向欣電子文章

• 低功耗碳化硅 MOSFET 的發(fā)展 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片2024-09-24 08:02

  

  一、前言隨著電動(dòng)汽車的發(fā)展，汽車功率器件芯片也正在尋求能夠有效處理更高工作電壓和溫度的組件。此時(shí)碳化硅MOSFET成為牽引逆變器等電動(dòng)汽車構(gòu)建模塊的首選技術(shù)?；谔蓟璧哪孀兤骺墒垢哌_(dá)800V的電氣系統(tǒng)顯著延長EV續(xù)航里程并將充電時(shí)間減半。據(jù)行業(yè)研究公司IHSMarkit的數(shù)據(jù)，到2025年，全球高達(dá)45%的汽車生產(chǎn)將實(shí)現(xiàn)電氣化，每年將售出約4600萬輛電動(dòng)

  MOSFET 低功耗 碳化硅 922瀏覽量

• 電路板熱設(shè)計(jì)和熱仿真的關(guān)系2024-09-22 08:01

  

  一.熱設(shè)計(jì)的重要性電源產(chǎn)品電子設(shè)備在工作期間所消耗的電能，除了有用功外，大部分轉(zhuǎn)化成熱量散發(fā)。電子設(shè)備產(chǎn)生的熱量，使內(nèi)部溫度迅速上升，如果不及時(shí)將該熱量散發(fā)，設(shè)備會(huì)繼續(xù)升溫，器件就會(huì)因過熱失效，電子設(shè)備的可靠性將下降。SMT使電子設(shè)備的安裝密度增大，有效散熱面積減小，設(shè)備溫升嚴(yán)重地影響可靠性，因此，對熱設(shè)計(jì)的研究顯得十分重要。二.印制電路板溫升因素分析引起印

  熱仿真 熱設(shè)計(jì) 電路板 1202瀏覽量

• 電子封裝 | Die Bonding 芯片鍵合的主要方法和工藝2024-09-20 08:04

  

  DieBound芯片鍵合，是在封裝基板上安裝芯片的工藝方法。本文詳細(xì)介紹一下幾種主要的芯片鍵合的方法和工藝。什么是芯片鍵合在半導(dǎo)體工藝中，“鍵合”是指將晶圓芯片連接到基板上。連接可分為兩種類型，即傳統(tǒng)方法和先進(jìn)方法。傳統(tǒng)的方法包括晶片連接和電線連接，而先進(jìn)的方法包括IBM在60年代末開發(fā)的倒裝芯片連接。倒裝芯片鍵合是一種結(jié)合了模具鍵合和導(dǎo)線鍵合的方法，是通過

  東芯半導(dǎo)體 電子封裝 芯片 1943瀏覽量

• 動(dòng)力電池TIM熱管理材料 | 氮化硼耐高溫高導(dǎo)熱絕緣片2024-09-20 08:04

  

  電池問題是新能源汽車起火的最大原因。新能源車的電池受到了外部刺激帶來的壓力后，變形增壓或升溫，并隨之會(huì)發(fā)生熱失控，進(jìn)而引發(fā)自燃和爆炸。根據(jù)新能源汽車國家大數(shù)據(jù)聯(lián)盟的數(shù)據(jù)，已查明著火原因的車輛中，58%車輛起火源于電池問題，19%車輛起火源于碰撞問題，還有部分車輛的起火原因源于浸水、零部件故障、使用問題等原因。新能源車電池的最適宜工作溫度在10-30℃之間。低

  Tim 動(dòng)力電池 熱管理 1047瀏覽量

• DBC陶瓷基板 | 氮化硼耐高溫高導(dǎo)熱絕緣片2024-09-18 08:02

  

  隨著電子技術(shù)的發(fā)展，芯片的集成度不斷提高，電路布線也越來越細(xì)。因此，每單位面積的功耗增加，導(dǎo)致發(fā)熱增加和潛在的設(shè)備故障。直接粘合銅（DBC）陶瓷基板因其優(yōu)異的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性而成為重要的電子封裝材料，特別是在功率模塊（IGBT）和集成電力電子模塊中。直接敷銅陶瓷基板（DBC）由陶瓷基片與銅箔在高溫下（1065℃）共晶燒結(jié)而成，最后根據(jù)布線要求，以刻蝕方式形成線

