動態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-04-23 09:44
大數(shù)據(jù)時代,如何提高高速PCB設(shè)計效率?
在大數(shù)據(jù)時代,無論是數(shù)據(jù)中心的解決方案、汽車與工業(yè)設(shè)備,還是日常消費(fèi)電子產(chǎn)品,各類設(shè)備的信號傳輸速率正以前所未有的速度提升。以PCIe6.0為例,其傳輸速率已高達(dá)64Gbps;USB4緊隨其后,達(dá)到了40Gbps的速度;而并行總線DDR5也實現(xiàn)了每秒6.4Gbps的驚人速率。與此同時,高速總線的調(diào)制方式已經(jīng)從傳統(tǒng)的NRZ演進(jìn)至PAM4,甚至探索更高階的調(diào)制技446瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-04-21 11:24
DDR5測試技術(shù)更新漫談
一、前言DDRSDRAM,即雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,是現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)中至關(guān)重要的一種核心組件,其應(yīng)用范圍極其廣泛。無論是在消費(fèi)電子產(chǎn)品中,還是在商業(yè)和工業(yè)設(shè)備里,亦或是從終端產(chǎn)品到數(shù)據(jù)中心,DDRSDRAM均作為CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)處理和運(yùn)算的緩存發(fā)揮著不可或缺的作用。過去二十多年間,存儲技術(shù)經(jīng)歷了從SDRAM向DDRRAM的重大演進(jìn),直至今日的DDR5。 -
發(fā)布了文章 2025-04-16 15:35
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發(fā)布了文章 2025-04-11 15:00
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發(fā)布了文章 2025-04-07 09:49
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發(fā)布了文章 2025-04-03 10:50
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發(fā)布了文章 2025-04-02 10:11
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發(fā)布了文章 2025-03-31 11:36
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發(fā)布了文章 2025-03-26 10:08
EXR檢測 – 電源輸入端的浪涌電流測試
在開關(guān)電源的測試過程中,輸入端的浪涌電流是一項極為關(guān)鍵的檢測指標(biāo)。作為電能接入電源設(shè)備的首道關(guān)卡,它直接關(guān)系到電源設(shè)計電路能否穩(wěn)定可靠地運(yùn)行。其重要性堪比示波器帶寬之于信號測量,是評估電源性能不可或缺的重要參數(shù)。當(dāng)電源首次開機(jī)時,輸入端的濾波電容會瞬間表現(xiàn)為短路狀態(tài),從而產(chǎn)生一個上升時間極短的沖擊電流。在測試過程中,經(jīng)驗豐富的工程師通常依據(jù)濾波器件的特性,將369瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-03-24 09:43