

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