動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2022-11-20 09:25

  400G以太網(wǎng)光模塊發(fā)展及聯(lián)訊測(cè)試方案

  

  云計(jì)算，VR/AR，AI，5G等技術(shù)的應(yīng)用對(duì)流量的需求非常大，流量的爆炸性增長(zhǎng)需要更高的帶寬，其中數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)傳輸距離通常較短，但是對(duì)帶寬需求更大。目前，數(shù)據(jù)中心不同機(jī)房間的互聯(lián)以及多個(gè)數(shù)據(jù)中心之間的互聯(lián)場(chǎng)景正逐步向400G甚至800G光模塊演進(jìn)。400G以太網(wǎng)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)發(fā)展IEEE802.3工作組主要側(cè)重以太網(wǎng)物理接口的標(biāo)準(zhǔn)化工作，截止到目前已經(jīng)發(fā)布了一系列

  以太網(wǎng) 光模塊 測(cè)試

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• 發(fā)布了文章 2022-11-20 09:23

  聯(lián)訊儀器裸Die半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試機(jī)

  

  芯片良率是影響企業(yè)成本的重要因素之一，半導(dǎo)體激光器屬于化合物半導(dǎo)體，其主要材質(zhì)以非常脆的砷化鎵、磷化銦為主，在其制備的各個(gè)工藝環(huán)節(jié)，良品率不高是一個(gè)普遍問(wèn)題。以國(guó)外知名芯片企業(yè)為例，其生產(chǎn)能達(dá)到70%以上良率，但后道封裝以及最終產(chǎn)品嚴(yán)格判定標(biāo)準(zhǔn)等累計(jì)具有30%良率的損失。良品率不高，就需要專用的測(cè)試裝備對(duì)不良品進(jìn)行篩選，國(guó)內(nèi)在此領(lǐng)域原先一直停留在低端的Bar

  激光器 芯片 芯片測(cè)試

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• 發(fā)布了文章 2022-11-20 09:22

  聯(lián)訊儀器 | CoC分選機(jī)

  

  CoC(ChiponCarrier)/CoS（ChiponSub-mount）架構(gòu)已成為二極管/激光器的流行封裝樣式。CoC通常采用定制的wafflepack或者Gel-Pak來(lái)運(yùn)輸存儲(chǔ)，并在測(cè)試?yán)匣炔煌ば蛄鬓D(zhuǎn)。由于CoC本身尺寸較小，在裝配運(yùn)輸CoC時(shí)極易產(chǎn)生損傷，包括人工夾取過(guò)程中的機(jī)械損傷，操作過(guò)程中產(chǎn)生ESD損傷，裝配過(guò)程中引入其他材質(zhì)導(dǎo)致污染等

  COS 儀器 激光器件

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-11-10 13:01

  30GHz 采樣示波器 DCA6201

  

  產(chǎn)品型號(hào)：DCA6201

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-11-10 12:10

  10GHz 采樣示波器 DCA4201

  

  產(chǎn)品型號(hào)：DCA4201 波長(zhǎng)：750nm ~ 1650nm 數(shù)據(jù)速率：1-11.3Gb/s

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-11-08 15:28

  四通道 PXIe 精密電源/測(cè)量單元 S0342C

  

  產(chǎn)品型號(hào)：S0342C 通道數(shù)：4 電壓：±30V 直流：±500mA

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-11-08 15:25

  單通道 PXIe 精密電源/測(cè)量單元 S2012C

  

  產(chǎn)品型號(hào)：S2012C 通道數(shù)：1 電壓：±200V 直流：±1A

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-11-08 15:21

  單通道 PXIe 精密電源/測(cè)量單元 S2011C

  

  產(chǎn)品型號(hào)：S2011C 通道數(shù)：1 電壓：±60V 直流：±3A

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-11-08 15:10

  單通道精密電源/測(cè)量單元 S3012H

  

  產(chǎn)品型號(hào)：S3012H 通道數(shù)：1 電壓：±200V 直流：±3A

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-11-08 14:36

  雙通道精密電源/測(cè)量單元 S3022F

  

  產(chǎn)品型號(hào)：S3022F

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