動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-01-07 11:19

  聚焦離子束（FIB）在加工硅材料的應(yīng)用

  

  在材料分析中的關(guān)鍵作用在材料科學(xué)領(lǐng)域，聚焦離子束（FIB）技術(shù)已經(jīng)成為一種重要的工具，尤其在制備透射電子顯微鏡（TEM）樣品時(shí)顯示出其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。金鑒實(shí)驗(yàn)室作為行業(yè)領(lǐng)先的檢測(cè)機(jī)構(gòu)，能夠幫助研究人員準(zhǔn)確評(píng)估FIB加工對(duì)材料的影響，確保樣品的質(zhì)量和分析的可靠性。本文將深入探討FIB技術(shù)在TEM樣品制備中的應(yīng)用，并分析由此產(chǎn)生的人工缺陷問題。FIB技術(shù)的卓越性能F

  fib 硅材料 離子束

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• 發(fā)布了文章 2025-01-07 11:17

  電子背散射衍射晶體學(xué)織構(gòu)分析與數(shù)據(jù)處理

  

  晶體的取向，即晶體坐標(biāo)系（CCS）相對(duì)于樣品坐標(biāo)系（SCS）的定位，對(duì)于理解材料的物理和化學(xué)性質(zhì)具有決定性的作用。晶體取向不僅影響材料的力學(xué)性能，如強(qiáng)度、韌性、塑性等，還對(duì)電學(xué)、熱學(xué)、光學(xué)等性能產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。例如，在半導(dǎo)體材料中，晶體取向決定了載流子的遷移率和復(fù)合效率，從而影響器件的性能；在金屬材料中，晶體取向影響金屬的塑性變形機(jī)制和疲勞壽命等。1.旋轉(zhuǎn)矩

  數(shù)據(jù)處理 晶體 材料

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• 發(fā)布了文章 2025-01-07 11:13

  電氣安全測(cè)試項(xiàng)目詳解

  

  安全檢測(cè)認(rèn)證的重要性在電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與制造過程中，安全性是不可忽視的核心要素。安全檢測(cè)認(rèn)證是確保電子產(chǎn)品在進(jìn)入市場(chǎng)前滿足安全標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵步驟。這些認(rèn)證過程涵蓋了模擬用戶可能的使用情況，包括正常使用和異常使用，以評(píng)估產(chǎn)品可能帶來的風(fēng)險(xiǎn)，如電擊、火災(zāi)和機(jī)械傷害，并在產(chǎn)品出廠前通過設(shè)計(jì)預(yù)防這些風(fēng)險(xiǎn)。國(guó)際安規(guī)體系概覽IEC：國(guó)際電工委員會(huì)，負(fù)責(zé)制定國(guó)際電工標(biāo)準(zhǔn)。UL：

  檢測(cè)認(rèn)證 測(cè)試 電氣安全 耐壓測(cè)試

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• 發(fā)布了文章 2025-01-06 12:29

  EBSD技術(shù)在氬離子截面切割制樣中的應(yīng)用

  

  電子背散射衍射技術(shù)電子背散射衍射技術(shù)（ElectronBackscatterDiffraction，簡(jiǎn)稱EBSD）是一種將顯微組織與晶體學(xué)分析相結(jié)合的先進(jìn)圖像分析技術(shù)。起源于20世紀(jì)80年代末，經(jīng)過十多年的發(fā)展，EBSD已經(jīng)成為材料科學(xué)領(lǐng)域中不可或缺的分析工具。EBSD技術(shù)通過分析晶體的取向來成像，因此也被稱為取向成像顯微術(shù)。EBSD成像原理及其應(yīng)用EBSD

  顯微鏡 材料

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• 發(fā)布了文章 2025-01-06 12:28

  半導(dǎo)體需要做哪些測(cè)試

  

  設(shè)計(jì)芯片：半導(dǎo)體制造的起點(diǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造始于芯片設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)階段是整個(gè)制造過程的第一步，工程師們根據(jù)產(chǎn)品所需的功能來設(shè)計(jì)芯片。芯片設(shè)計(jì)完成后，下一步是將這些設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)化為實(shí)體的晶圓。晶圓由重復(fù)排列的芯片組成，每個(gè)小格子狀的結(jié)構(gòu)就代表一個(gè)芯片。芯片的體積大小直接影響到單個(gè)晶圓上可以產(chǎn)出的芯片數(shù)量。半導(dǎo)體制程工序概覽半導(dǎo)體制程工序可以分為三個(gè)主要階段：晶圓制作、封裝

