動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-07-11 09:59

  淺切多道切割工藝對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機制與參數(shù)優(yōu)化

  

  一、引言 在半導體制造領(lǐng)域，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標之一，直接影響芯片制造的良品率與性能。傳統(tǒng)切割工藝在加工過程中，易因單次切割深度過大引發(fā)應力集中、振動等問題，導致晶圓 TTV 厚度均勻性欠佳。淺切多道切割工藝作為一種創(chuàng)新加工方式，為提升晶圓 TTV 厚度均勻性提供了新方向，深入探究其提升機制與參數(shù)優(yōu)化方法具有重要的現(xiàn)實意義。 二

  晶圓 碳化硅

  83瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-07-10 09:39

  晶圓切割振動監(jiān)測系統(tǒng)與進給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

  

  一、引言 晶圓切割是半導體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，切割過程中的振動會影響晶圓表面質(zhì)量與尺寸精度，而進給參數(shù)的設(shè)置對振動產(chǎn)生及切割效率有著重要影響。將振動監(jiān)測系統(tǒng)與進給參數(shù)協(xié)同優(yōu)化，能有效提升晶圓切割質(zhì)量。但目前二者常被獨立研究，難以實現(xiàn)最佳切割效果，構(gòu)建協(xié)同優(yōu)化模型迫在眉睫。 二、振動監(jiān)測系統(tǒng)與進給參數(shù)協(xié)同優(yōu)化的必要性 2.1 振動對進給參數(shù)的影響 晶圓切割時

  晶圓 監(jiān)測系統(tǒng)

  44瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-07-09 09:52

  超薄晶圓切割：振動控制與厚度均勻性保障

  

  超薄晶圓因其厚度極薄，在切割時對振動更為敏感，易影響厚度均勻性。我將從分析振動對超薄晶圓切割的影響出發(fā)，探討針對性的振動控制技術(shù)和厚度均勻性保障策略。 超薄晶圓（

  切割 晶圓 碳化硅

  98瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-07-08 09:33

  晶圓切割中振動 - 應力耦合效應對厚度均勻性的影響及抑制方法

  

  一、引言 在半導體晶圓制造流程里，晶圓切割是決定芯片質(zhì)量與生產(chǎn)效率的重要工序。切割過程中，振動與應力的耦合效應顯著影響晶圓質(zhì)量，尤其對厚度均勻性干擾嚴重。深入剖析振動 - 應力耦合效應對晶圓厚度均勻性的影響機制，并提出有效抑制方法，是提升晶圓加工精度、推動半導體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵所在。 二、振動 - 應力耦合效應對晶圓厚度均勻性的影響 2.1 振動引發(fā)

  晶圓

  98瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-07-07 09:43

  基于多物理場耦合的晶圓切割振動控制與厚度均勻性提升

  

  一、引言 在半導體制造領(lǐng)域，晶圓切割是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其質(zhì)量直接影響芯片性能與成品率。晶圓切割過程中，熱場、力場、流場等多物理場相互耦合，引發(fā)切割振動，嚴重影響晶圓厚度均勻性。探究多物理場耦合作用下的振動產(chǎn)生機制，提出有效的控制策略以提升厚度均勻性，對推動半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義深遠。 二、多物理場耦合對晶圓切割振動及厚度均勻性的影響 2.1 熱 - 力場耦合作用

  晶圓 碳化硅

  140瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-07-03 09:47

  碳化硅襯底切割自動對刀系統(tǒng)與進給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

  

  一、引言 碳化硅（SiC）襯底憑借優(yōu)異性能在半導體領(lǐng)域地位關(guān)鍵，其切割加工精度和效率影響產(chǎn)業(yè)發(fā)展。自動對刀系統(tǒng)決定切割起始位置準確性，進給參數(shù)控制切割過程穩(wěn)定性，二者協(xié)同優(yōu)化對提升碳化硅襯底切割質(zhì)量與效率意義重大。然而，當前研究多將二者獨立分析，難以滿足高精度切割需求，亟需構(gòu)建協(xié)同優(yōu)化模型。 二、自動對刀系統(tǒng)與進給參數(shù)協(xié)同優(yōu)化的挑戰(zhàn) 2.1 動態(tài)交互復雜

  SiC 半導體 碳化硅

  148瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-07-02 09:49

  超薄碳化硅襯底切割自動對刀精度提升策略

  

  超薄碳化硅襯底（

  晶圓 碳化硅

  118瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-07-01 09:55

  修屏 4.0 時代：新啟航數(shù)字孿生技術(shù)如何實現(xiàn)激光修屏修復工藝遠程優(yōu)化？

  

  一、修屏 4.0 時代的技術(shù)特征 修屏 4.0 時代以智能化、數(shù)字化、遠程化協(xié)同為核心特征。傳統(tǒng)修屏依賴人工經(jīng)驗與現(xiàn)場調(diào)試，而 4.0 時代通過數(shù)字孿生、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等技術(shù)融合，實現(xiàn)修復全流程的虛擬映射與動態(tài)優(yōu)化。新啟航數(shù)字孿生技術(shù)打破時空限制，構(gòu)建激光修屏 “物理設(shè)備 - 虛擬模型 - 數(shù)據(jù)交互” 閉環(huán)，為遠程優(yōu)化修復工藝提供技術(shù)支撐。 二、新啟航數(shù)

  激光 面板

  298瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-06-30 09:59

  基于機器視覺的碳化硅襯底切割自動對刀系統(tǒng)設(shè)計與厚度均勻性控制

  

  一、引言 碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的代表，以其卓越的物理化學性能，在新能源汽車、軌道交通、5G 通信等關(guān)鍵領(lǐng)域展現(xiàn)出不可替代的作用。然而，SiC 材料硬度高、脆性大的特性，給其襯底切割加工帶來了極大挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)切割方法存在切割精度低、效率慢、厚度均勻性差等問題，嚴重制約了 SiC 器件的性能與生產(chǎn)規(guī)模。在此背景下，開發(fā)基于機器視覺的碳化硅襯底切割

  晶圓 機器視 碳化硅

  462瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-06-28 09:48

  柔性屏激光修屏禁區(qū)突破：新啟航如何實現(xiàn)曲面 OLED 面板的無損修復？

  

  一、引言 柔性 OLED 面板憑借其輕薄、可彎曲等特性，在智能終端、可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域廣泛應用。然而，生產(chǎn)過程中面板易出現(xiàn)缺陷，傳統(tǒng)修復方法難以滿足曲面 OLED 面板的無損修復需求。新啟航半導體有限公司在激光修屏技術(shù)上取得突破，為曲面 OLED 面板修復提供了新路徑。 二、曲面 OLED 面板特性與修復難點 2.1 結(jié)構(gòu)與特性 曲面 OLED 面板主要

  OLED 激光屏

  153瀏覽量