  DBC 導(dǎo)熱 絕緣 陶瓷基板 1338瀏覽量

• 碳化硅 （SiC） 與氮化鎵 （GaN）應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片2024-09-16 08:02

  

  SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和擊穿場方面相對相似。氮化鎵的帶隙為3.2eV，而碳化硅的帶隙為3.4eV。雖然這些值看起來相似，但它們明顯高于硅的帶隙。硅的帶隙僅為1.1eV，比氮化鎵和碳化硅小三倍。這些化合物的較高帶隙允許氮化鎵和碳化硅舒

  GaN SiC 氮化鎵 碳化硅 1398瀏覽量

• IGBT主動(dòng)散熱和被動(dòng)散熱 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片2024-09-15 08:03

  

  摘要：隨著絕緣柵雙極晶體管（IGBT）向高功率和高集成度方向發(fā)展，在結(jié)構(gòu)和性能上有很大的改進(jìn)，熱產(chǎn)生問題日益突出，對散熱的要求越來越高，IGBT芯片是產(chǎn)生熱量的核心功能器件，但熱量的積累會(huì)嚴(yán)重影響器件的工作性能。因此，對IGBT模塊的溫度進(jìn)行有效地檢測和管理是十分重要的環(huán)節(jié)。綜述了IGBT模塊的研究現(xiàn)狀、研究熱點(diǎn)以及散熱相關(guān)技術(shù)，主要介紹了主動(dòng)散熱和被動(dòng)散熱

  IGBT 晶體管 絕緣片 1828瀏覽量

• 新能源汽車制冷和制熱技術(shù)分析 | 電動(dòng)汽車氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片2024-09-14 08:03

  

  新能源汽車以電能或其他清潔能源作為動(dòng)力來源,具有節(jié)能環(huán)保、運(yùn)行成本低等優(yōu)點(diǎn),已成為汽車工業(yè)發(fā)展的重要方向[1]。然而,由于取消了內(nèi)燃機(jī)這一常規(guī)熱源,新能源汽車的制熱和制冷系統(tǒng)面臨諸多挑戰(zhàn)。合理設(shè)計(jì)制冷和制熱系統(tǒng),選擇適宜的制冷劑,對于提高新能源汽車的熱舒適性和能源利用效率具有重要意義。一、新能源汽車制熱方式1.1PTC電加熱器PTC(PositiveTemp

  新能源汽車 電動(dòng)汽車 絕緣片 2307瀏覽量

• 芯片開發(fā)與整車開發(fā)的協(xié)同適應(yīng)策略探討2024-09-13 08:03

  

  隨著汽車電子化和智能化的加速發(fā)展，芯片作為汽車電子控制系統(tǒng)的核心組件，其與整車開發(fā)的緊密協(xié)同已成為行業(yè)關(guān)注的重點(diǎn)。這種協(xié)同不僅涉及技術(shù)的深度融合，也關(guān)系到產(chǎn)業(yè)鏈的高效運(yùn)作和市場的快速響應(yīng)。當(dāng)前芯片開發(fā)與整車開發(fā)協(xié)同的痛點(diǎn)如下：溝通難、不協(xié)同、不認(rèn)同：中國工程院院士孫逢春指出，國產(chǎn)芯片企業(yè)與整車企業(yè)之間的溝通困難、不協(xié)同和不認(rèn)同，直

  整車 汽車電子 芯片開發(fā) 2246瀏覽量

• IGBT熱管理解決方案2024-09-12 08:03

  

  自20世紀(jì)80年代開發(fā)以來，IGBT已成為風(fēng)能、太陽能等高壓可再生能源應(yīng)用以及消費(fèi)和工業(yè)用途的電動(dòng)汽車和電動(dòng)機(jī)的關(guān)鍵。功率半導(dǎo)體、功率器件、IGBT三者有什么關(guān)系？功率半導(dǎo)體是電力電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)電力轉(zhuǎn)換和電路控制的核心元器件。功率半導(dǎo)體又稱作電力半導(dǎo)體，主要用來對電力進(jìn)行轉(zhuǎn)換，對電路進(jìn)行控制，用于改變電壓或電流的波形、幅值、相位、頻率等參數(shù)。功率半導(dǎo)體本質(zhì)上是

  IGBT 功率半導(dǎo)體 功率器件 熱管理 1195瀏覽量