  半導(dǎo)體 封裝測(cè)試 測(cè)試 芯片設(shè)計(jì)

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• 發(fā)布了文章 2025-01-06 12:26

  FIB-SEM技術(shù)全解析：原理與應(yīng)用指南

  

  聚焦離子束掃描電子顯微鏡（FIB-SEM）雙束系統(tǒng)是一種集成了聚焦離子束（FIB）和掃描電子顯微鏡（SEM）功能的高科技分析儀器。它通過結(jié)合氣體沉積裝置、納米操縱儀、多種探測(cè)器和可控樣品臺(tái)等附件，實(shí)現(xiàn)了微區(qū)成像、加工、分析和操縱的一體化。這種系統(tǒng)在物理、化學(xué)、生物、新材料、農(nóng)業(yè)、環(huán)境和能源等多個(gè)領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。FIB-SEM雙束系統(tǒng)1.系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與工作原

  fib SEM 顯微鏡

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• 發(fā)布了文章 2025-01-06 12:25

  中歐RoHS對(duì)比：五大顯著差異

  

  在全球范圍內(nèi)，隨著數(shù)字化和電子設(shè)備的迅速普及，RoHS（限制使用某些有害物質(zhì)）倡議已成為確保電子電氣產(chǎn)品環(huán)保合規(guī)性的重要標(biāo)準(zhǔn)。這一倡議不僅在歐盟得到實(shí)施，而且在全球多個(gè)國(guó)家和地區(qū)得到了響應(yīng)和采納。范圍管控的差異性1.歐盟RoHS與直流電、交流電產(chǎn)品管控歐盟RoHS指令主要針對(duì)的是直流電1500伏、交流電1000伏以下的電子電氣產(chǎn)品，這一管控范圍廣泛覆蓋了市場(chǎng)

  RoHS 檢測(cè) 直流電

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• 發(fā)布了文章 2025-01-06 12:24

  什么是引線鍵合（WireBonding）

  

  線鍵合（WireBonding）線鍵合是一種使用細(xì)金屬線，利用熱、壓力、超聲波能量為使金屬引線與基板焊盤緊密焊合，實(shí)現(xiàn)芯片與基板間的電氣互連和芯片間的信息互通。在理想控制條件下，引線和基板間會(huì)發(fā)生電子共享或原子的相互擴(kuò)散，從而使兩種金屬間實(shí)現(xiàn)原子量級(jí)上的鍵合。圖1在IC封裝中，芯片和引線框架（基板）的連接為電源和信號(hào)的分配提供了電路連接。有三種方式實(shí)現(xiàn)內(nèi)部連

  基板 引線鍵合 芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-01-03 16:59

  什么是燈具的耐壓測(cè)試方法？

  

  耐壓測(cè)試概念耐壓測(cè)試，亦稱為高壓測(cè)試，是一種通過在絕緣體兩端施加預(yù)定的高電壓并保持一定時(shí)間，通過監(jiān)測(cè)流經(jīng)絕緣體的電流大小來評(píng)估其絕緣性能的檢測(cè)方法。耐壓測(cè)試的重要性電力系統(tǒng)的內(nèi)部過電壓可能由電網(wǎng)切換操作或設(shè)備故障引起，這要求用電設(shè)備的絕緣體不僅要承受額定電壓，還要能承受一定的過電壓。耐壓測(cè)試能夠驗(yàn)證產(chǎn)品的絕緣性能和設(shè)計(jì)余量，是確保產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵步驟。此外，耐

  燈具 耐壓測(cè)試 高壓測(cè)試

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• 發(fā)布了文章 2025-01-03 16:58

  TEM樣本制備：透射電子顯微鏡技術(shù)指南

  

  機(jī)械研磨和離子濺射技術(shù)是硬質(zhì)材料樣品制備中常用的方法。首先，將樣品通過機(jī)械研磨的方式制成極薄的片狀，然后利用離子濺射技術(shù)進(jìn)一步減薄至電子能夠穿透的厚度。這一過程能夠使樣品達(dá)到透射電子顯微鏡（TEM）所需的觀察標(biāo)準(zhǔn)。以下是操作步驟：1.機(jī)械研磨：使用研磨設(shè)備將硬質(zhì)材料樣品磨成薄片。2.離子濺射：利用離子濺射設(shè)備進(jìn)一步減薄樣品，直至達(dá)到透射電子顯微鏡的觀察要求。

  TEM 機(jī)械 電子顯微鏡

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